如圖2，一質(zhì)量為m的條形磁鐵用細(xì)線(xiàn)懸掛在天花板上，細(xì)線(xiàn)從一水平金屬環(huán)中穿過(guò)�，F(xiàn)將環(huán)從位置Ⅰ釋放，環(huán)經(jīng)過(guò)磁鐵到達(dá)位置Ⅱ。設(shè)環(huán)經(jīng)過(guò)磁鐵上端和下端附近時(shí)細(xì)線(xiàn)的張力分別為T₁和T₂，重力加速度大小為g，則(　　)

圖2

A．T₁>mg，T₂>mg

B．T₁<mg，T₂<mg

C．T₁>mg，T₂<mg

D．T₁<mg，T₂>mg

如圖1所示，一條形磁鐵從左向右勻速穿過(guò)線(xiàn)圈，當(dāng)磁鐵經(jīng)過(guò)A、B兩位置時(shí)，線(xiàn)圈中(　　)

圖1

A．感應(yīng)電流方向相同，感應(yīng)電流所受作用力的方向相同

B．感應(yīng)電流方向相反，感應(yīng)電流所受作用力的方向相反

C．感應(yīng)電流方向相反，感應(yīng)電流所受作用力的方向相同

D．感應(yīng)電流方向相同，感應(yīng)電流所受作用力的方向相反

如圖14所示，第四象限內(nèi)有互相正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)E與勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₁，E的大小為1.5×10³ V/m，B₁大小為0.5 T；第一象限的某個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，有方向垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的下邊界與x軸重合。一質(zhì)量m＝1×10^－14 kg，電荷量q＝2×10^－10 C的帶正電微粒以某一速度v沿與y軸正方向或60°角的M點(diǎn)射入，沿直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，經(jīng)P點(diǎn)后即進(jìn)入處于第一象限內(nèi)的磁場(chǎng)B₂區(qū)域。一段時(shí)間后，微粒經(jīng)過(guò)y軸上的N點(diǎn)并沿與y軸正方向成60°角的方向飛出。M點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，－10)，N點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,30)，不計(jì)微粒重力，g取10 m/s²。則求：

圖14

(1)微粒運(yùn)動(dòng)速度v的大��；

(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₂的大�。�

(3)B₂磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積。

如圖13所示，一個(gè)板長(zhǎng)為L，板間距離也是L的平行板電容器上極板帶正電，下極板帶負(fù)電，在極板右邊的空間里存在著垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。有一質(zhì)量為m，重力不計(jì)，帶電量為－q的粒子從極板正中間以初速度為v₀水平射入，恰能從上極板邊緣飛出又能從下極板邊緣飛入，求：

圖13

(1)兩極板間勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小和方向；

(2)－q粒子飛出極板時(shí)的速度v的大小與方向；

(3)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P^＋和P^3＋，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖12所示。已知離子P^＋在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ＝30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P^＋和P^3＋(　　)

圖12

A．在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1

B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為 ∶1

C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2

D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3

如圖10所示為一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為＋q的圓環(huán)，可在水平放置的足夠長(zhǎng)的粗糙細(xì)桿上滑動(dòng)，細(xì)桿處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，不計(jì)空氣阻力，現(xiàn)給圓環(huán)向右的初速度v₀，在以后的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，圓環(huán)運(yùn)動(dòng)的速度圖像可能是圖11中的(　　)

圖10

圖11

如圖9所示，兩平行、正對(duì)金屬板水平放置，使上面金屬板帶上一定量正電荷，下面金屬板帶上等量的負(fù)電荷，再在它們之間加上垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一個(gè)帶電粒子以初速度v₀沿垂直于電場(chǎng)和磁場(chǎng)的方向從兩金屬板左端中央射入后向上偏轉(zhuǎn)。若帶電粒子所受重力可忽略不計(jì)，仍按上述方式將帶電粒子射入兩板間，為使其向下偏轉(zhuǎn)，下列措施中可能可行的是(　　)

圖9

A．僅增大帶電粒子射入時(shí)的速度

B．僅增大兩金屬板所帶的電荷量

C．僅減小粒子所帶電荷量

D．僅改變粒子的電性

物體導(dǎo)電是由其中的自由電荷定向移動(dòng)引起的，這些可以移動(dòng)的自由電荷又叫載流子。金屬導(dǎo)體的載流子是自由電子，現(xiàn)代廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料分為兩大類(lèi)：一類(lèi)是N型半導(dǎo)體，它的載流子為電子；另一類(lèi)是P型半導(dǎo)體，它的載流子為“空穴”，相當(dāng)于帶正電的粒子，如果把某種材料制成的長(zhǎng)方體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向如圖8所示，且與前后側(cè)面垂直，長(zhǎng)方體中通有方向水平向右的電流，設(shè)長(zhǎng)方體的上下表面M、N的電勢(shì)分別為φ_M和φ_N，則下列判斷中正確的是(　　)

圖8

A．如果是P型半導(dǎo)體，有φ_M>φ_N

B．如果是N型半導(dǎo)體，有φ_M<φ_N

C．如果是P型半導(dǎo)體，有φ_M<φ_N

D．如果是金屬導(dǎo)體，有φ_M>φ_N

如圖7所示，在x軸上方存在垂直紙面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，x軸下方存在垂直紙面向外的磁感應(yīng)強(qiáng)度為的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一帶負(fù)電的粒子從原點(diǎn)O以與x軸成30°角斜向上射入磁場(chǎng)，且在上方運(yùn)動(dòng)半徑為R。不計(jì)重力，則(　　)

圖7

A．粒子經(jīng)偏轉(zhuǎn)一定能回到原點(diǎn)O

B．粒子在x軸上方和下方兩磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為2∶1

C．粒子完成一次周期性運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為

D．粒子第二次射入x軸上方磁場(chǎng)時(shí)，沿x軸前進(jìn)3R

如圖6所示的虛線(xiàn)區(qū)域內(nèi)，充滿(mǎn)垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶電粒子a(不計(jì)重力)以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域，恰好沿直線(xiàn)由區(qū)域右邊界的O′點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)而保留電場(chǎng)不變，另一個(gè)同樣的粒子b(不計(jì)重力)仍以相同初速度由O點(diǎn)射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b(　　)

圖6

A．穿出位置一定在O′點(diǎn)下方

B．穿出位置一定在O′點(diǎn)上方

C．運(yùn)動(dòng)時(shí)，在電場(chǎng)中的電勢(shì)能一定減小

D．在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，動(dòng)能一定減小