初速為零的離子經(jīng)過電勢差為U的電場加速后,從離子槍T中水平射出,經(jīng)過一段路程后進入水平放置的平行金屬板MN和PQ之間.離子所經(jīng)空間存在一磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場,如圖所示,要使離子能打在金屬板上,則離子比荷的范圍是____________________.
分兩種臨界情況討論離子比荷,其一是離子在磁場中偏轉(zhuǎn)后打到平行金屬板的右側(cè)端點,其軌跡如圖(a)所示.據(jù)幾何關(guān)系應(yīng)有:
r12=(r1-)2+(2d)2,解得r1=d.
其二是離子在磁場中偏轉(zhuǎn)后打到平行金屬板的左側(cè)端點,其軌跡如圖(b)所示.此時有:
 
(a)             (b)
r22=(r2-)2+d2
解得r2= d.
根據(jù)離子在電場中加速,由功能關(guān)系有:
mv2=qU
再根據(jù)離子所受洛倫茲力提供的向心力有:
qvB=m
結(jié)合前兩種臨界情況,可得:=
=
因此,所求離子比荷的范圍是:
.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖所示,兩個幾何形狀完全相同的平行板電容器PQ和MN,水平置于水平方向的勻強磁場中(磁場區(qū)域足夠大),兩電容器極板左端和右端分別在同一豎直線上。已知P、Q之間和M、N之間的距離都是d,板間電壓都是U,極極長度均為l。今有一電子從極板邊緣的O點以速度v0沿沿P、Q兩板間的中心線進入電容器,并做勻速直線運動穿過電容器,此后經(jīng)過磁場偏轉(zhuǎn)又沿水平方向進入到電容器M、N板間,在電容器M、N中也沿水平方向做勻速直線運動,穿過M、N板間的電場后,再經(jīng)過磁場偏轉(zhuǎn)又通過O點沿水平方向進入電容器P、Q極板間,循環(huán)往復(fù)。已知電子質(zhì)量為m,電荷為e。
(1)試分析極板P、Q、M、N各帶什么電荷?
(2)Q板和M板間的距離x滿足什么條件時,能夠達到題述過程的要求?
(3)電子從O點出發(fā)至第一次返回到O點經(jīng)過了多長時間?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題


(1)為使粒子始終在半徑為R的圓軌道上運動,磁場必須周期性遞增。求粒子從t=0時刻起繞行第n圈時的磁感應(yīng)強度;
(2)求粒子從t=0時刻起繞行n圈回到P板所需的總時間。

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖5所示,有垂直紙面向外的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。在勻強磁場中做勻速圓周運動的一個電子,動量為P,電量為e,在A、C點,所受洛侖茲力的方向如圖示,已知AC=d。求電子從A到C時發(fā)生的偏轉(zhuǎn)角。

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖10-18所示,帶電粒子在真空環(huán)境中的勻強磁場里按圖示徑跡運動。徑跡為互相銜接的兩段半徑不等的半圓弧,中間是一塊薄金屬片,粒子穿過時有動能損失。試判斷粒子在上、下兩段半圓徑跡中哪段所需時間較長?(粒子重力不計)

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,正方形abcd區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強磁場,O點是cd邊的中點一個帶正電的粒子(重力忽略不計)若從O點沿紙面以垂直于cd邊的速度射入正方形內(nèi),經(jīng)過時間剛好從c點射出磁場,現(xiàn)設(shè)法使該帶電粒子從O點沿紙面以與Od的方向(如圖中虛線所示),以各種不同的速率射入正方形內(nèi),那么下列說法中正確的是( )
A.該帶電粒子有可能剛好從正方形的某個頂點射出磁場
B.若該帶電粒子從ab邊射出磁場,它在磁場中經(jīng)歷的時間可能是
C.若該帶電粒子從bc邊射出磁場,它在磁場中經(jīng)歷的時間可能是3/2
D.若該帶電粒子從cd邊射出磁場,它在磁場中經(jīng)歷的時間一定是5/3

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題

用絕緣細線懸掛一個質(zhì)量為m,帶電荷量為+q的小球,讓它處于如圖所示的磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中.由于磁場的運動,小球靜止在如圖位置,這時懸線與豎直方向夾角為α,并被拉緊,則磁場的運動速度和方向可能是(  )
A.v=
mg
Bq
,水平向右
B.v=
mg
Bq
,水平向左
C.v=
mgtanα
Bq
,豎直向上
D.v=
mgtanα
Bq
,豎直向下

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

一正電荷垂直射入勻強磁場中,其速度v的方向和受到的洛倫茲力F的方向如圖所示,則磁場方向為(  )
A.與F方向相同B.與F方向相反
C.垂直紙面向外D.垂直紙面向里

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

(16分)某裝置用磁場控制帶電粒子的運動,工作原理如圖所示。裝置的長為 L,上下兩個相同的矩形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小均為B、方向與紙面垂直且相反,兩磁場的間距為d。裝置右端有一收集板,M、N、P為板上的三點,M位于軸線OO′上,N、P分別位于下方磁場的上、下邊界上。在紙面內(nèi),質(zhì)量為m、電荷量為-q的粒子以某一速度從裝置左端的中點射入,方向與軸線成30°角,經(jīng)過上方的磁場區(qū)域一次,恰好到達P點。改變粒子入射速度的大小,可以控制粒子到達收集板上的位置。不計粒子的重力。

(1)求磁場區(qū)域的寬度h;
(2)欲使粒子到達收集板的位置從P點移到N點,求粒子入射速度的最小變化量Δv;
(3)欲使粒子到達M點,求粒子入射速度大小的可能值。

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同步練習(xí)冊答案