(2010?浙江模擬)有一xOy平面,在x<0的空間內(nèi),存在場(chǎng)強(qiáng)為E、與 y軸成θ角的勻強(qiáng)電場(chǎng),如圖所示.在第Ⅲ象限某處有質(zhì)子源s,以某一初速度垂直于電場(chǎng)的方向射出質(zhì)量為m、電荷量為q的質(zhì)子.初速度的延長(zhǎng)線與x軸的交點(diǎn)P的坐標(biāo)為(-d,0),質(zhì)子射出電場(chǎng)時(shí)恰經(jīng)過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn)O,并沿x軸正向進(jìn)入x>0區(qū)域.在x>0一側(cè)有邊界為圓形的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直于xOy平面向外,邊界某處與y軸相切.質(zhì)子進(jìn)入磁場(chǎng)被偏轉(zhuǎn),在射出磁場(chǎng)后垂直于電場(chǎng)方向回到x<0的區(qū)域.
(1)試求出質(zhì)子的初速度v
0,并確定質(zhì)子源s位置的坐標(biāo).
(2)圓形磁場(chǎng)的最小半徑r.
(3)質(zhì)子從射入磁場(chǎng)到再次回到x<0的電場(chǎng)區(qū)域所經(jīng)歷的時(shí)間t.