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科目: 來源:湖北省期中題 題型:不定項選擇

如圖所示,在真空中的A、B兩點分別放置等量異種點電荷,在A、B兩點間取一正五角星形路徑abcdefghija,五角星的中心O與A、B的中點重合,其中af連線與AB連線垂直,F(xiàn)有一電子沿該路徑逆時針移動一周,下列判斷正確的是
[     ]
A.a(chǎn)點和f點的電勢相等
B.b點和j點的電場強度相同
C.電子從e點移到f點的過程中,電勢能減。粡膄點移到g點的過程中,電勢能增大
D.若A、B兩點處的點電荷電荷量都變?yōu)樵瓉淼?倍,則A、B連線中點O點的場強也變?yōu)樵瓉淼?倍

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科目: 來源:陜西省期中題 題型:不定項選擇

如圖所示,平行線代表電場線,但未標明方向,一個帶正電、電量為10-6 C的微粒在電場中僅受電場力作用,當它從A點運動到B點時動能增加了10-5 J,已知A點的電勢為-10 V,則以下判斷正確的是
[     ]
A.微粒的運動軌跡如圖中的虛線1所示
B.微粒的運動軌跡如圖中的虛線2所示
C.B點電勢為零                    
D.B點電勢為-20 V

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科目: 來源:不詳 題型:多選題

半導體靠自由電子(帶負電)和空穴(相當于帶正電)導電,分為p型和n型兩種.p型半導體中空穴為多數(shù)載流子;n型半導體中自由電子為多數(shù)載流子.現(xiàn)在一個學生研究小組用以下實驗可以判定一塊半導體材料是p型還是n型:將材料放在勻強磁場中,通以圖示方向的電流I,用電壓表比較上表面M和下表面N的電勢高低,則( 。
A.若M電勢高,就是p型半導體
B.若M電勢高,就是n型半導體
C.若N電勢高,就是p型半導體
D.若N電勢高,就是n型半導體
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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,虛線a、b、c、d表示勻強電場中的4個等勢面.兩個帶電粒子M、N(重力忽略不計)以平行于等勢面的初速度射入電場,運動軌跡分別如圖中MPN和NQM所示.己知M是帶正電的帶電粒子.則
( 。
A.N一定也帶正電
B.a(chǎn)等勢面的電勢高于b等勢面的電勢
C.帶電粒子N的動能減小,電勢能增大
D.帶電粒子M的動能減小,電勢能增大
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科目: 來源:不詳 題型:單選題

在一勻強電場區(qū)域中,有A、B、C、D四點恰好位于一平行四邊形的四個頂點上,已知A、B、C三點電勢分別為φA=1V,φB=4V,φC=0,則D點電勢φD大小為( 。
A.-3VB.2VC.0D.1V
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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列說法中正確的是( 。
A.電荷在電場中電勢高的地方,具有的電勢能一定大?
B.在電場中電勢相等的地方,場強也一定相等?
C.不帶電的物體,電勢一定為零
D.電勢為零的物體,可能帶電

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科目: 來源:不詳 題型:多選題

下列關于電勢高低的判斷,正確的是(  )
A.負電荷從A移到B時,外力做負功,A點的電勢一定較高
B.負電荷從A移到B時,電勢能增加,A點的電勢一定較低
C.正電荷從A移到B時,其電勢能增加,A點的電勢一定較低
D.正電荷只在電場力作用下從A移到B,A點的電勢一定較高

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科目: 來源:不詳 題型:多選題

如圖所示,實直線是某電場中一條電場線,虛線是兩條該電場的等勢線,由圖可以得出的正確結論是( 。
A.UM>UN
B.EM>EN
C.由M向N移動電荷時,電勢能的改變量與零電勢選取無關
D.某電荷在M點或N點的電勢能與零電勢的選取無關
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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,實線表示勻強電場的電場線.一個帶正電荷的粒子以某一速度射入勻強電場,只在電場力作用下,運動的軌跡如圖中的虛線所示,a、b為軌跡上的兩點.則下列說法正確的是(  )
A.場強方向一定向左
B.a(chǎn)點電勢比b點電勢高
C.從a到b電場力做負功
D.該電荷在a點的電勢能小于在b點的電勢能
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科目: 來源:金山區(qū)模擬 題型:填空題

在物理學中,我們常用比值法來定義物理量,用此方法反映的是物質(zhì)或運動的某一屬性,與定義式中的各物理量無關,例如電阻R=U/I.請你根據(jù)已經(jīng)學過的中學物理知識再寫出四個用比值法定義的物理量:______、______、______、______.

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同步練習冊答案