(2013?浦東新區(qū)一模)如圖所示,水平放置的光滑絕緣桿上B點(diǎn)的正上方O點(diǎn)固定一個(gè)帶電量為Q=+6.0×10
-8C的點(diǎn)電荷,BO相距h=0.24m,B點(diǎn)左側(cè)的A點(diǎn)處套有一個(gè)帶電量為q=-5.0×10
-9C、質(zhì)量為m=2.0×10
-4kg帶電小圓環(huán),已知∠OAB=37°.C為桿上B點(diǎn)右側(cè)的另一點(diǎn),∠OCB=53°.
已知由點(diǎn)電荷+Q產(chǎn)生的電場(chǎng)中,距離該點(diǎn)電荷為r處的電勢(shì)為
φ=k,其中k為靜電力恒量,k=9.0×10
9 N?m
2/C
2.(sin37°=0.6,sin53°=0.8).試問(wèn):
(1)點(diǎn)電荷Q在A、B、C三點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)φ
A、φ
B、φ
C分別多大?
(2)將帶電小圓環(huán)從A點(diǎn)由靜止釋放,它到達(dá)C點(diǎn)時(shí)速度多大?
(3)若將圓環(huán)帶電量改為qˊ=+1.0×10
-8C,并給其一個(gè)指向C點(diǎn)的初速度,則初速度v
0至少多大才能使其到達(dá)C點(diǎn)?