【題目】將一橫截面為扇形的物體B放在水平面上,一小滑塊A放在物體B上,如圖所示,除了物體B與水平面間的摩擦力之外,其余接觸面的摩擦均可忽略不計,已知物體B的質(zhì)量為M、滑塊A的質(zhì)量為m,重力加速度為g,當整個裝置靜止時,A、B接觸面的切線與豎直的擋板之間的夾角為θ.則下列選項正確的是

A. 物體B對水平面的壓力大小為(M+m)g

B. 物體B受到水平面的摩擦力大小為

C. 滑塊A與豎直擋板之間的彈力大小為mgtanθ

D. 滑塊A對物體B的壓力大小為

【答案】AB

【解析】C、D、首先對物體A受力分析,如圖所示:

根據(jù)平衡條件,有:,

根據(jù)牛頓第三定律,A對B的壓力大小為,A對擋板的壓力大小為,CD錯誤;

A、B、再對AB整體受力分析,受重力、地面支持力、擋板支持力、地面的靜摩擦力,如圖所示:

根據(jù)平衡條件,地面支持力大小,地面的摩擦力大小;

再根據(jù)牛頓第三定律,對地壓力大小為,A正確;B正確;

故選AB。

練習冊系列答案
相關(guān)習題

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【題目】關(guān)于磁感應強度B和磁感線的性質(zhì)及概念,下列說法中正確的是

A. 根據(jù)磁感應強度定義式B=F/IL,磁場中某點的磁感應強度BF成正比

B. 磁感應強度B是標量

C. 磁感線總是從磁體的N極指向S

D. 磁場中任意兩條磁感線均不相交

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【題目】做勻加速直線運動的物體,依次通過AB、C三點,位移xAB=xBC,已知物體在AB段的平均速度為3m/s,在BC段的平均速度大小為6m/s則物體在B點時的速度的大小為( )

A. 4 m/s

B. 4.5 m/s

C. 5 m/s

D. 5.5 m/s

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【題目】某一長直賽道上,有一輛F1賽車,前方200m處有一安全車正以10m/s的速度勻速前進,這時賽車從靜止出發(fā)以2m/s2的加速度追趕.求:

1)賽車何時追上安全車;

2)追上之前與安全車最遠相距多大;

3)當賽車剛追上安全車時,賽車手立即剎車,使賽車以4m/s2的加速度做勻減速直線運動,問兩車再經(jīng)過多長時間再次相遇.(設(shè)賽車可以從安全車旁經(jīng)過而不發(fā)生相撞)

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【題目】如圖,直線①和曲線②分別是在平直公路上行駛的甲、乙兩車的v﹣t圖象,已知t1時刻兩車在同一位置,則在t1到t2時間內(nèi)(不包括t1、t2時刻)( 。

A. 乙車速度先減小后增大

B. 甲、乙兩車的加速度總是不同

C. 乙車的速度始終小于甲車的速度

D. 甲車始終在乙車前方,且二者間距離先增大后減小

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】某時刻O處質(zhì)點沿y軸向下開始做簡諧運動,形成沿x軸正向傳播的簡諧橫波,O處質(zhì)點開始振動后t=0.8s時的圖像如圖所示.P點是x軸上距坐標原點96cm處的質(zhì)點.則該波的波速是_____m/s;從O處質(zhì)點開始振動計時,經(jīng)過___s,P處質(zhì)點開始振動;從P處質(zhì)點開始振動,再經(jīng)____s,P處質(zhì)點第一次經(jīng)過波峰.

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【題目】35m/s的初速度豎直向上拋出一個小球,不計空氣阻力,g10m/s2。以下判斷錯誤的是( )

A. 小球到最大高度時的速度為0

B. 小球到最大高度時的加速度為0

C. 小球上升的最大高度為61.25m

D. 小球上升階段所用的時間為3.5s

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【題目】在粗糙的水平地面上方,有一個磁感應強度大小為B的水平勻強磁場, PQ為磁場的邊界,磁場范圍足夠大.一個邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的正方形金屬線框靜止在如圖位置,磁場方向垂直線框平面向內(nèi),從t0時刻對金屬框施加一水平外力F使金屬框靜止開始做勻加速直線運動,則下列關(guān)于CD兩點的電勢差UCD 、外力F、摩擦生熱Q(C為拋物線)、外力F的功率P隨時間t變化的圖像中正確的是( )

A. B.

C. D.

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【題目】如圖所示,粒子源O可以源源不斷地產(chǎn)生初速度為零的正離子同位素,即這些正離子帶相同的電量q,質(zhì)量卻不相同。所有的正離子先被一個電壓為U0的勻強加速電場加速,再從兩板中央垂直射入一個勻強偏轉(zhuǎn)電場,已知此偏轉(zhuǎn)電場兩板間距為d,板間電壓為2U0,偏轉(zhuǎn)后通過下極板上的小孔P離開電場。經(jīng)過一段勻速直線運動后,正離子從Q點垂直于邊界AB進入一正方形的區(qū)域勻強磁場(磁感應強度為B,方向垂直紙面向里),不計正離子的重力及離子之間的相互作用力,求:

(1)當正離子從P點離開偏轉(zhuǎn)電場時,求P點和極板左端間的距離L以及此時的速度偏轉(zhuǎn)角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑R;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在磁場邊界AD的中點處,求能打在邊界AD上的正離子的質(zhì)量范圍。

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