質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時(shí)的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電

B．粒子一定帶負(fù)電

C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

 

【答案】

AC

【解析】由左手定則可判斷，A對(duì)；半徑為x/2，由可知C對(duì)；

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時(shí)的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x，則以下說法正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時(shí)的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x，則以下說法正確的是（　�。�
A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負(fù)電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小
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科目：高中物理 來源：2012年廣東省珠海一中高考物理模擬試卷（解析版） 題型：選擇題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時(shí)的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x，則以下說法正確的是（ ）

A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負(fù)電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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科目：高中物理 來源：2012屆廣東省惠州市高三4月模擬考試?yán)砜凭C合物理試卷（帶解析） 題型：單選題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時(shí)的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場(chǎng)加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負(fù)電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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