如圖甲所示,直角坐標(biāo)xOy平面內(nèi)存在著有界電場和磁場,在0~4L區(qū)域有沿y軸方向的勻強(qiáng)電場,以y軸正方向?yàn)殡妶稣较,電場?qiáng)度隨時間變化規(guī)律如圖乙所示;在4L ~5L 和5L ~6L區(qū)域有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B1 =1.5B2 。一帶電粒子在t = 0時刻以初速度v0O點(diǎn)沿x軸正方向進(jìn)入電場,之后進(jìn)入磁場時的縱坐標(biāo)為2L,最終剛好能從x = 6L邊界射出磁場。不計粒子重力,求:

  (1)粒子到達(dá)x =L邊界時的縱坐標(biāo);

  (2)粒子經(jīng)過兩磁場的邊界線(x = 5L)時的縱坐標(biāo)是多少?

 (3)改變y軸上入射點(diǎn)的位置,可使得粒子從x軸上方射出,問入射點(diǎn)的位置坐標(biāo)應(yīng)滿足的條件?

 


【解析】:

(1)粒子穿越第一區(qū)域的時間t1 = L/v0 ,對照圖乙,正好是在沿正方向的勻強(qiáng)電場中做類平拋運(yùn)動,設(shè)側(cè)移量為y1 ;在第二區(qū)域的電場中做逆向平拋運(yùn)動,由對稱性,沿y方向的側(cè)移量相等……

到達(dá)x = 4L 邊界時的縱坐標(biāo)y4 =4y1 ,由題意知4y1 = 2L ,解得y1 = L/2 。    (6分)

(2)在左側(cè)磁場區(qū)域里,設(shè)粒子做圓周運(yùn)動的半徑為R1,圓心為O1(如圖),在右側(cè)磁場里的半徑為R2,圓心為O2,則有

sinθ = L/R1 ,  ,

據(jù) qBv = mv2/R  知R2 =3R1/2  ,

聯(lián)立解得 R1 = 5L/3 , sinθ = 3/5 ,

故粒子到達(dá)邊界線x = 5L時的縱坐標(biāo)

y5 = 2LR1(1- cosθ)= 5L/3       (10分)

(3)由上可知,粒子射出磁場時的縱坐標(biāo)

y6 = y5 -R2 sin530 = - L/3

改變?nèi)肷潼c(diǎn)時,粒子的運(yùn)動軌跡將與原來的平行,要使粒子從x軸上方射出,入射點(diǎn)的坐標(biāo)y0 L/3   (6分)


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:


如圖所示,是氧氣在0℃和100℃兩種不同情況下,各速率區(qū)間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比與分子速率間的關(guān)系。由圖可知

A.100℃的氧氣,速率大的分子比例較多

B.具有最大比例的速率區(qū)間,0℃時對應(yīng)的速率大

C.溫度越高,分子的平均速率大

D.在0℃時,部分分子速率比較大,說明內(nèi)部有溫度較高的區(qū)域

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下列敘述正確的是

       A.經(jīng)典力學(xué)理論普遍適用,大到天體,小到微觀粒子均適用.

       B.法拉第把引起電流的原因概括為五類,包括變化的電流、變化的磁場、運(yùn)動的恒定電流、運(yùn)動的磁鐵、在磁場中運(yùn)動的導(dǎo)體

       C.物理學(xué)中用到大量的科學(xué)研究方法,在建立“合力與分力”“質(zhì)點(diǎn)”“電場強(qiáng)度”物理概念時,都用到了“等效替代”的方法

       D.機(jī)場、車站和重要活動場所的安檢門可以探測人身攜帶的金屬物品是利用自感現(xiàn)象

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科目:高中物理 來源: 題型:


一質(zhì)量為m1的小球A與另一質(zhì)量為m2的靜止小球B發(fā)生正碰。實(shí)驗(yàn)中測出碰撞后小球B的速度為v2,求小球A原來的速度v0的最大值和最小值分別是多少?

