分子力比重力、引力等要復(fù)雜得多.分子勢(shì)能跟分子問(wèn)的距離的關(guān)系也比較復(fù)雜。圖示為分子勢(shì)能與分子間距離的關(guān)系圖象.用n、表示分子引力與分子斥力平衡時(shí)的分子問(wèn)距.設(shè)r→∞時(shí),Ep=0則下列說(shuō)法止確的是 。(選對(duì)1個(gè)得3分.選對(duì)2個(gè)得4分.選對(duì)3個(gè)得6分。每選錯(cuò)1個(gè)扣3分.最低得分為(0分)
A.當(dāng)r=r0時(shí),分子力為零,Ep=0
B.當(dāng)r=r0時(shí),分子力為零,Ep為最小
C.當(dāng)r0<r<10r0時(shí),Ep隨著r的增大而增大
D.當(dāng)r0<r<10r0時(shí),Ep隨著r的增大而減小
E.當(dāng)r<r0時(shí),Ep隨著r的減小而增大
BCE
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示,在磁感強(qiáng)度為0.1T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一個(gè)與之垂直的金屬框ABCD,框電阻不計(jì),上面接一個(gè)長(zhǎng)0.1m的可滑動(dòng)的金屬絲ab,已知金屬絲質(zhì)量為0.2g,電阻R=0.2Ω,不計(jì)阻力,當(dāng)導(dǎo)體ab從靜止開(kāi)始下落后,(1)導(dǎo)體ab下落的穩(wěn)定速度;(2)導(dǎo)體穩(wěn)定后電路的熱功率。( g取10m/s2。)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
半徑r的圓形空間內(nèi)存在著垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一個(gè)帶電粒子(不計(jì)重力),從A點(diǎn) 沿半徑方向以速度v0垂直于磁場(chǎng)方向射入磁場(chǎng)中,并由B點(diǎn)射出,且∠AOB=120°。則該粒子 在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為( )
A. B.
C. D.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
處于豎直狀態(tài)的彈簧下端懸掛一小球時(shí).其拉力為T(mén),F(xiàn)使小球靠著傾角為的光滑斜面.亓使彈簧仍保持豎直方向,則小球?qū)π泵娴膲毫?/p>
A.Tcos B.Tsin
C.0 D.Ttan
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示.水平面光滑.彈簧左端同定在墻壁上,右端與一質(zhì)量為m的小塊剛好接觸但尢彈力.給小塊施加一水平向左的恒力F.當(dāng)小塊第一次向左運(yùn)動(dòng)距離s時(shí).小塊達(dá)到最大速度v則
A.施加恒力F后小塊市即做勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)
B.小塊從開(kāi)始到第一次向左運(yùn)動(dòng)距離為s的過(guò)程中先做加速
運(yùn)動(dòng)后做減速運(yùn)動(dòng)
C.小塊速度達(dá)到最大時(shí).彈簧的彈力大小等于恒力F的大小
D.小塊速度達(dá)到最大時(shí).彈簧的彈性勢(shì)能為
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示.長(zhǎng)R=0.6m的不可伸長(zhǎng)的細(xì)繩一端同定在O點(diǎn).另一端系著質(zhì)量m2=0.1kg的小球B.小球B剛好與水平面相接觸,F(xiàn)使質(zhì)量m1=0.3kg的物塊A以v0=4m/s的速度向B運(yùn)動(dòng).A與水平面問(wèn)的接觸面光滑.A、B碰撞后.物塊A的速度變?yōu)榕銮八矄?wèn)速度的.小球B能在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng)。已知重力加速度g=10m/s2,A、B均可視為質(zhì)點(diǎn),試求:
①在A與B碰撞后瞬問(wèn).小球B的速度v2的大小。
②小球B運(yùn)動(dòng)到網(wǎng)周最高點(diǎn)時(shí)受到細(xì)繩的拉力大小。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0 T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,金屬桿PQ在外力F作用下在粗糙U型導(dǎo)軌上以速度向右勻速滑動(dòng),兩導(dǎo)軌間距離L=1.0 m,電阻R=3.0,金屬桿的電阻r=1.0,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì),則下列說(shuō)法正確的是
A、通過(guò)R的感應(yīng)電流的方向?yàn)橛蒬到a
B.金屬桿PQ切割磁感線(xiàn)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小為2.0 V
C. 金屬桿PQ受到的安培力大小為0.5 N
D.外力F做功大小等予電路產(chǎn)生的焦耳熱
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
在絕緣粗糙的水平面上相距為6L的A、B兩處分別固定電量不等的正電荷,兩電荷的位置坐標(biāo)如圖(甲)所示,已知B處電荷的電量為+Q。圖(乙)是AB連線(xiàn)之間的電勢(shì)φ與位置x之間的關(guān)系圖像,圖中x=L點(diǎn)為圖線(xiàn)的最低點(diǎn),x=-2L處的縱坐標(biāo)φ=φ0,x=0處的縱坐標(biāo)φ=φ0,x=2L處的縱坐標(biāo)φ=φ0。若在x=-2L的C點(diǎn)由靜止釋放一個(gè)質(zhì)量為m、電量為+q的帶電物塊(可視為質(zhì)點(diǎn)),物塊隨即向右運(yùn)動(dòng)。 求:
(1)固定在A處的電荷的電量QA ;
(2)為了使小物塊能夠到達(dá)x=2L處,試討論小物塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ所滿(mǎn)足的條件;
(3)若小物塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=,小物塊運(yùn)動(dòng)到何處時(shí)速度最大?并求最大速度vm;
(4)試畫(huà)出μ取值不同的情況下,物塊在AB之間運(yùn)動(dòng)大致的速度-時(shí)間關(guān)系圖像。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示的直角三角形ABC是玻璃磚的橫截面,∠B= 90°,∠A= 30°E為BC邊的中點(diǎn),BC=三。一束平行于AB的光束從AC邊上的某點(diǎn)射入玻璃磚,進(jìn)入玻璃磚后,在BC邊上的E點(diǎn)被反射,EF是該反射光線(xiàn),一且EF恰與AC平行。求:
(i)玻璃磚的折射率;
(ii)該光束從射入玻璃磚開(kāi)始計(jì)時(shí),經(jīng)BC邊上的E點(diǎn)反射后,到緊接著的一次射出玻璃磚所需的時(shí)間。
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