分析 (1)粒子在電場中做類平拋運動,在磁場中做勻速圓周運動,應用類平拋運動規(guī)律與牛頓第二定律求出磁感應強度;
(2)離子在磁場中做勻速圓周運動,作出離子運動軌跡,應用牛頓第二定律求出離子的臨界軌道半徑,然后分析答題.
解答 解:(1)離子在電場中做類平拋運動,運動軌跡如圖所示:
離子打在M點時豎直方向的分速度為vy,運動時間為t,
tan60°=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$,vy=at=$\frac{qE}{m}$t,x=v0t,解得:x=$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}^{2}}{qE}$,
離子在磁場中做勻速圓周運動,軌道半徑:R=OM=$\frac{x}{sin60°}$,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{R}$,解得:B=$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)離子運動軌跡如圖所示:
設從縱坐標為y處射入磁場的離子恰好能打到熒光屏上,對應的軌道半徑為r0,
由幾何知識可知:r0+$\frac{{r}_{0}}{cos30°}$=y,
此離子進入磁場時的速度:v=ky,設離子的軌道半徑為r,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$,
為使離子能打到熒光屏上,應滿足:r≥r0,
而qv0B=ma,解得:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$;
答:(1)B的大小為$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)k應滿足的條件是:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$.
點評 本題考查了粒子在電場與磁場中的運動,分析清楚離子運動過程,作出粒子運動軌跡,應用類平拋運動規(guī)律、牛頓第二定律即可正確解題,解題時要注意幾何知識的應用.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 該電容器兩端電壓是400V時,電容為2.2μF | |
B. | 該電容器的帶電量是28.8×10-4C | |
C. | 該電容器的工作電壓是400V | |
D. | 該電容器的擊穿電壓是400V |
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A. | 保持B板不動,A板向上平移 | |
B. | 保持B板不動,A板向右平移 | |
C. | 保持A、B兩板不動,在A、B之間插入一塊絕緣介質(zhì)板 | |
D. | 保持A、B兩板不動,在A的右側貼著A放一塊金屬板 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0~1s內(nèi)的平均速度是2m/s | |
B. | 0~2s內(nèi)的位移大小是3m | |
C. | 0~1s內(nèi)的加速度小于2~4s內(nèi)的加速度 | |
D. | 0~4s內(nèi)物體平均速度0m/s |
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