如圖是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域，現(xiàn)在把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設(shè)為R。下列關(guān)于P1和P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線所在區(qū)域描述正確的是
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A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1<P2
B．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1>P2
C．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1>P2
D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1<P2
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集成電路應(yīng)用廣泛、集成度越來(lái)越高，現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個(gè)元件，目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個(gè)元件的目標(biāo)邁進(jìn)，集成度越高，各種電子元件越微型化，如圖一是我國(guó)自行研制成功的中央處理器（CPU）芯片“龍芯”1號(hào)，如圖二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，但R2的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R1的尺寸，通過(guò)兩導(dǎo)體的電流方向如圖2，則這兩個(gè)導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系說(shuō)法正確的是（　�。�
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A、R1＞R2B、R1＜R2C、R1=R2D、無(wú)法確定

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如圖所示是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域．現(xiàn)在把電阻R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設(shè)為R，下列關(guān)于P1與P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線所在的區(qū)域正確的是

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2
B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2
C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2
D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

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如圖所示是電阻R1和R2的伏安特性曲線，且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域．現(xiàn)將R1和R2并聯(lián)在電路中，其電功率分別用P1和P2表示，并聯(lián)的總電阻為R，下列關(guān)于R的伏安特性曲線應(yīng)該在的區(qū)域以及P1、P2大小關(guān)系正確的是

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2     B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2     D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

 

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域，現(xiàn)在把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設(shè)為R.下列關(guān)于P1和P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線應(yīng)該在的區(qū)域的說(shuō)法正確的是(    )

A.特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2                   B.特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

C.特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2                   D.特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

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