2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

1)寫出釷核衰變方程;

 

2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

 

3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間t

 

答案:
解析:

(1)釷核衰變方程

Th→He+Ra①

(2)設(shè)粒子離開電場時(shí)速度為v,對加速過程有

粒子在磁場中有

 ③

由②、③得

 ④

(3)粒子做圓周運(yùn)動的回旋周期

 ⑤

粒子在磁場中運(yùn)動時(shí)間

 ⑥

由⑤、⑥得

 


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科目:高中物理 來源: 題型:

(2004?天津)釷230Th核發(fā)生衰變生成鐳核226Ra并放出一個(gè)粒子,設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它以速度v0進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場,經(jīng)電場加速后,沿OX方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,OX垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從點(diǎn)P離開磁場時(shí),其速度方向與OX方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中,
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用的時(shí)間t.

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科目:高中物理 來源: 題型:038

2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

 

1)寫出釷核衰變方程;

 

2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

 

3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間t

 

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科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:038

2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

 

1)寫出釷核衰變方程;

 

2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R;

 

3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間t

 

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科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:038

2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場,Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

1)寫出釷核衰變方程;

 

2)求粒子在磁場中沿圓弧運(yùn)動的軌道半徑R

 

3)求粒子在磁場中運(yùn)動所用時(shí)間t

 

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