如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子。離子的初速度很小,可忽略不計。離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x。求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的動能;
(2)離子在磁場中運動時的動量大;
(3)離子的質(zhì)量。
解:(1)設(shè)離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后動能為
根據(jù)動能定理
(2)設(shè)離子進入磁場后做勻速圓周運動,速率為v,半徑為R,離子質(zhì)量為m
洛倫茲力提供向心力,根據(jù)牛頓第二定律
又因R=x ②
由①②兩式解得離子在磁場中運動時的動量大小
(3)對于離子經(jīng)電壓U加速過程,根據(jù)動能定理
聯(lián)立①②③,解得m=
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的動能;
(2)離子在磁場中運動時的動量大小;
(3)離子的質(zhì)量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;
(2)離子的荷質(zhì)比 (q/m)

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣西省高二3月月考物理卷(解析版) 題型:計算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目:高中物理 來源:浙江省高二上學(xué)期期末考試物理卷 題型:計算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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