6.如圖所示,足夠大的熒光屏ON垂直xOy坐標面,與x軸夾角為30°,當y軸與ON間有沿+y方向、場強為E的勻強電場時,一質(zhì)量為m、電荷量為-q的離子從y軸上的P點,以速度v0、沿+x軸方向射入電場,恰好垂直打到熒光屏上的M點(圖中未標出).現(xiàn)撤去電場,在y軸與ON間加上垂直坐標面向里的勻強磁場,相同的離子仍以速度v0從y軸上的Q點沿+x軸方向射入磁場,恰好也垂直打到熒光屏上的M點,離子的重力不計.求:
(1)求B的大。
(2)若相同的離子分別從y軸上的不同位置以速度v=ky(y>0,k為常數(shù))、沿+x軸方向射入磁場,離子都能打到熒光屏上,k應滿足的條件.

分析 (1)粒子在電場中做類平拋運動,在磁場中做勻速圓周運動,應用類平拋運動規(guī)律與牛頓第二定律求出磁感應強度;
(2)離子在磁場中做勻速圓周運動,作出離子運動軌跡,應用牛頓第二定律求出離子的臨界軌道半徑,然后分析答題.

解答 解:(1)離子在電場中做類平拋運動,運動軌跡如圖所示:

離子打在M點時豎直方向的分速度為vy,運動時間為t,
tan60°=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$,vy=at=$\frac{qE}{m}$t,x=v0t,解得:x=$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}^{2}}{qE}$,
離子在磁場中做勻速圓周運動,軌道半徑:R=OM=$\frac{x}{sin60°}$,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qv0B=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{R}$,解得:B=$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)離子運動軌跡如圖所示:

設從縱坐標為y處射入磁場的離子恰好能打到熒光屏上,對應的軌道半徑為r0,
由幾何知識可知:r0+$\frac{{r}_{0}}{cos30°}$=y,
此離子進入磁場時的速度:v=ky,設離子的軌道半徑為r,
洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$,
為使離子能打到熒光屏上,應滿足:r≥r0,
而qv0B=ma,解得:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$;
答:(1)B的大小為$\frac{E}{2{v}_{0}}$;
(2)k應滿足的條件是:k≥$\frac{(2\sqrt{3}-3)qE}{2m{v}_{0}}$.

點評 本題考查了粒子在電場與磁場中的運動,分析清楚離子運動過程,作出粒子運動軌跡,應用類平拋運動規(guī)律、牛頓第二定律即可正確解題,解題時要注意幾何知識的應用.

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