如圖所示,在xoy平面內(nèi)有很多質(zhì)量為m、電量為e的電子,從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷以相同的速率V0沿不同方向平行xoy平面射入第I象限,F(xiàn)加一垂直xoy平面向里、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求這些入射電子穿過(guò)磁場(chǎng)都能平行于x軸且沿X軸正方向運(yùn)動(dòng)。求符合條件的磁場(chǎng)的最小面積。(不考慮電子之間的相互作用)
如圖21所示,電子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),半徑為。在由O點(diǎn)射入第I象限的所有電子中,沿y軸正方向射出的電子轉(zhuǎn)過(guò)1/4圓周,速度變?yōu)檠豿軸正方向,這條軌跡為磁場(chǎng)區(qū)域的上邊界。下面確定磁場(chǎng)區(qū)域的下邊界。
設(shè)某電子做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的圓心O/與O點(diǎn)的連線(xiàn)與y軸正方向夾角為θ,若離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)電子速度變?yōu)檠豿軸正方向,其射出點(diǎn)(也就是軌跡與磁場(chǎng)邊界的交點(diǎn))的坐標(biāo)為(x,y)。由圖中幾何關(guān)系可得

x=Rsinθ,y=R-Rcosθ,
消去參數(shù)θ可知磁場(chǎng)區(qū)域的下邊界滿(mǎn)足的方程為x2+(R-y)2=R2,(x>0,y>0)
這是一個(gè)圓的方程,圓心在(0,R)處。磁場(chǎng)區(qū)域?yàn)閳D中兩條圓弧所圍成的面積。磁場(chǎng)的最小面積為;
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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:計(jì)算題

(13分)在以坐標(biāo)原點(diǎn)為中心、邊長(zhǎng)為L的正方形EFGH區(qū)域內(nèi),存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),如圖所示。在A處有一個(gè)粒子源,可以連續(xù)不斷的沿-x方向射入速度不同的帶電粒子,且都能從磁場(chǎng)的上邊界射出。已知粒子的質(zhì)量為m,電量大小為q,重力不計(jì),不考慮粒子間的相互作用。

(1)試判斷粒子的電性;
(2)求從F點(diǎn)射出的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;
(3)若粒子以速度射入磁場(chǎng),求粒子由EF邊射出時(shí)的位置坐標(biāo)。

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題



(1)E0E1的大;
(2)若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中,容器中存在如  圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng),已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失),求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿(mǎn)足的條件?
(3)在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出,這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件?

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

地球周?chē)写艌?chǎng),由太空射來(lái)的帶電粒子在此磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為磁漂移。以下描述的是一種假設(shè)的磁漂移運(yùn)動(dòng)。一帶正電的粒子在x=0、y=0處沿y方向以某一速度v0運(yùn)動(dòng),空間存在垂直于圖中紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在y>0的區(qū)域中,磁感強(qiáng)度為B1,在y<0的區(qū)域中磁感強(qiáng)度為B2,B2>B1,如圖所示。
⑴ 把粒子在出發(fā)點(diǎn)x=0處作為第0次過(guò)x軸,試求粒子到第n次過(guò)x軸整個(gè)過(guò)程中,在x軸方向的平均速度vv0之比,n只取奇數(shù)。
⑵ 若B2B1= 4,當(dāng)n很大時(shí),vv0趨于何值。

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖所示,輕繩繞過(guò)輕滑輪連接著邊長(zhǎng)為L的正方形導(dǎo)線(xiàn)框A1和物塊A2,線(xiàn)框A1的電阻為R,質(zhì)量為M,物塊A2的質(zhì)量為mM>m),兩勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域I、II的高度也為L,磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向水平與線(xiàn)框平面垂直。線(xiàn)框ab邊距磁場(chǎng)邊界高度為h。開(kāi)始時(shí)各段繩都處于伸直狀態(tài),把它們由靜止釋放,ab邊剛穿過(guò)兩磁場(chǎng)的分界線(xiàn)CC進(jìn)入磁場(chǎng)II時(shí)線(xiàn)框做勻速運(yùn)動(dòng)。求:
(1)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)I時(shí)線(xiàn)框A1的速度v1;
(2)ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)II后線(xiàn)框A1其重力的功率P
(3)從ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)II到ab邊剛穿出磁場(chǎng)II的過(guò)程中,線(xiàn)框中產(chǎn)生的焦耳熱Q。

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖所示,帶負(fù)電的小球靜止在水平放置的平行板電容  器兩板間,距下板0.8 cm,兩板間的電勢(shì)差為300 V.如果兩板間電勢(shì)差減小到60 V,則帶電小球運(yùn)動(dòng)到極板上需多長(zhǎng)時(shí)間?

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:計(jì)算題

(16分)如圖所示,相距的AB、CD兩直線(xiàn)間的區(qū)域存在著兩個(gè)大小不同、方向相反的有界勻強(qiáng)電場(chǎng),其中PT上方的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向豎直向下,PT下方的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向豎直向上,在電場(chǎng)左邊界AB上寬為的PQ區(qū)域內(nèi),連續(xù)分布著電量為、質(zhì)量為的粒子。從某時(shí)刻起由Q到P點(diǎn)間的帶電粒子,依次以相同的初速度沿水平方向垂直射入勻強(qiáng)電場(chǎng)中,若從Q點(diǎn)射入的粒子,通過(guò)PT上的某點(diǎn)R進(jìn)入勻強(qiáng)電場(chǎng)后從CD邊上的M點(diǎn)水平射出,其軌跡如圖,若MT兩點(diǎn)的距離為。不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用。試求:
(1)電場(chǎng)強(qiáng)度;
(2)在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能垂直CD邊水平射出,這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離有什么規(guī)律?
(3)有一邊長(zhǎng)為、由光滑絕緣壁圍成的正方形容器,在其邊界正中央開(kāi)有一小孔S,將其置于CD右側(cè),若從Q點(diǎn)射入的粒子經(jīng)AB、CD間的電場(chǎng)從S孔水平射入容器中。欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失),并返回Q點(diǎn),在容器中現(xiàn)加上一個(gè)如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng),粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小還應(yīng)滿(mǎn)足什么條件?

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:填空題

如圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m,電荷量為q的離子,離子產(chǎn)生出來(lái)的速度很小,要以看做速度為0,產(chǎn)生的離子經(jīng)過(guò)電壓U加速后,進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的一勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)P點(diǎn),測(cè)得P點(diǎn)到入口處S1的距離為L(zhǎng),則N極板為_(kāi)_____極板,此離子荷質(zhì)比
q
m
=______.

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖中左邊有一對(duì)平行金屬板,兩板相距為d,電壓為U,兩板之間有勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B0,方向與金屬板面平行并垂直于紙面朝里.圖中右邊有一半徑為R、圓心為O的圓形區(qū)域內(nèi)也存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面朝里.一正離子沿平行于金屬板面、從A點(diǎn)垂直于磁場(chǎng)的方向射入平行金屬板之間,沿同一方向射出平行金屬板之間的區(qū)域,并沿直徑CD方向射入磁場(chǎng)區(qū)域,最后從圓形區(qū)域邊界上的F點(diǎn)射出.已知速度的偏向角為θ=90°,不計(jì)重力.求:
(1)離子速度v的大小; 
(2)離子的比荷q/m.

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