如圖所示,A、B為不同金屬制成的正方形線框,導(dǎo)線粗細(xì)相同,A的邊長(zhǎng)是B的2倍,A的密度是B的1/2,A的電阻是B的4倍.當(dāng)它們的下邊在同一高度豎直下落,垂直進(jìn)入如圖所示的磁場(chǎng)時(shí),A框恰能勻速下落,那么;(1)B框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程將作______運(yùn)動(dòng)(填“勻速”“加速”“減速”);(2)兩線框全部進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,A、B兩線框消耗的電能之比為_(kāi)_____.
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(1)設(shè)A線框的邊長(zhǎng)為L(zhǎng),電阻為R,密度為ρ,截面積為S,則
A線框進(jìn)入磁場(chǎng)后所受的安培力大小為 FA=
B2L2v
R
,重力為GA=mAg=ρ?4LS,A框進(jìn)入磁場(chǎng)后勻速運(yùn)動(dòng),重力與安培力平衡,則
  
B2L2v
R
=ρ?4LS,得B2Lv=4ρRS
對(duì)于線框B,進(jìn)入磁場(chǎng)后所受的安培力大小為 FB=
B2(
L
2
)2v
1
4
R
=
B2L2v
R
,重力為GB=mBg=2ρ?4?
1
2
LS=4ρLS
可見(jiàn),F(xiàn)B=GB,則重力與安培力也平衡,故B框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程將作勻速運(yùn)動(dòng).
(2)兩線框全部進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,線框消耗的電能等于重力勢(shì)能,則
A、B兩線框消耗的電能之比為mAgL:mBg?
L
2
=ρ?4LS?L:4ρLS?
L
2
=2:1.
故答案為:勻速,2:1.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,(A板接地,圖中未畫出)間距為d=0.4m,構(gòu)成的電容器電容為C=0.01F.質(zhì)量為m=0.2kg、電量為q=0.1C的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h(yuǎn)=0.6m處以v0=1m/s初速射向B板.液滴到達(dá)B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過(guò)多少?不考慮液滴間相互作用.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,間距為d,構(gòu)成的電容器電容為C.質(zhì)量為m、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h(yuǎn)處以v0初速射向B板.液滴到達(dá)B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過(guò)多少?

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科目:高中物理 來(lái)源:物理教研室 題型:038

如圖所示,AB為不帶電平行金屬板,間距為d,構(gòu)成的電容器電容為C.質(zhì)量為M、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板上小孔以v0初速射向B板.液滴到達(dá)B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過(guò)多少?

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,間距為d,構(gòu)成的電容器電容為C.質(zhì)量為m、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h(yuǎn)處以v0初速射向B板.液滴到達(dá)B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過(guò)多少?
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如圖所示,A、B為不帶電平行金屬板,間距為d,構(gòu)成的電容器電容為C.質(zhì)量為m、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h(yuǎn)處以v初速射向B板.液滴到達(dá)B板后,把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上.求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過(guò)多少?

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