如圖甲所示，R為電阻箱，為理想電流表，電源的電動(dòng)勢為E，內(nèi)阻為r．圖乙為電源的輸出功率P與電流表示數(shù)I的關(guān)系圖象，其中功率P₀分別對應(yīng)電流I₁、I₂，外電阻R₁、R₂．則=        ； R₁、R₂與r的關(guān)系為            （選填“”“”“”）

一線膨脹系數(shù)為α的正立方體物塊,當(dāng)膨脹量較小時(shí),其體膨脹系數(shù)等于      

如圖所示為a、b兩部分氣體的等壓過程圖象，由圖可知．當(dāng)t=0℃時(shí)，氣體a的體積為　   　m³；當(dāng)t=273℃時(shí)，氣體a的體積比氣體b的體積大　  　m³．

如圖所示，一滑板B靜止在水平面上，上表面所在平面與固定于豎直平面內(nèi)、半徑為R的1/4圓形光滑軌道相切于Q。一物塊A從圓形軌道與圓心等高的P點(diǎn)無初速度釋放，當(dāng)物塊經(jīng)過Q點(diǎn)滑上滑板之后即刻受到大小F=2μmg、水平向左的恒力持續(xù)作用。已知物塊、滑板的質(zhì)量均為m，滑板與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ，物塊與滑板間的動(dòng)摩擦因數(shù)3μ，物塊可視為質(zhì)點(diǎn)，重力加速度取g.

  （1）求物塊滑到Q點(diǎn)的速度大�。�

  （2）通過計(jì)算判斷物塊在滑板上滑行過程中，滑板是否滑動(dòng)；

  （3）滑板足夠長,求物塊A與滑板B之間產(chǎn)生的內(nèi)能？

如圖1所示，寒假前，某同學(xué)利用DIS系統(tǒng)對封閉在注射器內(nèi)的一定質(zhì)量的氣體作了兩次等溫過程的研究．第一次是在室溫下通過推、拉活塞改變氣體體積，并記錄體積和相應(yīng)的壓強(qiáng)；第二次在較高溫度環(huán)境下重復(fù)這一過程．

（1）結(jié)束操作后，該同學(xué)繪制了這兩個(gè)等溫過程的p﹣1/V關(guān)系圖線，如圖．則反映氣體在第二次實(shí)驗(yàn)中的p﹣1/V關(guān)系圖線的是　1　（選填“1”或“2”）；

（2）該同學(xué)是通過開啟室內(nèi)暖風(fēng)空調(diào)實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度升高的．在這一過程中，注射器水平地放置在桌面上，活塞可以自由伸縮，管內(nèi)的氣體經(jīng)歷了一個(gè)　等壓　（選填“等壓”“等溫”或“等容”）的變化過程．

理論證明：衛(wèi)星圍繞中心天體以速度v做勻速圓周運(yùn)動(dòng)時(shí)，如果將衛(wèi)星速度突然增大到 v，衛(wèi)星就可以擺脫中心天體的引力．由于萬有引力和點(diǎn)電荷之間的庫侖力均與距離平方成反比，所以，電子圍繞原子核的運(yùn)動(dòng)與衛(wèi)星的運(yùn)動(dòng)是相似的．有一質(zhì)量為m、電量為-e的電子圍繞電量為Q的原子核在半徑為r的圓周上做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，受到光的照射，電子吸收能量從而脫離原子核的吸引．回答下列問題：
（1）電子繞原子核在半徑為r的圓周上做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的速度是多大？
（ 2 ） 電子繞原子核在半徑為r的圓周上做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期是多大？
（3）電子至少吸收多大能量才能脫離原子核的吸引？

如圖所示，光滑水平臺(tái)面MN上放兩個(gè)相同小物塊A、B，右端N處與水平傳送帶理想連接，傳送帶水平部分長度L=8m，沿逆時(shí)針方向以恒定速度v₀=2m/s勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。物塊A、B（大小不計(jì)，視作質(zhì)點(diǎn)）與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)均為μ=0.2，物塊A、B質(zhì)量均為m=1kg。開始時(shí)A、B靜止，A、B間壓縮一輕質(zhì)短彈簧�，F(xiàn)解除鎖定，彈簧彈開A、B，彈開后B滑上傳送帶，A掉落到地面上的Q點(diǎn)，已知水平臺(tái)面高h(yuǎn)=0.8m，Q點(diǎn)與水平臺(tái)面間右端間的距離S=1.6m，g取10m/s²。

（1）求物塊A脫離彈簧時(shí)速度的大小；

（2）求彈簧儲(chǔ)存的彈性勢能；

（3）求物塊B在水平傳送帶上運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

如圖所示，PQ 右側(cè)平面區(qū)域分布 N 個(gè)足夠大條形磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的勻強(qiáng)磁場，方向垂直紙面向里，相鄰磁場區(qū)域的距離為 s。左側(cè)存在一個(gè)加速電場，A 板為加速電場正極板，B 板為負(fù)極板，極板間電壓為 U，質(zhì)量 m、帶正電量為 q 的粒子從 A 板靜止釋放加速后垂直射入磁場（重力不計(jì)）。

（1）試求粒子在磁場區(qū)域做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑；

（2）粒子恰好經(jīng)過右邊第二個(gè)磁場區(qū)域的右邊界后返回，最終垂直 PQ 邊界離開磁場，試求從粒子進(jìn)入磁場到返回邊界 PQ 所用的時(shí)間；

（3）若要求粒子經(jīng)過右邊第 N 個(gè)磁場后再返回通過邊界 PQ，試求加速電場的電壓應(yīng)該調(diào)節(jié)到多大。

如圖所示，半徑為R=0.4m的光滑圓弧軌道AB與粗糙的水平軌道BO相切于B點(diǎn)，一帶電量q=+0.2C質(zhì)量m=0.4kg的小物塊從A點(diǎn)由靜止釋放，經(jīng)過BO后以v =1 m/s的速度從O點(diǎn)水平拋出，擊中右下側(cè)擋板上的P點(diǎn)。以O為原點(diǎn)在豎直面內(nèi)建立如圖所示的平面直角坐標(biāo)系，擋板形狀滿足方程 （x和y的單位均為m），在y軸的左側(cè)區(qū)域存在豎直向下的勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)E=20V/m，小物塊與軌道BO間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ = 0.1，g 取10 m/s²。求

（1）小物塊經(jīng)過B點(diǎn)時(shí)對軌道的壓力大小

（2）水平軌道BO的長度

（3）P點(diǎn)的坐標(biāo)

如圖所示,一水平放置的厚度為l折射率為n的平行玻璃磚,下表面鍍銀(成反射鏡).一物點(diǎn)A位于玻璃磚的上方距玻璃磚的上表面為h處。觀察者在左點(diǎn)附近看到了A點(diǎn)像。A點(diǎn)的像到A點(diǎn)的距離等于多少?不考慮光經(jīng)玻璃磚上表面的反射.