如圖所示，一圓環(huán)上均勻分布著正電荷，x軸垂直與環(huán)面且過圓心O，下列關(guān)于x軸上的電場強(qiáng)度和電勢的說法中正確的是（　　）
A、O點(diǎn)的電場強(qiáng)度為零，電勢最低B、O點(diǎn)的電場強(qiáng)度為零，電勢最高C、從O點(diǎn)沿x軸正方向，電場強(qiáng)度減小，電勢升高D、從O點(diǎn)沿x軸正方向，電場強(qiáng)度增大，電勢降低
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

橫波和縱波的區(qū)別是（　　）
A、橫波中的質(zhì)點(diǎn)做的是振動，縱波中的質(zhì)點(diǎn)是沿波傳播的方向運(yùn)動B、橫波的傳播速度一定比縱波慢C、橫波形成波峰和波谷，縱波形成疏部和密部D、橫波中質(zhì)點(diǎn)的振動方向與波的傳播方向在同一條直線上，縱波中質(zhì)點(diǎn)的振動方向與波的傳播方向垂直

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科目：高中物理 來源： 題型：

下列說法正確的是（　�。�
A、只有當(dāng)障礙物或孔的尺寸可以跟光波相比，甚至比光的波長還小時，才能明顯地產(chǎn)生光的衍射現(xiàn)象B、光的衍射現(xiàn)象是光波相互疊加的結(jié)果，光的衍射現(xiàn)象說明了光具有波動性C、用單色平行光照射單縫，縫寬不變，照射光波越長，衍射現(xiàn)象越顯著D、光的衍射現(xiàn)象和干涉現(xiàn)象否定了光的直線傳播的結(jié)論E、在太陽光照射下，肥皂泡呈現(xiàn)彩色，這是光的衍射現(xiàn)象F、在城市交通中，用紅燈表示禁止通行，這是因?yàn)榧t光更容易產(chǎn)生干涉

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在水平面上固定一個半圓形細(xì)管，在直徑兩端A、B分別放置一個正點(diǎn)電荷Q1、Q2，且Q2=8Q1．現(xiàn)將另一正點(diǎn)電荷q從管內(nèi)靠近A處由靜止釋放，設(shè)該點(diǎn)電荷沿細(xì)管運(yùn)動過程中最小電勢能的位置為P，并設(shè)PA與AB夾角為θ，則以下關(guān)系
正確的是（　�。�
A、tanθ=4
B、tanθ=8
C、tanθ=2
D、tanθ=2
2

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科目：高中物理 來源： 題型：

在如圖所示的等量異種電荷分布圖中，O點(diǎn)是兩點(diǎn)電荷連線的中點(diǎn)，A和A′關(guān)于O點(diǎn)對稱，B和B′是兩點(diǎn)電荷連線的中垂線上的兩點(diǎn)，則下列說法中正確的是（　　）
A、A點(diǎn)場強(qiáng)小于B點(diǎn)場強(qiáng)B、一個正電荷僅在電場力作用下從A點(diǎn)運(yùn)動到A′點(diǎn)，其電勢能減少，動能增多，而動能和電勢能的總和不變C、B點(diǎn)電勢低于A點(diǎn)電勢D、任意點(diǎn)電荷從B點(diǎn)運(yùn)動到B′點(diǎn)過程中，電場力對它不做功

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科目：高中物理 來源： 題型：

某特殊裝置形成的靜電場，其電勢沿x方向的分布如圖所示，則（　�。�
A、在0-x1之間一定不存在電場B、在0-x1之間可能存在勻強(qiáng)電場C、在x1-x2之間一定不存在勻強(qiáng)電場D、在x1-x2之間可能存在勻強(qiáng)電場

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科目：高中物理 來源： 題型：

在地面上插入一對電極M和N，將兩個電極與直流電源相連，大地中形成恒定電流和恒定電場．恒定電場的基本性質(zhì)與靜電場相同，其電場線分布如圖，P、Q是電場中的兩點(diǎn)．下列說法正確的是（　�。�
A、P點(diǎn)場強(qiáng)比Q點(diǎn)場強(qiáng)大B、P點(diǎn)電勢比Q點(diǎn)電勢高C、P點(diǎn)電子的電勢能比Q點(diǎn)電子的電勢能大D、電子沿直線從N到M的過程中所受電場力恒定不變

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，兩端封閉的金屬圓筒和圓形金屬板共軸，金屬圓筒的橫截面半徑比金屬圓板的小很多，金屬板接地．現(xiàn)將金屬圓筒帶上一定量的正電荷，穩(wěn)定時，金屬圓筒和金屬板均處于靜電平衡狀態(tài)，在軸線上建立x軸，原點(diǎn)為O，則x正半軸上各點(diǎn)的電勢φ隨x變化的圖象可能是（　�。�
A、B、C、D、

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科目：高中物理 來源： 題型：

在光滑絕緣水平面P點(diǎn)正上方的O點(diǎn)固定一電荷量為一Q的點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為+q的檢驗(yàn)電荷，該檢驗(yàn)電荷在水平方向僅受電場力作斥運(yùn)動至P點(diǎn)時的速度為v，圖中θ=60°．規(guī)定P點(diǎn)的電勢為零，則在一Q形成O電場中（　�。�
A、N點(diǎn)電勢低于P點(diǎn)電勢
B、N點(diǎn)電勢為-
mv2
2q
C、P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍
D、檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
1
2
mv2

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