Question

如圖1-3-2所示，一帶電荷量為q的金屬球，固定在絕緣的支架上，這時(shí)球外P點(diǎn)的電場強(qiáng)度為 E₀.當(dāng)把一電荷量也是q的點(diǎn)電荷放在P點(diǎn)時(shí)，測得點(diǎn)電荷受到的靜電力為F₁；當(dāng)把一電荷量為 aq的點(diǎn)電荷放在P點(diǎn)時(shí)，測得作用在這個(gè)點(diǎn)電荷的靜電力為F₂.則在國際單位制中（    ）

圖1-3-2

A．F₁的數(shù)值等于qE₀                                   B．F₂的數(shù)值等于aF₁

C．a(chǎn)比1小得越多，F(xiàn)₂的數(shù)值越接近aqE₀        D．a(chǎn)比1小得越多，F(xiàn)₂的數(shù)值越接近aF₁

Answer 1

思路分析：本題涉及的問題是是否能將放入P點(diǎn)的點(diǎn)電荷看作試探電荷．顯然，當(dāng)引入電荷的電荷量也為q時(shí)，它對金屬球表面的電荷分布會(huì)帶來影響，這個(gè)電荷不能作為試探電荷，它改變了金屬球作為帶電體在空間中產(chǎn)生電場的分布，因此，P點(diǎn)的場強(qiáng)會(huì)因引入q而發(fā)生變化，不再為 E₀，則A錯(cuò).當(dāng)置于P點(diǎn)電荷的電荷量為aq時(shí)，金屬球電荷的分布情況發(fā)生變化，故P點(diǎn)的場強(qiáng)發(fā)生改變，即在兩種情況下所受電場力與帶電荷量都不成正比，故B錯(cuò)誤.a比1小得越多，aq電荷對金屬球的表面電荷分布影響越小，該處的電場強(qiáng)度越接近E₀，此時(shí)F的值越接近aqE₀.

答案：C