放在粗糙水平地面上的物體受到水平拉力的作用，在0～6s內(nèi)其速度與時間的圖象和該拉力的功率與時間的圖象如圖所示．下列說法正確的是（　　）

　 A． 物體的質(zhì)量為kg

　 B． 滑動摩擦力的大小為5N

　 C． 0～6s內(nèi)物體的位移大小為40m

　 D． 0～6s內(nèi)拉力做的功為20J

如圖所示，直線MN是某電場中的一條電場線（方向未畫出）．虛線是一帶電的粒子只在電場力的作用下，由a運動到b的運動軌跡，軌跡為一拋物線．下列判斷正確的是（　　）

　 A． 電場線MN的方向一定是由N指向M

　 B． 帶電粒子由a運動到b的過程中動能不一定增加

　 C． 帶電粒子在a點的電勢能一定大于在b點的電勢能

　 D． 帶電粒子在a點的加速度一定大于在b點的加速度

如圖所示，小張同學(xué)左手抓起一籃球，手臂處于水平狀態(tài)，當(dāng)籃球與手臂都靜止時，下列說法正確的是（　　）

　 A． 手對籃球的作用力等于籃球的重力

　 B． 手對籃球的作用力大于籃球的重力

　 C． 手對籃球的作用力大于籃球?qū)κ值淖饔昧?/p>

　 D． 手對籃球的摩擦一定等于籃球的重力

如圖所示，一質(zhì)量m₁=0.45kg的平頂小車靜止在光滑的水平軌道上．車頂右端放一質(zhì)量m₂=0.4kg的小物體，小物體可視為質(zhì)點．現(xiàn)有一質(zhì)量m₀=0.05kg的子彈以水平速度v₀=100m/s射中小車左端，并留在車中，已知子彈與車相互作用時間極短，小物體與車間的動摩擦因數(shù)為μ=0.5，最終小物體以5m/s的速度離開小車．g取10m/s²．求：

①子彈從射入小車到相對小車靜止的過程中對小車的沖量大�。�

②小車的長度．

下列說法正確的是（　�。�

　 A． Th經(jīng)過6次α衰變和4次β衰變后成為穩(wěn)定的原子核Pb

　 B． 在核反應(yīng)堆中，為使快中子減速，在鈾棒周圍要放“慢化劑”，常用的慢化劑有石墨、重水和普通水

　 C． 當(dāng)用藍色光照射某金屬表面時有電子逸出，則改用紅光照射也一定會有電子逸出

　 D． 將由放射性元素組成的化合物進行高溫分解，會改變該放射性元素的半衰期

　 E． 原子從a能級狀態(tài)躍遷到b能級狀態(tài)時發(fā)射波長為λ₁的光子；原子從b能級狀態(tài)躍遷到c能級狀態(tài)時吸收波長為λ₂的光子，已知λ₁＞λ₂．那么原子從a能級狀態(tài)躍遷到到c能級狀態(tài)時將要吸收波長為的光子

半徑為R的固定半圓形玻璃磚的橫截面如圖所示，O點為圓心，OO′為直徑MN的垂線．足夠大的光屏PQ緊靠在玻璃磚的右側(cè)且與MN垂直．一束復(fù)色光沿半徑方向與OO′成θ=30°角射向O點，已知復(fù)色光包含有折射率從n₁=到n₂=的光束，因而光屏上出現(xiàn)了彩色光帶．

（�。┣蟛噬�光帶的寬度；

（ⅱ）當(dāng)復(fù)色光入射角逐漸增大時，光屏上的彩色光帶將變成一個光點，求θ角至少為多少？

如圖所示是一列簡諧波在t=0時的波形圖象，波速為v=10m/s，此時波恰好傳到I點，下列說法中正確的是（　�。�

　 A． 此列波的周期為T=0.4s

　 B． 質(zhì)點B、F在振動過程中位移總是相等

　 C． 質(zhì)點I的起振方向沿y軸負方向

　 D． 當(dāng)t=5.1s時，x=10m的質(zhì)點處于平衡位置處

　 E． 質(zhì)點A、C、E、G、I在振動過程中位移總是相同

如圖所示，在兩端封閉粗細均勻的豎直長管道內(nèi)，用一可自由移動的活塞A封閉體積相等的兩部分氣體．開始時管道內(nèi)氣體溫度都為T₀=500K，下部分氣體的壓強p₀=1.25×10⁵Pa，活塞質(zhì)量m=0.25kg，管道的內(nèi)徑橫截面積S=1cm²．現(xiàn)保持管道下部分氣體溫度不變，上部分氣體溫度緩慢降至T，最終管道內(nèi)上部分氣體體積變?yōu)樵瓉淼?img src='http://thumb.zyjl.cn/pic1/files/down/test/2015/04/23/06/2015042306262514524598.files/image084.gif'>，若不計活塞與管道壁間的摩擦，g=10m/s²，求此時上部分氣體的溫度T．

下列說法正確的是（　�。�

　 A． 一定質(zhì)量的氣體，在體積不變時，分子每秒與器壁平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小

　 B． 晶體熔化時吸收熱量，分子平均動能一定增大

　 C． 空調(diào)既能制熱又能制冷，說明在不自發(fā)地條件下熱傳遞方向性可以逆向

　 D． 外界對氣體做功時，其內(nèi)能一定會增大

　 E． 生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻人其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成

如圖所示，一個帶正電的粒子沿磁場邊界從A點射入左側(cè)磁場，粒子質(zhì)量為m、電荷量為q，其中區(qū)域Ⅰ、Ⅲ內(nèi)是垂直紙面向外的勻強磁場，左邊區(qū)域足夠大，右邊區(qū)域?qū)挾葹?.3d，磁感應(yīng)強度大小均為B，區(qū)域Ⅱ是兩磁場間的無場區(qū)，兩條豎直虛線是其邊界線，寬度為d；粒子從左邊界線A點射入磁場后，經(jīng)過Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ區(qū)域后能回到A點，若粒子在左側(cè)磁場中的半徑為d，整個裝置在真空中，不計粒子的重力．

（1）求：粒子從A點射出到回到A點經(jīng)歷的時間t

（2）若在區(qū)域Ⅱ內(nèi)加一水平向右的勻強電場，粒子仍能回到A點，求：電場強度E．