16.一根粗細均勻的玻璃管,形狀如圖所示,管兩端都是開口的,右邊的U形管盛有水銀,兩邊水銀是齊平的.把左邊開口向下的玻璃管豎直插入水銀槽中,使管口A在水銀面下8cm,這時進入左管中的水銀柱高為4cm.如果在左管未插入水銀糟之前,先把右邊開口封閉,再把左管插入水銀槽中,使左管管口A在水銀面下7cm處,這時進入管中的水銀柱高為3cm,那么在左管插入水銀槽之前右管中的空氣柱長度為多少?(設(shè)大氣壓為p0=76cmHg)

分析 左管被封閉氣體做等溫變化,注意左管被封閉氣體體積和左管內(nèi)水銀面與右管內(nèi)水銀面高度差之間關(guān)系,得出氣柱長度的變化,由查理定律可解得初始時左側(cè)管空氣柱的長度;

解答 解:設(shè)玻璃管的橫截面為s(單位cm2);左側(cè)氣柱原長為l1,壓強為p1,插入水銀槽后長度為l2,壓強為p2,把右邊開口封閉,再把左管插入水銀槽中后長度為l3,壓強為p3
右側(cè)氣柱封閉時長度為l4,后變?yōu)閘5,壓強為p5;(所以長度單位均為cm,壓強單位均為cmHg)
根據(jù)連通器原理插入水銀槽后管口A在水銀面下8cm,這時進入左管中的水銀柱高為4cm,此時管內(nèi)外的高度差是4cm,所以氣體壓強:p2=80cmHg,由壓強平衡分析右側(cè)水銀柱液面與中間水銀柱的高度差為4cm,可知中間的管內(nèi)水銀面下降2cm,右側(cè)的水銀面上升2cm.
同時,關(guān)鍵幾何關(guān)系可知,右側(cè)的氣體的長度減。4-2)=2cm
左側(cè)氣體未插入水銀槽時:p0=76cmHg,氣柱長度為l1
左側(cè)氣體插入水銀槽時:p2=80cmHg,氣柱長度為l2=l1-2
由查理定律:p0l1s=p2l2s,代入數(shù)據(jù)解得l1=40cm,l2=38cm
把右邊開口封閉,再把左管插入水銀槽中,使左管管口A在水銀面下7cm處,這時進入管中的水銀柱高為3cm,那么此時管內(nèi)外的高度差是4cm,所以氣體壓強:p3=80cmHg,
由查理定律:p3l3s=p2l2s,代入數(shù)據(jù)解得:l3=38cm
左管中的水銀柱高為3cm,氣體的長度是38cm,所以中間管中的水銀面將下降(38+3-40)=1cm,右側(cè)的管中的水銀面上升也是1cm,所以:
p5=p2-2=80-2=78cmHg
所以右側(cè)氣體封閉前:l4=?,壓強p0=76cmHg,變化后:壓強p5=78cmHg,氣體的長度:l5=l4-1
由查理定律:p0l4s=p5l5s,代入數(shù)據(jù)得l4=39cm
答:在左管插入水銀槽之前右管中的空氣柱長度為39cm.

點評 本題考查了連通器原理、查理定律、理想氣體狀態(tài)方程的應(yīng)用,難點在于題目涉及兩部分氣體的多個變化的過程,解答的關(guān)鍵是根據(jù)數(shù)學關(guān)系確定氣柱長度及其變化.

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A.行星A的質(zhì)量大于行星B的質(zhì)量
B.行星A的密度小于行星B的密度
C.行星A的第一宇宙速度小于行星B的第一宇宙速度
D.當兩行星的衛(wèi)星軌道半徑相同時,行星A的衛(wèi)星向心加速度小于行星B的衛(wèi)星向心加速

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4.如圖,放在斜劈上的物塊,受到平行于光滑斜面向下的力F作用,沿斜面向下運動,斜劈保持靜止.下列說法正確的是( 。
A.地面對斜劈的摩擦力方向水平向右
B.地面對斜劈的彈力大于斜劈和物塊的重力之和
C.若F增大,地面對斜劈的摩擦力也增大
D.若F反向,地面對斜劈的摩擦力也反向

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11.利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應(yīng)用于測量和自動控制等領(lǐng)域.如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直至于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱霍爾效應(yīng).其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用相一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式${U_H}={R_H}\frac{IB}dtplzt9$,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān).

(1)設(shè)半導體薄片的寬度(c、f間距)為L,請寫出UH和EH的關(guān)系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內(nèi)單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.若在時間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達式.

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