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科目:高中物理 來源: 題型:


電磁泵在目前的生產(chǎn)、科技中得到了廣泛應(yīng)用。如圖所示,泵體是一個長方體,ab邊長為L1,兩側(cè)端面是邊長為L2的正方形;流經(jīng)泵體內(nèi)的液體密度為ρ、在泵頭通入導(dǎo)電劑后液體的電導(dǎo)率為σ(電阻率的倒數(shù)),泵體所在處有方向垂直向外的磁場B,把泵體的上下兩表面接在電壓為U(內(nèi)阻不計)的電源上,則(    )

  A.泵體上表面應(yīng)接電源正極

  B.通過泵體的電流I = UL1/σ

  C.增大磁感應(yīng)強(qiáng)度可獲得更大的抽液高度

  D.增大液體的電阻率可獲得更大的抽液高度

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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖所示,是某次發(fā)射人造衛(wèi)星的示意圖,人造衛(wèi)星先在近地圓周軌道1上運(yùn)動,然后改在橢圓軌道2上運(yùn)動,最后在圓周軌道3上運(yùn)動,a點(diǎn)是軌道1、2的交點(diǎn),b點(diǎn)是軌道2、3的交點(diǎn),人造衛(wèi)星在軌道1上a點(diǎn)的速度為v1a,在軌道2上a點(diǎn)的速度為v2a,在軌道2上b點(diǎn)的速度為v2b,在軌道3上b點(diǎn)的速度為v3b,則各速度的大小關(guān)系是( )

A. v1a>v2a>v2b>v3b B.v2a>v1a>v2b>v3b C.v2a>v1a>v3b>v2b D. v1a<v2a<v2b<v3b

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質(zhì)量為m=1kg的小木塊A(可看成質(zhì)點(diǎn)),放在質(zhì)量為M=4kg的長木板B的左端,如圖所示.長木板放在光滑的水平桌面上.小木塊與長木板間的動摩擦因數(shù)μ=0.1,系統(tǒng)處于靜止?fàn)顟B(tài)。現(xiàn)有一個與A完全相同的小木塊C從長木板右側(cè)以的初速度沖向長木板,碰后與長木板粘在一起(碰撞時間極短),最終小木塊A恰好不滑落,求(1)C與B剛粘連時的速度v(2)木板至少應(yīng)有多長。

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某學(xué)習(xí)小組在做電阻測量的實(shí)驗(yàn)中,分別采用了如圖所示的甲、乙兩種電路,試回答下列問題:若選用甲電路,產(chǎn)生誤差的主要原因是       ;若選用乙電路,產(chǎn)生誤差的主要原因是         (填選項(xiàng)前的字母)。

A.電流表測量值小于流經(jīng)的電流值   

B.電流表測量值大于流經(jīng)的電流值

C.電壓表測量值小于流經(jīng)的電壓值   

D.電壓表測量值大于流經(jīng)的電壓值

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科目:高中物理 來源: 題型:


2013年6月11日,我國航天員聶海勝、張曉光和王亞平在“天宮一號”首次為青少年進(jìn)行太空授課,開辟了我國太空教育的新篇章。如圖是授課過程中讓小球做圓周運(yùn)動的情景,長為L的細(xì)線一端固定在支架上,另一端系著小球,拉直細(xì)線,讓小球在最低點(diǎn)(以圖中支架為參考)以垂直于細(xì)線的速度vo拋出開始做圓周運(yùn)動。同時,地面教室有一套完全相同的裝置做同樣的對比實(shí)驗(yàn):假設(shè)在最低點(diǎn)時,兩球的速度大小相等,且兩球均做完整的圓周運(yùn)動,空氣阻力不計,則關(guān)于地面教室和“天宮”中的兩小球的運(yùn)動情況,下列說法正確的是

A.運(yùn)動到最低點(diǎn)時,地面教室中的小球?qū)K子的拉力與“天宮”中的等大

B.若相同的時間內(nèi),地面教室中的小球運(yùn)動n1圈,“天宮”中的小球運(yùn)動n2圈,則n1>n2

C.在“天宮”中,小球在最低點(diǎn)的速度須足夠大才能做完整的圓周運(yùn)動

D.若小球運(yùn)動到最低點(diǎn)時,兩組實(shí)驗(yàn)中的細(xì)繩均被拉斷,則地面教室中的小球做平拋運(yùn)動,而“天宮”里的小球做勻速直線運(yùn)動

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