【題目】關(guān)于安培分子電流假說(shuō)的說(shuō)法正確的是  

A. 安培觀察到物質(zhì)內(nèi)部有分子電流存在就提出了假說(shuō)

B. 為了解釋磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)的原因,安培提出了假說(shuō)

C. 事實(shí)上物體內(nèi)部都存在類似的分子電流

D. 據(jù)后來(lái)科學(xué)家研究,原子內(nèi)電子繞核旋轉(zhuǎn)形成環(huán)形電流與安培分子電流假說(shuō)相符

【答案】BCD

【解析】

安培所提出的“分子電流”的假說(shuō)。安培認(rèn)為,在原子、分子或分子團(tuán)等物質(zhì)微粒內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流--分子電流,分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都形成一個(gè)微小的磁體。未被磁化的物體,分子電流的方向非常紊亂,對(duì)外不顯磁性;磁化時(shí),分子電流的方向大致相同,于是對(duì)外界顯示出磁性。

安培為了解釋磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)的原因,提出的分子環(huán)形電流假說(shuō),認(rèn)為在原子、分子或分子團(tuán)等物質(zhì)微粒內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流--分子電流,分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都形成一個(gè)微小的磁體。未被磁化的物體,分子電流的方向非常紊亂,對(duì)外不顯磁性;磁化時(shí),分子電流的方向大致相同,于是對(duì)外界顯出顯示出磁性,說(shuō)明了磁現(xiàn)象產(chǎn)生的本質(zhì),故A錯(cuò)誤,B正確;安培提出了分子環(huán)形電流假說(shuō),事實(shí)上物體內(nèi)部都存在類似的分子電流。故C正確;安培提出了分子環(huán)形電流假說(shuō)后,根據(jù)科學(xué)家研究,原子內(nèi)電子繞核旋轉(zhuǎn)形成環(huán)形電流與安培分子電流假說(shuō)相符。故D正確;故選BCD。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】要發(fā)射遠(yuǎn)地衛(wèi)星,需要先將衛(wèi)星發(fā)射至近地圓形軌道1運(yùn)行,然后在Q點(diǎn)點(diǎn)火,使其沿橢圓軌道2運(yùn)行,最后在P點(diǎn)再次點(diǎn)火,將衛(wèi)星送入同步圓形軌道3運(yùn)行,如圖所示.已知軌道1、2相切于Q點(diǎn),軌道2、3相切于P點(diǎn).若只考慮地球?qū)πl(wèi)星的引力作用,則衛(wèi)星分別在軌道1、2、3上正常運(yùn)行時(shí),下列說(shuō)法正確的是(  )

A. 若衛(wèi)星在軌道1、23上正常運(yùn)行時(shí)的周期分別為T1、T2、T3,則有T1T2T3

B. 衛(wèi)星沿軌道2Q點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)時(shí)引力做負(fù)功,衛(wèi)星與地球組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒

C. 根據(jù)公式v=ωr可知,衛(wèi)星在軌道3上的運(yùn)行速度大于在軌道1上的運(yùn)行速度

D. 根據(jù)v= 知,衛(wèi)星在軌道2上任意位置的運(yùn)行速度都小于在軌道1上的運(yùn)行速度

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,在傾角為θ的光滑斜面上有兩個(gè)用輕質(zhì)彈簧相連接的物塊AB,它們的質(zhì)量分別為mAmB,彈簧的勁度系數(shù)為k,C為一固定擋板,系統(tǒng)處于靜止?fàn)顟B(tài),現(xiàn)開始用一恒力F沿斜面方向拉物塊A使之向上運(yùn)動(dòng),求物塊B剛要離開C時(shí)物塊A受到的合外力和從開始到此時(shí)物塊A的位移d.(重力加速度為g

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,水平桌面上平放有一堆卡片,每一張卡片的質(zhì)量均為m.用一手指以豎直向下的力壓第1張卡片,并以一定速度向右移動(dòng)手指,確保第1張卡片與第2張卡片之間有相對(duì)滑動(dòng).設(shè)最大靜摩擦力與滑動(dòng)摩擦力相同,手指與第1張卡片之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為,卡片之間、卡片與桌面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)均為,且有,則下列說(shuō)法正確的是

A. 任意兩張卡片之間均可能發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)

B. 上一張卡片受到下一張卡片的摩擦力一定向左

C. 1張卡片受到手指的摩擦力向左

D. 最后一張卡片受到水平桌面的摩擦力向右

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖甲所示,兩相互平行的光滑金屬導(dǎo)軌水平放置,導(dǎo)軌間距L=0.5 m,左端接有電阻R=3 Ω,豎直向下的磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小隨坐標(biāo)x的變化關(guān)系如圖乙所示.開始導(dǎo)體棒CD靜止在導(dǎo)軌上的x=0處,現(xiàn)給導(dǎo)體棒一水平向右的拉力,使導(dǎo)體棒1 m/s2的加速度沿x軸勻加速運(yùn)動(dòng),已知導(dǎo)體棒質(zhì)量為2 kg,電阻為2 Ω,導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌接觸良好,其余電阻不計(jì),求:

