Question

有一種名為輝鉬（MoS₂）的單分子層材料，非常薄，很容易用在納米技術上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管（LED）、太陽能電池等方面有很大潛力．某學習小組利用輝鉬制成的半導體來探究其電阻的決定因素，做了如下實驗



（1）用多用電表R×1檔測其電阻，表盤指針如圖1，則半導體材料的電阻為______Ω
（2）某同學利用器材連接電路如圖2所示．閉合電鍵后，發(fā)現(xiàn)電路有故障（已知電源、電表和導線均完好，電源電動勢為12V）：若電流表示數(shù)為零、電壓表示數(shù)幾乎為12V，則發(fā)生故障的是______處
A．半導體材料     B．滑動變阻器
C．電鍵           D．電源
②若電流表、電壓表示數(shù)均為零，該同學利用多用電表檢查故障時將選擇開關旋至______檔
A．歐姆×10          B．直流電壓25V
C．直流電流500mA  D．交流電壓25V
（3）為使實驗盡可能準確，請你對該同學的實物連接電路加以改進．（至少一條）______．

Answer 1

（1）半導體材料的阻值為R=1×19Ω=19Ω．
（2）①閉合電鍵后，發(fā)現(xiàn)電路有故障（已知電源、電表和導線均完好，電源電動勢為12V）：若電流表示數(shù)為零、電壓表示數(shù)幾乎為12V，則電路故障是A．
②用歐姆表檢查電路故障時，應斷開電源，在該實驗中并沒有斷開電源，因此應使用電壓表檢查電路故障，先將選擇開關旋至直流電壓25V，故選B．
（3）為使實驗盡可能準確，“電流表量程應選0～0.6A”或“安培表應用外接法”．
故答案為：
（1）19Ω   （2）①A   ②B   （3）“電流表量程應選0～0.6A”或“安培表應用外接法”．