6.如圖所示,足夠大的熒光屏ON垂直xOy坐標(biāo)面,與x軸夾角為30°,當(dāng)y軸與ON間有沿+y方向、場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)時(shí),一質(zhì)量為m、電荷量為-q的離子從y軸上的P點(diǎn),以速度v0、沿+x軸方向射入電場(chǎng),恰好垂直打到熒光屏上的M點(diǎn)(圖中未標(biāo)出).現(xiàn)撤去電場(chǎng),在y軸與ON間加上垂直坐標(biāo)面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),相同的離子仍以速度v0從y軸上的Q點(diǎn)沿+x軸方向射入磁場(chǎng),恰好也垂直打到熒光屏上的M點(diǎn),離子的重力不計(jì).求:
(1)求B的大小;
(2)若相同的離子分別從y軸上的不同位置以速度v=ky(y>0,k為常數(shù))、沿+x軸方向射入磁場(chǎng),離子都能打到熒光屏上,k應(yīng)滿足的條件.

分析 (1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律與牛頓第二定律求出磁感應(yīng)強(qiáng)度;
(2)離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),作出離子運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用牛頓第二定律求出離子的臨界軌道半徑,然后分析答題.

解答 解:(1)離子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示:

離子打在M點(diǎn)時(shí)豎直方向的分速度為vy,運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,
tan60°=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$,vy=at=$\frac{qE}{m}$t,x=v0t,解得:x=$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}^{2}}{qE}$,
離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),軌道半徑:R=OM=$\frac{x}{sin60°}$,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{R}$,解得:B=$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)離子運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示:

設(shè)從縱坐標(biāo)為y處射入磁場(chǎng)的離子恰好能打到熒光屏上,對(duì)應(yīng)的軌道半徑為r0,
由幾何知識(shí)可知:r0+$\frac{{r}_{0}}{cos30°}$=y,
此離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度:v=ky,設(shè)離子的軌道半徑為r,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$,
為使離子能打到熒光屏上,應(yīng)滿足:r≥r0,
而qv0B=ma,解得:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$;
答:(1)B的大小為$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)k應(yīng)滿足的條件是:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了粒子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),分析清楚離子運(yùn)動(dòng)過(guò)程,作出粒子運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律、牛頓第二定律即可正確解題,解題時(shí)要注意幾何知識(shí)的應(yīng)用.

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(1)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小;
(2)小球從0點(diǎn)拋出到落回x軸的過(guò)程中電勢(shì)能的改變量;
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