8．納米技術(shù)是跨世紀(jì)的新技術(shù)，將激光束的寬度集中到納米范圍內(nèi)，可修復(fù)人體已損壞的器官，對(duì)DNA分子進(jìn)行超微型基因修復(fù)，把諸如癌癥等徹底根除．在上述技術(shù)中，人們主要利用了激光的（　　）

A．

單色性

B．

單向性

C．

亮度高

D．

粒子性

7．國(guó)家836計(jì)劃中的一個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目中所研究的X光激光（頻率范圍很窄的高強(qiáng)度X射線）有著廣泛的應(yīng)用前景，用X光激光給細(xì)胞“照相”，以下激光的哪些特點(diǎn)屬于次要因素（　�。�

A．

殺菌作用

B．

化學(xué)作用

C．

波長(zhǎng)短

D．

能量高

6．如圖所示，長(zhǎng)為L(zhǎng)、傾角為θ的光滑斜面處于水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)中．一電荷量為+q、質(zhì)量為m的小球，以初速度v₀由斜面底端的M點(diǎn)沿斜面向上滑，到達(dá)斜面底端N的速度仍為v₀，則（　�。�

	A．	小球在N點(diǎn)的電勢(shì)能小于在M點(diǎn)的電勢(shì)能
	B．	M、N兩點(diǎn)的電勢(shì)差為$\frac{mgL}{q}$
	C．	電場(chǎng)強(qiáng)度等于$\frac{mgtanθ}{q}$
	D．	小球不一定是做勻速直線運(yùn)動(dòng)

5．如圖（甲）所示為電視機(jī)中顯像管的原理示意圖，電子槍中的燈絲加熱陰極而逸出電子，這些電子再經(jīng)加速電場(chǎng)加速后，從O點(diǎn)進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)中，經(jīng)過(guò)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)后打到熒光屏MN上，使熒光屏發(fā)出熒光形成圖象，不計(jì)逸出電子的初速度和重力．已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e，加速電場(chǎng)的電壓為U．偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)場(chǎng)分布在邊長(zhǎng)為l的正方形abcd區(qū)域內(nèi)，磁場(chǎng)方向垂直紙面，且磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間的變化規(guī)律如圖乙所示．在每個(gè)周期內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度都是從-B₀均勻變化到B₀．磁場(chǎng)區(qū)域的左邊界的中點(diǎn)與O點(diǎn)重合，ab邊與OO′平行，右邊 界bc與熒光屏之間的距離為s．由于磁場(chǎng)區(qū)域較小，且電子運(yùn)動(dòng)的速度很大，所以在每個(gè)電子通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域的過(guò)程中，可認(rèn)為磁感應(yīng)強(qiáng)度不變，即為勻強(qiáng)磁場(chǎng)，不計(jì)電子之間的相互作用．

（1）求電子射出電場(chǎng)時(shí)的速度大�。�
（2）為使所有的電子都能從磁場(chǎng)的bc邊射出，求偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值．
（3）熒光屏上亮線的最大長(zhǎng)度是多少？

4．K^-介子衰變的方程為K^-→π^-+π⁰，其中K^-介子和π^-介子帶負(fù)的元電荷e，π⁰介子不帶電．如圖所示，兩勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向相同，以虛線MN為理想邊界，磁感應(yīng)強(qiáng)度分別為B₁、B₂．今有一個(gè)K^-介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₁中，其軌跡為圓弧AP，P在MN上，K^-在P點(diǎn)時(shí)的速度為v，方向與MN垂直．在P點(diǎn)該介子發(fā)生了上述衰變．衰變后產(chǎn)生的π^-介子沿v反方向射出，其運(yùn)動(dòng)軌跡為如圖虛線所示的“心”形圖線．則以下說(shuō)法正確的是（　�。�

	A．	π-介子的運(yùn)行軌跡為PENCMDP
	B．	π-介子運(yùn)行一周回到P用時(shí)為$T=\frac{2πm}{{{B_2}e}}$
	C．	B1=4B2
	D．	π0介子作勻速直線運(yùn)動(dòng)

3．下列說(shuō)法中，正確的是（　�。�

	A．	同一等勢(shì)面上的各點(diǎn)電勢(shì)相等，電場(chǎng)強(qiáng)度也相等
	B．	電場(chǎng)中的兩條電場(chǎng)線一定不會(huì)相交，但兩個(gè)電勢(shì)不等的等勢(shì)面有可能相交
	C．	在同一等勢(shì)面上移動(dòng)電荷，電場(chǎng)力一定不做功
	D．	離孤立帶電導(dǎo)體越近的等勢(shì)面，其形狀越與導(dǎo)體表面相似；離孤立帶電導(dǎo)體越遠(yuǎn)的等勢(shì)面，其形狀越接近于球面

2．如圖所示，電源的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻都保持一定，在外電路的電阻逐漸減小的過(guò)程中，有（　　）

	A．	電源的路端電壓一定逐漸變小		B．	電源的輸出功率一定逐漸變小
	C．	電源內(nèi)部消耗的功率一定逐漸變大		D．	電源供電效率可能變大

1．下列說(shuō)法中正確的是（　�。�

	A．	實(shí)際的自由振動(dòng)必然是阻尼振動(dòng)
	B．	在外力作用下的振動(dòng)是受迫振動(dòng)
	C．	阻尼振動(dòng)的振幅越來(lái)越小
	D．	受迫振動(dòng)穩(wěn)定后的頻率與自身物理?xiàng)l件無(wú)關(guān)

20．一個(gè)200匝、面積為20cm² 的圓線圈，放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與線圈平面成30°角，磁感應(yīng)強(qiáng)度在0.05s內(nèi)由0.1T增加到0.5T，則初狀態(tài)穿過(guò)線圈的磁通量是10^-4Wb，在0.05s內(nèi)穿過(guò)線圈的磁通量的變化量是4×10^-4wb，線圈中平均感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小是1.6V．

19．將一點(diǎn)電荷由電場(chǎng)中的A點(diǎn)移到B點(diǎn)電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷做的功為零，則對(duì)A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)差U的大小的判斷中正確是（　　）

A．

U＜0

B．

U＞0

C．

U=0

D．

無(wú)法判斷