A. | 子彈出膛的速度 | B. | 子彈頭打到靶面的速度 | ||
C. | 火車(chē)鉆山洞過(guò)程中的速度 | D. | 物體從樓頂?shù)降孛孢^(guò)程中的速度 |
分析 瞬時(shí)速度對(duì)應(yīng)某一點(diǎn)或某一時(shí)刻的速度,而平均速度為一段位移或一段時(shí)間內(nèi)速度的平均值
解答 解:A、子彈出膛的速度和彈頭打到靶面的速度是對(duì)應(yīng)一個(gè)時(shí)刻的速度,故是瞬時(shí)速度;故AB正確;
C、火車(chē)鉆山洞過(guò)程中的速度和從樓頂?shù)降孛孢^(guò)程中的速度是對(duì)應(yīng)一段時(shí)間的速度,故是平均速度,故CD錯(cuò)誤;
故選:AB
點(diǎn)評(píng) 本題考查平均速度與瞬時(shí)速度,要注意明確平均速度對(duì)應(yīng)一段過(guò)程,而瞬時(shí)速度對(duì)應(yīng)一個(gè)瞬間或某一個(gè)位置
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科目:高中物理 來(lái)源:2017屆浙江省高三11月選考模擬考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
智能手機(jī)耗電量大,移動(dòng)充電寶應(yīng)運(yùn)而生,它是能直接給移動(dòng)設(shè)備充電的儲(chǔ)能裝置。充電寶的轉(zhuǎn) 化率是指電源放電總量占電源容量的比值,一般在0.60-0.70之間(包括移動(dòng)電源和被充電池的 線路板、接頭和連線的損耗)。如圖為某一款移動(dòng)充電寶,其參數(shù)見(jiàn)下表,下列說(shuō)法正確的是( )
A.充電寶充電時(shí)將電能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能
B.該充電寶最多能儲(chǔ)存能量為3.6×l06J
C.該充電寶電量從零到完全充滿電的時(shí)間約為2h
D.該充電寶給電量為零、容量為3000mAh的手機(jī)充電,則理論上能充滿4次
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
次數(shù) | M/kg | $\frac{({{v}_{2}}^{2}-{{v}_{1}}^{2})}{({m}^{2}•{s}^{-2})}$ | △E/J | F/N | W/J |
1 | 0.500 | 0.76 | 0.190 | 0.400 | 0.200 |
2 | 0.500 | 1.65 | 0.413 | 0.840 | 0.420 |
3 | 0.500 | 2.40 | △E3 | 1.220 | W3 |
4 | 1.000 | 2.40 | 1.200 | 2.420 | 1.210 |
5 | 1.000 | 2.84 | 1.420 | 2.860 | 1.430 |
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科目:高中物理 來(lái)源:2016-2017學(xué)年浙江省高二上學(xué)期期中考物理試卷(解析版) 題型:填空題
如圖所示,質(zhì)量為m、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線圈,ABCD由n 匝導(dǎo)線繞成,線圈中有如圖所示方向、大小為I的電流,在AB邊的中點(diǎn)用細(xì)線豎直懸掛于一小盤(pán)子的下端,而小盤(pán)子通過(guò)-彈簧固定在O點(diǎn)。在圖中虛線框內(nèi)有與線圈平面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感強(qiáng)度為B,平衡時(shí),CD邊水平且線圈ABCD有一半面積在磁場(chǎng)中,如圖甲所示,忽略電流I產(chǎn)生的磁場(chǎng),則穿過(guò)線圈的磁通量為_(kāi)___;現(xiàn)將電流反向(大小不變),要使線圈仍舊回到原來(lái)的位置,如圖乙所示,在小盤(pán)子中必須加上質(zhì)量為m的砝碼。由此可知磁場(chǎng)的方向是垂直紙面向____(填“里”或“外”).磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B:____(用題中所給的B以外的其它物理量表示)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
時(shí)間t(s) | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
速度v(m/s) | 0.220 | 0.241 | 0.258 | 0.280 | 0.300 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 小球靜止時(shí)彈簧的彈力大小為$\frac{4}{3}$mg | |
B. | 小球靜止時(shí)細(xì)繩的拉力大小為$\frac{5}{4}$mg | |
C. | 細(xì)線燒斷瞬間小球的加速度立即為g | |
D. | 細(xì)線燒斷瞬間小球的加速度立即為$\frac{5}{3}$g |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 40 V | B. | 60 V | C. | 80 V | D. | 120 V |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 通過(guò)電阻R的電流瞬時(shí)值表達(dá)式為i=10sin 200 πt(A) | |
B. | 電阻R兩端的電壓有效值為90 V | |
C. | 1 s內(nèi)電阻R上產(chǎn)生的熱量為450 J | |
D. | 圖中t=1×10-2 s時(shí),穿過(guò)線圈的磁通量為零 |
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