A. | 運(yùn)動電荷受磁場力作用的原因 | B. | 兩通電導(dǎo)體有相互作用的原因 | ||
C. | 永久磁鐵具有磁性的原因 | D. | 通電導(dǎo)線受到安培力作用的原因 |
分析 安培所提出的“分子電流”的假說.安培認(rèn)為,在原子、分子或分子團(tuán)等物質(zhì)微粒內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流--分子電流,分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都形成一個(gè)微小的磁體.未被磁化的物體,分子電流的方向非常紊亂,對外不顯磁性;磁化時(shí),分子電流的方向大致相同,于是對外界顯示出磁性.
解答 解:A、運(yùn)動電荷受磁場力是洛倫茲力,安培分子假說無法解釋;故A錯誤;
B、兩通電導(dǎo)體有相互作用的原因是通過磁體之間的磁場的作用產(chǎn)生的.故B錯誤;
C、安培提出的分子環(huán)形電流假說,解釋了為什么磁體具有磁性,說明了磁現(xiàn)象產(chǎn)生的本質(zhì),故C正確;
D、通電導(dǎo)線受到安培力作用是因?yàn)殡娏魇艽艌隽Φ淖饔,安培分子電流假說無法解釋;故D錯誤;
故選:C
點(diǎn)評 分子電流假說屬于記憶性的知識點(diǎn),但要注意明確它對應(yīng)的應(yīng)用范圍,能用它來解釋相關(guān)現(xiàn)象.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體落地所用的時(shí)間為$\sqrt{3}$t | B. | 物體落地所用的時(shí)間為3t | ||
C. | 物體落地時(shí)的速度為 $\sqrt{6}$gt | D. | 物體落地時(shí)的速度為3gt |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球到達(dá)最高點(diǎn)的速度為$\sqrt{10}$m/s | |
B. | 小車與障礙物碰撞時(shí)損失的機(jī)械能為12.5 J | |
C. | 小車瞬時(shí)靜止前、后,小球在軌道最低點(diǎn)對軌道的壓力由1 N瞬時(shí)變?yōu)?.5 N | |
D. | 小車向右做勻速直線運(yùn)動的速度約為6.5 m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體的末速度與時(shí)間成正比 | |
B. | 若初速度為零,則物體的位移與時(shí)間的二次方成正比 | |
C. | 若為勻加速運(yùn)動,位移隨時(shí)間增加;若為勻減速運(yùn)動,位移隨時(shí)間減小 | |
D. | 物體的v-t圖象是一條傾斜直線 | |
E. | 物體的x-t圖象是一條傾斜直線 | |
F. | 通過x-t圖象與縱坐標(biāo)軸的交點(diǎn)可知物體開始運(yùn)動的位置 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 燈泡L變亮 | B. | 電容器C上的電荷量增加 | ||
C. | 電源的輸出功率變大 | D. | 電流表讀數(shù)變小,電壓表讀數(shù)變小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 足球上升過程中重力做的功為mgh | |
B. | 運(yùn)動員踢球時(shí)對足球做的功為mgh+$\frac{1}{2}$mv2 | |
C. | 運(yùn)動員踢球時(shí)對足球做的功$\frac{1}{2}$mv2 | |
D. | 足球上升過程克服重力做的功mgh |
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