北京時(shí)間2011年3月11日13時(shí)46分,在日本本州島附近海域發(fā)生里氏9.0級(jí)強(qiáng)烈地震,地震和海嘯引發(fā)福島第一核電站放射性物質(zhì)泄漏,其中放射性物質(zhì)碘131的衰變方程為→+Y。根據(jù)有關(guān)放射性知識(shí),下列說法正確的是 (選對(duì)一個(gè)得3分,選對(duì)兩個(gè)得4分,選對(duì)三個(gè)得6分,每選錯(cuò)一個(gè)扣3分,最低得0分)
A.Y粒子為β粒子
B.若的半衰期大約是8天,取4個(gè)碘原子核,經(jīng)16天就只剩下1個(gè)碘原子核了
C.生成的處于激發(fā)態(tài),放射γ射線。γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力也最強(qiáng)
D.中有53個(gè)質(zhì)子和131個(gè)核子
E.如果放射性物質(zhì)碘131處于化合態(tài),也不會(huì)對(duì)放射性產(chǎn)生影響
【知識(shí)點(diǎn)】裂變反應(yīng)和聚變反應(yīng);原子核衰變及半衰期、衰變速度概念選擇考查題。O2。O3。
【答案解析】ADE。解析:A、53131I→54131Xe+Y,根據(jù)衰變過程中質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒,Y粒子為β粒子,故A正確.B、半衰期是一個(gè)統(tǒng)計(jì)規(guī)律,只對(duì)大量的原子核才適用,對(duì)少數(shù)原子核是不適用的.所以,則若取4個(gè)碘原子核,經(jīng)16天剩下幾個(gè)碘原子核無法預(yù)測(cè).故B錯(cuò)誤.C、生成的54131Xe處于激發(fā)態(tài),還會(huì)放射γ射線.γ射線的穿透能力最強(qiáng),γ射線是高能光子,即高能電磁波,它是不帶電的,所以γ射線的電離作用很弱,故C錯(cuò)誤.D、53131I中有53個(gè)質(zhì)子,131表示質(zhì)量數(shù)即核子數(shù),故D正確.E、半衰期是放射性元素的基本性質(zhì),由放射性元素本身決定,與外部環(huán)境和所處狀態(tài)無關(guān),故E正確;故本題選擇:ADE
【思路點(diǎn)撥】本題要根據(jù)衰變過程中質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒列出衰變方程.半衰期是一個(gè)統(tǒng)計(jì)規(guī)律,只對(duì)大量的原子核才適用,對(duì)少數(shù)原子核是不適用的.只要知道半衰期的意義.知道zxI中,x為質(zhì)量數(shù),z為核電荷數(shù),半衰期是一個(gè)統(tǒng)計(jì)規(guī)律,只對(duì)大量的原子核才適用,對(duì)少數(shù)原子核是不適用的.就不難選擇本題答案。
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科目:高中物理 來源: 題型:
在電磁感應(yīng)現(xiàn)象中,下列說法中正確的是( 。
| A. | 感應(yīng)電流的磁場(chǎng)總是跟原來的磁場(chǎng)方向相反 |
| B. | 閉合線框放在變化的磁場(chǎng)中一定能產(chǎn)生感應(yīng)電流 |
| C. | 閉合線框放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做切割磁感線運(yùn)動(dòng),一定能產(chǎn)生感應(yīng)電流 |
| D. | 感應(yīng)電流的磁場(chǎng)總是阻礙原來磁場(chǎng)磁通量的變化 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示為簡(jiǎn)化后的跳臺(tái)滑雪的雪道示意圖。運(yùn)動(dòng)員從助滑雪道AB上由靜止開始下滑,到達(dá)C點(diǎn)后水平飛出(不計(jì)空氣阻力),以后落到F點(diǎn)(圖中未畫出)。D是運(yùn)動(dòng)軌跡上的某一點(diǎn),運(yùn)動(dòng)員在該點(diǎn)時(shí)的速度方向與軌道CE平行。設(shè)運(yùn)動(dòng)員從C到D、從D到F的運(yùn)動(dòng)時(shí)間分別為tCD和tDF,DG和斜面CE垂直,則( )
A.tCD大于tDF,CG等于GF B.tCD等于tDF,CG小于GF
C.tCD大于tDF,CG小于GF D.tCD等于tDF,CG等于GF
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示是磁帶錄音機(jī)的磁帶盒的示意圖,A、B為纏繞磁帶的兩個(gè)輪子,其半徑均為r。在放音結(jié)束時(shí),磁帶全部繞到了B輪上,磁帶的外緣半徑為R,且R=3r,F(xiàn)在進(jìn)行倒帶,使磁帶繞到A輪上。倒帶時(shí)A輪是主動(dòng)輪,其角速度是恒定的,B輪是從動(dòng)輪。經(jīng)測(cè)定磁帶全部繞到A輪上需要的時(shí)間為t。則從開始倒帶到A、B兩輪的角速度相等所需要的時(shí)間( )
