假設(shè)在某電場中沿x方向上,電勢φ與x方向的距離關(guān)系如圖所示,現(xiàn)有一個(gè)電子在其中僅受電場力作用下移動(dòng),則下列關(guān)于電場和電子能量說法正確的是(  )
A.x3到x4區(qū)域內(nèi)沿x方向的電場強(qiáng)度均勻增大
B.x6到x7區(qū)域內(nèi)沿x方向場強(qiáng)為零
C.若電子從電勢為2V的x1位置向右到電勢為2V的x7位置,為了通過x4處電勢3V的位置,電子至少具有初動(dòng)能1eV
D.電子在 x1到 x2區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場力小于x3到 x4區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場力
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A、由圖象可知,在x3到x4區(qū)域內(nèi)電勢差U34與兩點(diǎn)間距離成正比,則這兩點(diǎn)間的電場是勻強(qiáng)電場,沿x方向的電場強(qiáng)度不變,故A錯(cuò)誤;
B、由圖象可知,在x6到x7區(qū)域內(nèi),電勢差為零,這兩點(diǎn)間的場強(qiáng)為零,故B正確;
C、由圖象可知,從x1位置到x2位置電勢均勻減小,則x1位置到x2位置間的電場方向向右,電子在其間受到的電場力向左,電子從x1運(yùn)動(dòng)到x2克服電場力做功2eV,電子應(yīng)該具有2eV的初動(dòng)能,電子從電勢為2V的x1位置向右到電勢為2V的x7位置,電場力做的總功為零,則電子從電勢為2V的x1位置向右到電勢為2V的x7位置,電子至少具有初動(dòng)能2eV,故C錯(cuò)誤;
D、由圖象可知,在 x1與x2區(qū)域內(nèi)比x3與x4區(qū)域內(nèi)的場強(qiáng)小,所以電子在 x1到 x2區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場力小于x3到 x4區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場,故D正確;
故選BD.
練習(xí)冊系列答案
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A.區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向的電場強(qiáng)度均勻減小

Bx6~x7內(nèi)沿x軸方向場強(qiáng)為零

C.若電子從電勢為2Vx1位置向右移動(dòng)到電勢為2Vx7位置,為了通過電勢為3Vx2位置,電子至少應(yīng)具有1eV的初動(dòng)能

D.電子在區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向所受電場力大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向所受電場力

 

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假設(shè)在某電場中沿x方向上,電勢φ與x方向的距離關(guān)系如圖所示,現(xiàn)有一個(gè)電子在其中僅受電場力作用下移動(dòng),則下列關(guān)于電場和電子能量說法正確的是( )

A.x3到x4區(qū)域內(nèi)沿x方向的電場強(qiáng)度均勻增大
B.x6到x7區(qū)域內(nèi)沿x方向場強(qiáng)為零
C.若電子從電勢為2V的x1位置向右到電勢為2V的x7位置,為了通過x4處電勢3V的位置,電子至少具有初動(dòng)能1eV
D.電子在 x1到 x2區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場力小于x3到 x4區(qū)域內(nèi)沿x方向所受電場力

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假設(shè)在某電場中沿x軸方向上,電勢φx的距離關(guān)系如圖所示,其中x4x3=x6x5,F(xiàn)有一個(gè)電子在電場中僅受電場力作用移動(dòng),則下列關(guān)于電場和電子能量說法正確的是

A.區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向的電場強(qiáng)度均勻減小

B.x6~x7內(nèi)沿x軸方向場強(qiáng)為零

C.若電子從電勢為2V的x1位置向右移動(dòng)到電勢為2V的x7位置,為了通過電勢為3V的x2位置,電子至少應(yīng)具有1eV的初動(dòng)能

D.電子在區(qū)域x3~x4內(nèi)沿x軸方向所受電場力大于區(qū)域x5~x6內(nèi)沿x軸方向所受電場力

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