（8分）（1）下列核反應(yīng)方程，正確的是            ．(填選項前的編號)

A． 是聚變

B． 是裂變

C．，符號“X”表示中子

D．，符號“X”表示中子

（2）質(zhì)量為 M 的木塊在光滑水平面上以速率 v1向右運動，質(zhì)量為 m 的子彈以速率 v2 水平向左射入木塊，假設(shè)子彈射入木塊后均未穿出，且在第 N 顆子彈射入后，木塊恰好停下來，求 N 的數(shù)值．

 

【答案】

（1）BC

（2）N=

【解析】（1）BC（4分）

（2）取水平向右為正方向，對木塊與N顆子彈組成的系統(tǒng)，由動量守恒定律；得

   ∴Mv-Nmv2 =0   （2分）

   N=（2分）

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

2007年3月1日，國家重大科學(xué)工程項引"EAST超導(dǎo)托卡馬克核聚變實驗裝置"在合肥順利通過了國家發(fā)改委組織的國家竣工驗收．作為核聚變研究的實驗設(shè)備，EAST可為未來的聚變反應(yīng)堆進行較深入的工程和物理方面的探索，其目的是建成一個核聚變反應(yīng)堆，屆時從l升海水中提取氫的同位素氘。在這里和氚發(fā)生完全的核聚變反應(yīng)，釋放可利用能量相當(dāng)于燃燒300公升汽油所獲得的能量．這就相當(dāng)于人類為自己制造了一個小太陽�？梢缘玫綗o窮盡的清潔能源．作為核聚變研究的實驗設(shè)備，要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)，必須把溫度高達幾百萬攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi)，約束的辦法有多種．其中技術(shù)上相對較成熟的是用磁場約束核材料．

    如圖所示為EAST部分裝置的簡化模型：垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強磁場b區(qū)域，圍著磁感應(yīng)強度為零的圓形a區(qū)域,a區(qū)域內(nèi)的離子向各個方向運動。離子的速度只要不超過某值，就不能穿過環(huán)形磁場的外邊界而逃逸，從而被約束．設(shè)離子質(zhì)量為m，電荷量為q，環(huán)形磁場的內(nèi)半徑為  ，外半徑  ．

(1)將下列核反應(yīng)方程補充完整，指出哪個屬于核聚變方程．并求出聚變過程中釋放的核能  ．已知  的質(zhì)量為，  的質(zhì)量為。粒子的質(zhì)量為

    的質(zhì)量為  質(zhì)子質(zhì)量為  ，電子質(zhì)量為，光速為c

   

(2)若要使從a區(qū)域沿任何方向，速率為v 的離子射入磁場時都不能越出磁場的

  外邊界，則b區(qū)域磁場的磁感應(yīng)強度至少為多大?

(3)若b區(qū)域內(nèi)磁場的磁感應(yīng)強度為B．離子從a區(qū)域中心o點沿半徑OM方向

    以某一速度射入b區(qū)域，恰好不越出磁場的外邊界．請畫出在該情況下離子在

a b區(qū)域內(nèi)運動一個周期的軌跡，并求出周期．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（8分）（1）下列核反應(yīng)方程，正確的是           ．(填選項前的編號)

A． 是聚變

B． 是裂變

C．，符號“X”表示中子

D．，符號“X”表示中子

（2）質(zhì)量為 M 的木塊在光滑水平面上以速率 v1向右運動，質(zhì)量為 m 的子彈以速率 v2 水平向左射入木塊，假設(shè)子彈射入木塊后均未穿出，且在第 N 顆子彈射入后，木塊恰好停下來，求 N 的數(shù)值．

 

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科目：高中物理 來源：2013屆湖南省高二下學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：填空題

(1)在下列核反應(yīng)方程中，x代表質(zhì)子的方程是           

A．+→   B．+→   

C．→+     D．+→   

（2）當(dāng)具有5.0 eV能量的光子照射到某金屬表面后，從金屬表面逸出的光電子的最大初動能是1.5 eV。為了使該金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)，入射光子的最低能量為         

A．3.5 eV         B．1.5 eV           C．5.0 eV           D．6.5 eV

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年湖南省望城一中高二下學(xué)期期末考試物理試卷（帶解析） 題型：填空題

(1)在下列核反應(yīng)方程中，x代表質(zhì)子的方程是           
A．+→   B．+→   
C．→+     D．+→   
（2）當(dāng)具有5.0 eV能量的光子照射到某金屬表面后，從金屬表面逸出的光電子的最大初動能是1.5 eV。為了使該金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)，入射光子的最低能量為        
A．3.5 eV         B．1.5 eV           C．5.0 eV           D．6.5 eV

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