科目： 來源：不詳 題型：多選題

如圖所示，虛線a、b、c代表靜電場(chǎng)中的三個(gè)等勢(shì)面，它們的電勢(shì)分別為φ_a、φ_b和φ_c，φ_a＞φ_b＞φ_c．一帶正電的粒子射入電場(chǎng)中，其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中實(shí)線KLMN所示．由圖可知（　�。�

A．粒子從K到L的過程中，電場(chǎng)力做正功

B．粒子從L到M的過程中，電場(chǎng)力做負(fù)功

C．粒子從K到L的過程中，電勢(shì)能增加

D．粒子從L到M的過程中，動(dòng)能增加

科目： 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，實(shí)線是等量異種點(diǎn)電荷所形成的電場(chǎng)中每隔一定電勢(shì)差所描繪的等勢(shì)線．現(xiàn)有外力移動(dòng)一個(gè)帶正電的試探電荷，下列過程中該外力所做正功最多的是（　�。�

A．從A移到B

B．從C移到D

C．從D移到E

D．從E移到F

科目： 來源：不詳 題型：多選題

如圖所示，真空中有一個(gè)固定的點(diǎn)電荷，電荷量為+Q，虛線表示該點(diǎn)電荷電場(chǎng)中的等勢(shì)面．兩個(gè)一價(jià)離子M、N（不計(jì)重力和它們之間的庫(kù)侖力）先后從a點(diǎn)以相同的速率v?射入該電場(chǎng)，運(yùn)動(dòng)軌跡分別為曲線alb和arc，其中p、q分別是它們離固定點(diǎn)電荷最近的位置．下列說法中正確的是（　�。�

A．M是負(fù)離子，N是正離子

B．M在P點(diǎn)的速率大于N在q點(diǎn)的速率

C．M在b點(diǎn)的速率等于N在c點(diǎn)的速率

D．M從p→b過程電場(chǎng)力做的功等于N從a→q過程電場(chǎng)力做的功

科目： 來源：不詳 題型：單選題

一帶電粒子只在電場(chǎng)力的作用下沿圖中曲線從J到K穿過一勻強(qiáng)電場(chǎng)，a、b、c、d為該電場(chǎng)的等勢(shì)面，其中有φ_a＜φ_b＜φ_c＜φ_d，若不計(jì)粒子的重力，可以確定（　�。�

A．粒子帶正電

B．從J到K粒子的電勢(shì)能增加

C．粒子帶負(fù)電

D．粒子從J到K運(yùn)動(dòng)過程中的動(dòng)能與電勢(shì)能之和可能增加

科目： 來源：不詳 題型：多選題

圖中展示了等量異種點(diǎn)電荷的電場(chǎng)和等勢(shì)面．關(guān)于場(chǎng)中的A、B、C、D四點(diǎn)，下列說法中正確的是（　　）

A．A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)和場(chǎng)強(qiáng)都相同

B．A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相同，電勢(shì)不同

C．中垂線上的C、D兩點(diǎn)的電勢(shì)和場(chǎng)強(qiáng)都不同

D．中垂線上的C、D兩點(diǎn)的電勢(shì)相同，場(chǎng)強(qiáng)不同

科目： 來源：不詳 題型：單選題

科目： 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，虛線a、b、c代表電場(chǎng)中的三個(gè)等勢(shì)面，實(shí)線為一帶正電的粒子僅在電場(chǎng)力作用下通過該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡，P、M為這軌跡上的兩個(gè)點(diǎn)，由此可知（　�。�

A．三個(gè)等勢(shì)面中，a電勢(shì)最高

B．粒子在P點(diǎn)比在M點(diǎn)時(shí)加速度大

C．粒子在M點(diǎn)比在P點(diǎn)時(shí)動(dòng)能大

D．粒子在P點(diǎn)比在M點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能較小

科目： 來源：河南模擬 題型：單選題

研究表明，無限大的均勻帶電平板都帶有均勻的等量異號(hào)電荷，把它們正交放置．理論研究表明，無限大的均勻帶電平板在周圍空間會(huì)形成與平面垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)．設(shè)電荷在相互作用時(shí)不移動(dòng)，則圖中能正確反映正交區(qū)域等勢(shì)面分布情況的是（　�。�

A．

B．

C．

D．

科目： 來源：不詳 題型：填空題

如圖所示，水平方向的平行線表示勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)線，但未標(biāo)明方向．電場(chǎng)中有一個(gè)帶正電荷的微粒，電量為10^-5 C，若該帶電微粒僅受電場(chǎng)力的作用，從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)時(shí)，動(dòng)能減少了10^-3 J，則該電荷運(yùn)動(dòng)軌跡應(yīng)為虛線______（選“a”或“b”）；若選擇M點(diǎn)所在的等勢(shì)面為零勢(shì)面，則N點(diǎn)電勢(shì)為______V．

科目： 來源：不詳 題型：多選題

如圖所示，A、B、C、D為勻強(qiáng)電場(chǎng)中相鄰的四個(gè)等勢(shì)面，一個(gè)電子垂直經(jīng)過等勢(shì)面D時(shí)，動(dòng)能為20eV，飛經(jīng)等勢(shì)面C時(shí)電勢(shì)能為-10eV，飛經(jīng)等勢(shì)面B時(shí)，速度恰好為零．已知相鄰等勢(shì)面間的距離為10cm，則下列說法正確的是（　�。�

A．等勢(shì)面A的電勢(shì)為-10V

B．勻強(qiáng)電場(chǎng)為100V/m

C．各等勢(shì)面電勢(shì)的高低關(guān)系為φA＞φB＞φC＞φD

D．電子的運(yùn)動(dòng)為勻變速直線運(yùn)動(dòng)