如圖所示，虛線區(qū)域內(nèi)存在著電場強度為E的勻強電場和磁感強度為B的勻強磁場，已知從左方水平射入的電子穿過這一區(qū)域時未發(fā)生偏轉(zhuǎn)，設(shè)重力忽略不計，則這區(qū)域內(nèi)的E和B的方向可能是下列敘述中的

①E和B都沿水平方向，并與電子運動方向相同

②.E和B都沿水平方向，并與電子運動方向相反

③．E豎直向上，B垂直紙面向外

④．E豎直向上，B垂直紙面向里

A、①④       B、②④     C、①②③     D、①②④

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2009?北京）如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場．一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′（圖中未標(biāo)出）穿出．若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O點射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?如東縣模擬）如圖所示，虛線區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B．一邊長為L的正方形導(dǎo)體框垂直磁場放置，框的右邊與磁場邊界重合．現(xiàn)將導(dǎo)體框以速度v沿紙面垂直邊界拉出磁場，則此過程中穿過導(dǎo)體框的磁通量改變了
BL2
BL2
，導(dǎo)體框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢是
BLv
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．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2012南京四校聯(lián)考）如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場。一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點（圖中未標(biāo)出）穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O點射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b           （      ）

A．穿出位置一定在O′點下方                 

B．穿出位置一定在O′點上方

C．運動時，在電場中的電勢能一定減小        

D．在電場中運動時，動能一定減小

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年海南省高二上學(xué)期期末考試?yán)砜莆锢碓嚲恚ń馕霭妫?/span> 題型：選擇題

如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場。一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點（圖中未標(biāo)出）穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O點射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b  （      ）

 

A．穿出位置一定在O′點下方

B．穿出位置一定在O′點上方

C．運動時，在電場中的電勢能一定減小

D．在電場中運動時，動能一定減小

 

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科目：高中物理 來源：2010年四川省綿陽市高二下學(xué)期期末教學(xué)質(zhì)量測試物理試題 題型：選擇題

如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場。一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O1點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線運動到區(qū)域右邊界的O2點（圖中未標(biāo)出）穿出。若保持磁場強弱、方向和電場方向不變，只增大電場強度大小，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O1點射入，仍然能夠從區(qū)域右邊界穿出，則粒子

A．穿出位置一定在O2點下方

B．在虛線區(qū)域內(nèi)的運動軌跡是圓弧

C．在虛線區(qū)域內(nèi)的運動軌跡是拋物線

D．在虛線區(qū)域內(nèi)運動時，動能一定增大

 

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