如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),一個(gè)正離子以初速度v0垂直于電場(chǎng)方向射入場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,穿出電場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角為θ.在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使該離子穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角也為θ,求:(離子重力忽略不計(jì))
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比.
分析:(1)正離子在電場(chǎng)中做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做初速為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合得到偏轉(zhuǎn)角正切的表達(dá)式,即可求出正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)在磁場(chǎng)中,離子由洛倫茲力提供向心力,由幾何知識(shí)求出半徑,由牛頓第二定律求出磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)離子穿過(guò)電場(chǎng)時(shí),由水平方向的運(yùn)動(dòng)位移和速度求出時(shí)間.在磁場(chǎng)中,由t=
s
v
=
v
求出時(shí)間,即可得解.
解答:解(1)正離子在電場(chǎng)中,水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)
間為  t=
L
v0

離子在豎直方向做初速為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)射出電場(chǎng)時(shí)的速度為
   vy=at=
EqL
mv0

如圖所示  tanθ=
vy
v0
=
at
v0
=
qEL
m
v
2
0

q
m
=
v
2
0
tanθ
EL
  ①
(2)磁場(chǎng)中,離子的軌跡如圖所示,由幾何知識(shí)得  R=
L
sinθ
  ②
qv0B=m
v
2
0
R

∴B=
mv0
qR
  ③
①②③式聯(lián)立  B=
Ecosθ
v0

(3)離子穿過(guò)電場(chǎng)的時(shí)間為t1=
L
v0

離子穿過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間為t2=
v0

t1
t2
=
L
v0
?
v0
=
sinθ
θ

答:
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值是
v
2
0
tanθ
El

(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小是
Ecosθ
v0
;
(3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比是
sinθ
θ
點(diǎn)評(píng):本題是離子分別在電場(chǎng)中和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的問(wèn)題,要抓住研究方法的區(qū)別,不能混淆.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),一個(gè)正離子以初速度垂直于電場(chǎng)方向射入場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,穿出電場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使該離子穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計(jì))

    (1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

         (2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;

         (3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比。

 

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 如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),一個(gè)正離子以初速度垂直于電場(chǎng)方向射入場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,穿出電場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使該離子穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計(jì))

    (1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

    (2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;

    (3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比。

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如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),一個(gè)正離子以初速度垂直于電場(chǎng)方向射入場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,穿出電場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使該離子穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計(jì))

(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;

(3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比。

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如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),一個(gè)正離子以初速度垂直于電場(chǎng)方向射入場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,穿出電場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使該離子穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計(jì))

(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。

(3)離子穿過(guò)勻強(qiáng)電場(chǎng)與穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)所用時(shí)間之比。

 

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