(1)拉力隨時(shí)間變化的關(guān)系式;

(2)當(dāng)導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)到x=4.5 m處時(shí)撤掉拉力,此時(shí)導(dǎo)體棒兩端的電壓,此后電阻R上產(chǎn)生的熱量.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,輕質(zhì)彈簧的一端固定在粗糙斜面的擋板O點(diǎn),另一端固定一個(gè)小物塊。小物塊從位置(此位置彈簧伸長(zhǎng)量為零)由靜止開始運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)位置。然后在彈力作用下,上升到最高點(diǎn)位置(圖中未標(biāo)出)在此兩過(guò)程中,下列判斷正確的是( )

A. 下滑和上滑過(guò)程彈簧和小物塊系統(tǒng)機(jī)械能守恒

B. 下滑過(guò)程物塊速度最大值位置比上滑過(guò)程速度最大位置高

C. 下滑過(guò)程彈簧和小物塊組成系統(tǒng)機(jī)械減小量比上升過(guò)程小

D. 下滑過(guò)程重力、彈簧彈力和摩擦力對(duì)物塊做功總值等于上滑過(guò)程重力、彈簧彈力和摩擦力做功總值

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖,空間區(qū)域有勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng),MN、PQ為理想邊界,區(qū)域高度為d區(qū)域的高度足夠大勻強(qiáng)電場(chǎng)方向豎直向上;區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向分別垂直紙面向里和向外一個(gè)質(zhì)量為m,電量為q的帶電小球從磁場(chǎng)上方的O點(diǎn)由靜止開始下落,進(jìn)入場(chǎng)區(qū)后,恰能做勻速圓周運(yùn)動(dòng)已知重力加速度為g

1)試判斷小球的電性并求出電場(chǎng)強(qiáng)度E的大;

2)若帶電小球能進(jìn)入?yún)^(qū)域,則h應(yīng)滿足什么條件?

3)若帶電小球運(yùn)動(dòng)一定時(shí)間后恰能回到O點(diǎn),求它釋放時(shí)距MN的高度h

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,兩平行光滑的金屬導(dǎo)軌MN、PQ固定在水平面上,相距為L,處于豎直向下的磁場(chǎng)中,整個(gè)磁場(chǎng)由n個(gè)寬度皆為x0的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域12、3、…n組成,從左向右依次排列,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小分別為B、2B、3B、…nB,兩導(dǎo)軌左端MP間接入電阻R,一質(zhì)量為m的金屬棒ab垂直于MN、PQ放在水平導(dǎo)軌上,與導(dǎo)軌電接觸良好,不計(jì)導(dǎo)軌和金屬棒的電阻。

1)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的力,使其從圖示位置開始運(yùn)動(dòng)并穿過(guò)n個(gè)磁場(chǎng)區(qū),求導(dǎo)體棒穿越磁場(chǎng)區(qū)1的過(guò)程中,通過(guò)電阻R的電荷量q

2)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的恒力F0,讓它從磁場(chǎng)1左側(cè)邊界處開始運(yùn)動(dòng),當(dāng)向右運(yùn)動(dòng)距離為時(shí)做勻速運(yùn)動(dòng),求棒通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)1所用的時(shí)間t。

3)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的恒定拉力F1,讓它從距離磁場(chǎng)區(qū)1左側(cè)x=x0的位置由靜止開始做勻加速運(yùn)動(dòng),當(dāng)棒ab進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)1時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng),此后在不同的磁場(chǎng)區(qū)施加不同的水平拉力,使棒ab保持該勻速運(yùn)動(dòng)穿過(guò)整個(gè)磁場(chǎng)區(qū),求棒ab通過(guò)第i磁場(chǎng)區(qū)時(shí)的水平拉力Fi和棒ab通過(guò)整個(gè)磁場(chǎng)區(qū)過(guò)程中回路產(chǎn)生的電熱Q

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,在平面直角坐標(biāo)系xOy的第一象限存在垂直平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,第四象限存在沿y軸負(fù)方向、電場(chǎng)強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)速度為v的電子從y軸上P點(diǎn)沿x軸正方向射入磁場(chǎng),直接從x軸上Q點(diǎn)進(jìn)入電場(chǎng),求:

(1)電子的比荷;

(2)若將電子的速率變?yōu)?/span>,其他條件不變,試問(wèn)該電子能否到達(dá)Q點(diǎn),如能到達(dá),求出電子從PQ經(jīng)歷的時(shí)間,若不能到達(dá),說(shuō)明理由。

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