如圖所示,M是一個光電管,合上開關(guān)K,用光子能量為2.5eV的一束光照射M的陰極,把滑動變阻器的滑動頭P從a端向b端緩慢移動,當(dāng)電壓表讀數(shù)小于0.60V時,電流表讀數(shù)不為零;當(dāng)電壓表讀數(shù)等于或大于0.60V時,電流表讀數(shù)為零.求:
(1)M的陰極材料的逸出功.
(2)如果改用光子能量為E的一束光照射M的陰極,調(diào)節(jié)滑動頭P,當(dāng)電壓表讀數(shù)等于1.1V時,電流表讀數(shù)恰好為零,求該光子的能量E為多少?
分析:光電子射出后,有一定的動能,若能夠到達另一極板則電流表有示數(shù),當(dāng)恰好不能達到時,說明電子射出的初動能恰好克服電場力做功,然后根據(jù)愛因斯坦光電效應(yīng)方程即可正確解答.
解答:解:(1)依題意,用能量為2.5eV的光子照射光電管,當(dāng)光電管上反向電壓達0.6V時,光電流恰好為零,表明光電子的最大初動能為:EK=0.6eV   
由W=hυ-EK可知陰極材料的逸出功為:W=1.9eV. 
(2)根據(jù)光電效應(yīng)方程:E=W+Ekm=3.0eV  
答:(1)M的陰極材料的逸出功1.9eV
(2)光子的能量E為3.0eV.
點評:正確理解該實驗的原理和光電效應(yīng)方程中各個物理量的含義是解答本題的關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?廣東模擬)人們到醫(yī)院檢查身體時,其中有一項就是做胸透,做胸透所用的是X光,…我們可以把做胸透的原理等效如下:如圖所示,P是一個放射源,從開口處在紙面內(nèi)向各個方向放出某種粒子(不計重力),而這些粒子最終必須全部垂直射到底片MN這一有效區(qū)域,并要求底片MN上每一地方都有粒子到達.假若放射源所放出的是質(zhì)量為m、電量為q的帶正電的粒子,且所有的粒子速率都是v,M與放射源的出口在同一水平面,底片MN豎直放置,底片MN長為L.為了實現(xiàn)上述目的,我們必須在P的出口處放置一有界勻強磁場.求:
(1)勻強磁場的方向
(2)畫出所需最小有界勻強磁場的區(qū)域,并用陰影表示
(3)勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小以及最小有界勻強磁場的面積S.

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科目:高中物理 來源:高中物理復(fù)習(xí)題 題型:013

如圖所示,M是一個光電管,合上電鍵K,用光子能量為2.5eV的一束光照射M的陰極,把滑動變阻器的滑動頭P從a端向b端緩慢移動,發(fā)現(xiàn)電壓表讀數(shù)小于0.60V時,電流表讀數(shù)不為0;當(dāng)電壓表讀數(shù)等于或大于0.60V時,電流表讀數(shù)為0.下面的說法中正確的是

[  ]

A.如果把電鍵K斷開,仍用光子能量為2.5eV的一束光照射M的陰極,電流表讀數(shù)為0

B.如果把電鍵K斷開,改用光子能量為2.0eV的一束光照射M的陰極,電流表讀數(shù)為0

C.如果把電源的正、負極倒過來,電鍵K保持閉合,改用光子能量為2.0eV的一束光照射M的陰極,電流表讀數(shù)為0

D.如果把電源的正、負極倒過來,電鍵K保持閉合,改用光子能量為1.0eV的一束光照射M的陰極,電流表讀數(shù)為0

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科目:高中物理 來源: 題型:

(07年廣東六校聯(lián)考)(14分)人們到醫(yī)院檢查身體時,其中有一項就是做胸透,做胸透所用的是X光……我們可以把做胸透的原理等效如下:如圖所示,P是一個放射源,從開口處在紙面內(nèi)向各個方向放出某種粒子(不計重力),而這些粒子最終必須全部垂直射到底片MN這一有效區(qū)域,并要求底片MN上每一地方都有粒子到達。假若放射源所放出的是質(zhì)量為m、電量為q的帶正電的粒子,且所有的粒子速率都是v,M與放射源的出口在同一水平面,底片MN豎直放置,底片MN長為L。
       為了實現(xiàn)上述目的,我們必須在P的出口處放置一有界勻強磁場。求:
    (1)勻強磁場的方向;
    (2)畫出所需最小有界勻強磁場的區(qū)域,并用陰影表示;
    (3)勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小以及最小有界勻強磁場的面積S。

   

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科目:高中物理 來源: 題型:

人們到醫(yī)院檢查身體時,其中有一項就是做胸透,做胸透所用的是X光,……我們可以把做胸透的原理等效如下:如圖所示,P是一個放射源,從開口處在紙面內(nèi)向各個方向放出某種粒子(不計重力),而這些粒子最終必須全部垂直射到底片MN這一有效區(qū)域,并要求底片MN上每一地方都有粒子到達。假若放射源所放出的是質(zhì)量為m、電量為q的帶正電的粒子,且所有的粒子速率都是v,M與放射源的出口在同一水平面,底片MN豎直放置,底片MN長為L。為了實現(xiàn)上述目的,我們必須在P的出口處放置一有界勻強磁場。

求:

(1)勻強磁場的方向

(2)畫出所需最小有界勻強磁場的區(qū)域,并用陰影表示

(3)勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小以及最小有界勻強磁場的面積S.

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