Question

下列說(shuō)法中正確的是（　　）

• A、當(dāng)分子間的距離小于r0時(shí)，分子勢(shì)能隨著分子間距離的減小而減小
• B、制作晶體管、集成電路只能用單晶體
• C、在一定溫度下，飽和汽的分子數(shù)密度是一定的，飽和汽壓強(qiáng)也是一定的
• D、一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的宏觀自然過(guò)程都是不可逆的
• E、一定質(zhì)量的理想氣體，溫度升髙，其內(nèi)能可能不變

Answer 1

分析：由分子力做正功分子勢(shì)能減小可判定A．
晶體管、集成電路要求材料的內(nèi)部分子排列必須是有序的．
飽和氣壓和分子密度都與溫度有關(guān)．
由熱力學(xué)第二定律可判定D．
理想氣體不考慮分子勢(shì)能．

解答：解：
A、當(dāng)分子間的距離小于r₀時(shí)，分子力表現(xiàn)為斥力，此時(shí)距離減小，分子力做負(fù)功，分子勢(shì)能增加，故A錯(cuò)誤．
B、晶體管、集成電路要求材料的內(nèi)部分子排列必須是有序的，多晶體和非晶體內(nèi)部分子排列沒(méi)有次序，故只能用單晶體，故B正確．
C、飽和氣壓與分子密度都和溫度有關(guān)，在一定溫度下，飽和汽的分子數(shù)密度是一定的，飽和汽壓強(qiáng)也是一定的，故C正確．
D、由熱力學(xué)第二定律可知，一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的宏觀自然過(guò)程都是不可逆的，故D正確．
E、理想氣體不考慮分子勢(shì)能，一定質(zhì)量的理想氣體，溫度升髙，說(shuō)明內(nèi)能一定增加，故E錯(cuò)誤．
故選：BCD．

點(diǎn)評(píng)：要掌握分子力與距離的關(guān)系；知道晶體和非晶體，多晶體的區(qū)別；掌握熱力學(xué)第二定律．