A. B.
C. D.
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,xOy平面為一光滑水平面,在此區(qū)域內(nèi)有平行于xOy平面的勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)強(qiáng)大小E=100 V/m;同時(shí)有垂直于xOy平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一質(zhì)量m=2×10-6 kg、電荷量q=2×10-7 C的帶負(fù)電粒子從坐標(biāo)原點(diǎn)O以一定的初動(dòng)能入射,在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn),到達(dá)p (4,3)點(diǎn)時(shí),動(dòng)能變?yōu)槌鮿?dòng)能的0.5倍,速度方向垂直O(jiān)P向上。此時(shí)撤去磁場(chǎng),經(jīng)過一段時(shí)間該粒子經(jīng)過y軸上的M(0, 6.25)點(diǎn),動(dòng)能變?yōu)槌鮿?dòng)能的0.625倍,求:
(1)粒子從O到P與從P到M的過程中電場(chǎng)力做功的大小之比;
(2)OP連線上與M點(diǎn)等電勢(shì)的點(diǎn)的坐標(biāo);
(3)粒子由P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn)所需的時(shí)間。
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示的電路中,當(dāng)滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)觸點(diǎn)向b端移動(dòng)時(shí)( 。
| A. | 伏特表V的讀數(shù)增大,安培表A的讀數(shù)減小 |
| B. | 伏特表V和安培表A的讀數(shù)都增大 |
| C. | 伏特表V和安培表A的讀數(shù)都減小 |
| D. | 伏特表V的讀數(shù)減小,安培表A的讀數(shù)增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在豎直平面內(nèi)放一個(gè)光滑絕緣的半圓形軌道,水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)與半圓形軌道所在的平面垂直.一個(gè)帶正電荷的小滑塊由靜止開始從半圓軌道的最高點(diǎn)M滑下,則下列說法中正確的是( 。
| A. | 滑塊經(jīng)過最低點(diǎn)時(shí)的速度與磁場(chǎng)不存在時(shí)相等 |
| B. | 滑塊從M點(diǎn)滑到最低點(diǎn)所用的時(shí)間與磁場(chǎng)不存在時(shí)相等 |
| C. | 滑塊經(jīng)過最低點(diǎn)時(shí)的加速度比磁場(chǎng)不存在時(shí)要大 |
| D. | 滑塊經(jīng)過最低點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力與磁場(chǎng)不存在時(shí)相等
|
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖甲所示的電路中,理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為4:1,電壓表和電流表均為理想電表,R1是用氧化錳等金屬氧化物燒結(jié)而成的熱敏電阻,R0為定值電阻.原線圈接如圖乙所示的正弦交流電,下列說法正確的是( 。
| A. | 交流電壓u的表達(dá)式u=36sin100πt(V) |
| B. | 變壓器原、副線圈中的電流之比為1:4 |
| C. | 變壓器輸入、輸出功率之比為1:4 |
| D. | 當(dāng)R1溫度升高時(shí),電壓表和電流表的讀數(shù)均變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
滑板運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目部分軌道可簡(jiǎn)化為由AB、CD兩段半徑R=3m的四分之一光滑豎直圓弧面與長(zhǎng)度L=4m的水平BC段組成,如圖所示,運(yùn)動(dòng)員和滑板總質(zhì)最 m=60kg,從A點(diǎn)由靜止自由滑入軌道,假定運(yùn)動(dòng)員始終在同一堅(jiān)直面內(nèi)運(yùn)動(dòng),已知滑板與水平BC段之間的動(dòng)摩擦因素μ=0.02,取g=10m/s2,求:
(1)運(yùn)動(dòng)員第一次滑到B點(diǎn)速度大;
(2)運(yùn)動(dòng)員第一次滑到B點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力;
(3)運(yùn)動(dòng)員最終停止的點(diǎn)距B點(diǎn)的水平距離.
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