【題目】下列說法中正確的是( )
A. 中子和質(zhì)子結(jié)合成氘核時吸收能量
B. 升高放射性物質(zhì)的溫度,可縮短其半衰期
C. 某原子核經(jīng)過一次衰變和兩次衰變后,核內(nèi)中子數(shù)減少個
D. 射線的電離作用很強,可用來消除有害靜電
【答案】C
【解析】試題分析:核反應(yīng)過程中發(fā)生質(zhì)量虧損會釋放能量.半衰期的長短是由原子核內(nèi)部本身的因素決定的,與原子所處的物理、化學(xué)狀態(tài)無關(guān).知道原子核衰變質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒.
中子和質(zhì)子結(jié)合成氘核時,質(zhì)量虧損會釋放能量,A錯誤;半衰期的長短是由原子核內(nèi)部本身的因素決定的,與原子所處的物理、化學(xué)狀態(tài)無關(guān),B錯誤;某原子核經(jīng)過一次α衰變,電荷數(shù)減小2,質(zhì)量數(shù)減小4,一次β衰變后電荷數(shù)增加1,質(zhì)量數(shù)不變,所以經(jīng)過一次α衰變和兩次β衰變后,質(zhì)量數(shù)減小4,電荷數(shù)不變.所以核內(nèi)中子數(shù)減少4個,C正確;γ射線是高能光子,即高能電磁波,它是不帶電的,所以γ射線的電離作用很弱,D錯誤.
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【題目】同相對論一起構(gòu)成現(xiàn)代物理學(xué)的基本理論框架的是
A. 牛頓力學(xué)體系 B. 量子理論
C. 進(jìn)化論 D. 細(xì)胞學(xué)說
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【題目】質(zhì)量m=200g的物體,測得它的加速度a=20cm/s2,則關(guān)于它所受的合力的大小及單位,下列運算既正確又符合一般運算要求的是
A. F=200×20=4000N B. F=0.2×20=4N
C. F=0.2×0.2=0.04 D. F=0.2×0.2 N =0.04N
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【題目】一勁度系數(shù)k="800" N/m的輕質(zhì)彈簧兩端分別連接著質(zhì)量均為12 kg的物體A、B,將它們豎直靜止放在水平面上,如圖所示,F(xiàn)將一豎直向上的變力F作用在A上,使A開始向上做勻加速運動,經(jīng)0.40 s物體B剛要離開地面。g ="10" m/s2,試求:
(1)物體B剛要離開地面時,A物體的速度vA;
(2)此過程中物體A重力勢能的改變量。
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【題目】質(zhì)量為2kg的小鐵球從某一高度由靜止釋放,經(jīng)3s到達(dá)地面,不計空氣阻力,g取10m/s2。則( )
A. 2s末重力的瞬時功率為200W
B. 2s末重力的瞬時功率為400W
C. 2s內(nèi)重力的平均功率為200W
D. 2s內(nèi)重力的平均功率為400W
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【題目】如圖所示,足夠長的斜面與水平面的夾角為,空間中自上而下依次分布著垂直斜面向下的勻強磁場區(qū)域Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、……、n,相鄰兩個磁場的間距均為.一邊長、質(zhì)量、電阻的正方形導(dǎo)線框放在斜面的頂端,導(dǎo)線框的下邊距離磁場Ⅰ的上邊界為,導(dǎo)線框與斜面間的動摩擦因數(shù).將導(dǎo)線框由靜止釋放,導(dǎo)線框在每個磁場區(qū)域中均做勻速直線運動.已知重力加速度, , ,求:
(1)導(dǎo)線框進(jìn)入磁場Ⅰ時的速度;
(2)磁場Ⅰ的磁感應(yīng)強度;
(3)磁場區(qū)域n的磁感應(yīng)強度與的函數(shù)關(guān)系.
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【題目】如圖所示,兩塊平行金屬板M、N豎直放置,兩板間的電勢差U=1.5×103V,現(xiàn)將一質(zhì)量m=1×10-2kg、電荷量q=4×10-5C的帶電小球從兩板上方的A點以v0=4 m/s的初速度水平拋出(A點距兩板上端的高度h=20 cm),之后小球恰好從靠近M板上端處進(jìn)入兩板間,沿直線運動碰到N板上的B點,不計空氣阻力,g取10 m/s2,求:
(1)B點到N板上端的距離l。
(2)小球到達(dá)B點時的動能Ek
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【題目】下列說法正確的是
A. 很小的物體(比如原子核)一定能看成質(zhì)點
B. 相對地面靜止不動的物體才能被選定為參考系
C. 物體在5 s時,指的是物體在5 s末這一時刻
D. 物體速度越大越不容易停下,是因為物體速度越大慣性越大
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