3.如圖所示,裝置由加速電場、偏轉(zhuǎn)電場和偏轉(zhuǎn)磁場組成,偏轉(zhuǎn)電場處在相距為d的兩塊水平放置的平行導體板之間,勻強磁場水平寬度為l,豎直寬度足夠大.大量電子(重力不計)由靜止開始,經(jīng)加速電場加速后,連續(xù)不斷地沿平行板的方向從兩板正中間射入偏轉(zhuǎn)電場.已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e,加速電場的電壓為U1=$\frac{3e{{U}_{0}}^{2}{T}^{2}}{8miyb8epr^{2}}$.當偏轉(zhuǎn)電場不加電壓時,這些電子通過兩板之間的時間為T;當偏轉(zhuǎn)電場加上如圖乙所示的周期為T、大小恒為U0的電壓是,所有電子均能通過電場,穿過磁場后打在豎直放置的熒光屏上.

(1)求水平導體板的板長l0;
(2)求電子離開偏轉(zhuǎn)電場時的最大側(cè)向位移ym;
(3)要使電子打在熒光屏上的速度方向斜向右下方,求磁感應強度B的取值范圍.

分析 (1)電子在加速電場中加速,在偏轉(zhuǎn)電場中類平拋運動,應用動能定理與勻速運動公式可以求出板長.
(2)電子在偏轉(zhuǎn)電場中前半個周期內(nèi)做類平拋運動,應用類平拋運動規(guī)律可以求出最大偏移量.
(3)粒子在磁場中做勻速圓周運動洛倫茲力提供向心力,應用牛頓第二定律求出磁感應強度的臨界值,然后確定磁感應強度的范圍.

解答 解:(1)電子在電場中加速,由動能定理得:eU1=$\frac{1}{2}$mv02-0,
水平導體板的板長:l0=v0T,
解得:l0=$\frac{\sqrt{3}e{U}_{0}{T}^{2}}{2md}$;
(2)電子在偏轉(zhuǎn)電場中半個周期的時間內(nèi)做類平拋運動,
半個周期的位移:y1=$\frac{1}{2}$$\frac{e{U}_{0}}{md}$($\frac{T}{2}$)2,
電子離開偏轉(zhuǎn)電場時的最大側(cè)向位移為:ym=3y1=$\frac{3e{U}_{0}{T}^{2}}{8md}$;
(3)電子離開偏轉(zhuǎn)電場時速度與水平方向夾角為θ,

tanθ=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$=$\frac{a×\frac{T}{2}}{{v}_{0}}$=$\frac{\frac{e{U}_{0}}{md}×T}{2{v}_{0}}$=$\frac{e{U}_{0}T}{2m{v}_{0}d}$=$\frac{\sqrt{3}}{3}$,
故速度與水平方向夾角:θ=30°,
電子進入磁場做勻速圓周運動,洛倫茲力提供向心力,
由牛頓第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$,其中:v=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$,
垂直打在屏上時圓周運動半徑為R1,此時B有最小值,r1sinθ=l,
軌跡與屏相切時圓周運動半徑為R2,此時B有最大值,r2sinθ+r2=l,
解得:B1=$\frac{{U}_{0}T}{2ld}$,B2=$\frac{3{U}_{0}T}{2ld}$,故:$\frac{{U}_{0}T}{2ld}$<B<$\frac{3{U}_{0}T}{2ld}$;
答:(1)水平導體板的板長l0為$\frac{\sqrt{3}e{U}_{0}{T}^{2}}{2md}$;
(2)電子離開偏轉(zhuǎn)電場時的最大側(cè)向位移ym為$\frac{3e{U}_{0}{T}^{2}}{8md}$;
(3)要使電子打在熒光屏上的速度方向斜向右下方,磁感應強度B的取值范圍是:$\frac{{U}_{0}T}{2ld}$<B<$\frac{3{U}_{0}T}{2ld}$.

點評 本題考查了電子在電場與磁場中的運動,分析清楚電子的運動過程是解題的前提與關(guān)鍵,分析清楚電子運動過程后由于動能定理、類平拋運動規(guī)律、牛頓第二定律可以解題;解題時要注意作出電子在磁場中的運動軌跡、求出電子臨界軌道半徑.

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