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R |
2d |
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2B2d3v |
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2B2d3v |
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4B2d3v |
R |
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
mg |
S |
mg |
S |
P0S+Mg |
P0S-mg |
P0S+Mg |
P0S-mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、汽缸內(nèi)氣體內(nèi)能逐漸增加 | B、汽缸內(nèi)氣體分子在單位時間內(nèi)撞擊活塞的個數(shù)逐漸增加 | C、汽缸內(nèi)氣體分子對活塞的撞擊力逐漸變大 | D、汽缸內(nèi)氣體分子在單位時間內(nèi)對活塞的沖量逐漸變大 |
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科目:高中物理 來源:2011年湖北省武漢市高二12月月考物理卷 題型:計算題
如圖所示,用質(zhì)量為m、電阻為R的均勻?qū)Ь做成邊長為l的單匝正方形線框MNPQ,線框每一邊的電阻都相等.將線框置于光滑絕緣的水平面上.在線框的右側(cè)存在豎直方向的有界勻強磁場,磁場邊界間的距離為2l,磁感應(yīng)強度為B.在垂直MN邊的水平拉力作用下,線框以垂直磁場邊界的速度v勻速穿過磁場.在運動過程中線框平面水平,且MN邊與磁場的邊界平行.求:
1.線框MN邊剛進入磁場時,M、N兩點間的電壓UMN;
2.在線框從MN邊剛進入磁場到PQ邊剛穿出磁場的過程中,水平拉力對線框所做的功W.
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