如圖所示,平行直線、、、、,分別表示電勢為-4 V、-2 V、0、2 V、4 V的等勢線,若AB=BC=CD= DE= 2 cm,且與直線MN成角,則( )
A.該電場是勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)方向垂直于,且右斜下
B.該電場是勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小E=2 V/m
C.該電場是勻強(qiáng)電場,距C點(diǎn)距離為2 cm的所有點(diǎn)中,最高電勢為4V,最低電勢為-4V
D.若一個正電荷從A點(diǎn)開始運(yùn)動到E點(diǎn),通過AB段損失動能E,則通過CD段損失動能為也為E
CD
由該電場的等勢面特征可以看出,該電場為勻強(qiáng)電場,電場線方向垂直于等勢面且從電勢高的等勢面指向電勢低的等勢面,故場強(qiáng)方向?yàn)榇怪庇?img width=29 height=17 src="http://thumb.zyjl.cn/pic1/1899/wl/70/98870.gif" >且左斜上,A錯誤;場強(qiáng)的大小可以由得出,式中d表示沿電場線方向的距離,即兩等勢面之間的距離,根據(jù)幾何關(guān)系可知,相鄰兩個等勢面之間距離為1 cm,電勢差為2V,故電場強(qiáng)度為200 V/m,B錯誤;以點(diǎn)C為圓心2 cm為半徑作圓,恰好與一4V和4V兩個等勢面相切,故C正確;正電荷從A向E運(yùn)動電勢能增加,動能減少,由于,根據(jù)動能定理和得:A到B和C到D過程電荷損失的動能相等,故選C、D。
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A、B點(diǎn)電勢為O | B、電場線方向從左向右 | C、微粒的運(yùn)動軌跡可能是軌跡1 | D、微粒的運(yùn)動軌跡可能是軌跡2 |
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