如圖所示，閉合金屬圓環(huán)下落過程中，穿過豎直放置的條形磁鐵正中間位置時，下列說法正確的是（ ）

A．金屬圓環(huán)的加速度等于g

B．穿過金屬圓環(huán)的磁通量不為零

C．穿過金屬圓環(huán)的磁通量變化率為零

D．金屬圓環(huán)沿半徑方向有收縮的趨勢

如圖所示，PQ和EF為水平放置的平行金屬導(dǎo)軌，間距為l＝1.0 m，導(dǎo)體棒ab跨放在導(dǎo)軌上，棒的質(zhì)量為m＝20 g，棒的中點用細(xì)繩經(jīng)輕滑輪與物體c相連，物體c的質(zhì)量M＝30 g．在垂直導(dǎo)軌平面方向存在磁感應(yīng)強度B＝0. 2 T的勻強磁場，磁場方向豎直向上，重力加速度g取10 m/s2.若導(dǎo)軌是粗糙的，且導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌間的最大靜摩擦力為導(dǎo)體棒ab重力的0.5倍，若要保持物體c靜止不動，應(yīng)該在棒中通入多大的電流？電流的方向如何？

如圖所示，通有恒定電流的導(dǎo)線MN與閉合金屬框共面，第一次將金屬框由I平移到II，第二次將金屬框由I繞cd邊翻轉(zhuǎn)到II，設(shè)先后兩次通過金屬框的磁通量的變化分別為和，則

A． B． C． D．

集成電路應(yīng)用廣泛，集成度越來越高，現(xiàn)在集成電路的集成度已達幾億個元件，目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個元件的目標(biāo)邁進，集成度越高，各種電子元件越微型化，如圖甲是我國自行研制成功的中央處理器（CPU）芯片“龍芯”1號，下圖乙中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，但R2的尺寸遠遠小于R1的尺寸，通過兩導(dǎo)體的電流方向如圖乙所示，則這兩個導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系正確的是

A． B． C． D．無法確定

在如圖所示的電路中，E為電源，其內(nèi)阻為r，L為小燈泡（其燈絲電阻可視為不變），R1、R2為定值電阻，R3為光敏電阻，共阻值大小隨所受照射光強度的增大而減小，為理想電壓表，若將照射R3的光的強度減弱，則

A．電壓表的示數(shù)變大

B．小燈泡消耗的功率變小

C．通過R2的電流變小

D．電源內(nèi)阻發(fā)熱的功率變小

電磁軌道炮工作原理如圖所示，待發(fā)射彈體可在兩平行軌道之間自由移動，并與軌道保持良好接觸。電流I從一條軌道流入，通過導(dǎo)電彈體后從另一條軌道流回。軌道電流可形成在彈體處垂直軌道面的磁場（可視為勻強磁場），磁感應(yīng)強度的大小與I成正比。通電的彈體在軌道上受到安培力的作用而高速射出�，F(xiàn)欲使彈體的出射速度增加到原來的3倍，理論上可采用的辦法是

A．只將電流I的增加至原來的3倍

B．只將軌道長度l變成原來的3倍

C．只將彈體質(zhì)量減至原來的

D．將彈體質(zhì)量減至原來的，軌道長度l變?yōu)樵瓉淼?倍，其他量不變

如圖所示，一束電荷量為、質(zhì)量為m的電子以速度垂直左邊界射入寬度為d的有界勻強磁場中，穿過磁場時的速度方向與原來的電子的入射方向的夾角是300，則磁感應(yīng)強度為多大？電子穿過磁場的時間又是多少？

在勻強磁場中，一矩形金屬線框繞與磁感線垂直的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動，如圖1所示，產(chǎn)生的交變電動勢的圖象如圖2所示，則 （ ）

A．t =0.005s時線框的磁通量變化率為零

B．t =0.01s時線框平面與中性面重合

C．線框產(chǎn)生的交變電動勢有效值為311V

D．線框產(chǎn)生的交變電動勢的頻率為100Hz

兩個分子從靠得不能再靠近的位置開始，使二者之間的距離逐漸增大，直到大于分子直徑的10倍以上．這一過程中，關(guān)于分子間的相互作用力的下列說法中正確的是（ ）

A．分子間的引力和斥力都在增大

B．分子間的斥力在減小，引力在增大

C．分子間的相互作用力的合力在逐漸減小

D．分子間的相互作用力的合力，先減小后增大，再減小到零

對一定量的理想氣體，下列說法正確的是（ ）

A．氣體體積是指所有氣體分子的體積之和

B．氣體分子的熱運動越劇烈，氣體的溫度就越高

C．當(dāng)氣體膨脹時，氣體的分子勢能減小，因而氣體的內(nèi)能一定減少

D．氣體的壓強是由氣體分子的重力產(chǎn)生的，在失重的情況下，密閉容器內(nèi)的氣體對器壁沒有壓強