13．如圖為斜面上每隔0.1秒釋放一個(gè)小球，小球在斜面上運(yùn)動(dòng)可以看作勻加速直線運(yùn)動(dòng)，根據(jù)圖上所標(biāo)數(shù)據(jù)可以作出的正確判斷是（　�。�

	A．	小球在A點(diǎn)的速率為0.8m/s		B．	小球在斜面上的加速度為2m/s2
	C．	在O點(diǎn)上方還有4個(gè)小球在運(yùn)動(dòng)		D．	O點(diǎn)距離釋放位置的距離為9cm

12．“天宮二號(hào)”于今年9月15日發(fā)射成功，準(zhǔn)確進(jìn)入預(yù)定軌道．如圖所示，“天宮二號(hào)”在圓軌道1上運(yùn)行一段時(shí)間后，在Q點(diǎn)開啟發(fā)動(dòng)機(jī)短時(shí)間加速，關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī)后，“天宮二號(hào)”沿橢圓軌道2運(yùn)行到達(dá)P點(diǎn)，開啟發(fā)動(dòng)機(jī)再次加速，進(jìn)入軌道3繞地球做圓周運(yùn)動(dòng)，“天宮二號(hào)”在圖示軌道1、2、3上正常運(yùn)行時(shí)，下列說法正確的是（　�。�

	A．	“天宮二號(hào)”在軌道3上的速率小于在軌道1上的速率
	B．	“天宮二號(hào)”在三個(gè)軌道上的周期關(guān)系為T1＞T2＞T3
	C．	“天宮二號(hào)”在三個(gè)軌道上的機(jī)械能關(guān)系為E1＞E2＞E3
	D．	“天宮二號(hào)”在軌道2上經(jīng)過P點(diǎn)的加速度大于它在軌道3上經(jīng)過P點(diǎn)的加速度

11．如圖所示，質(zhì)量為M的直角劈B放在水平面上，在劈的斜面上放一質(zhì)量為m的物體A，用一沿斜面向上的力F作用于A上，使其沿斜面勻速上滑，在A上滑的過程中直角劈B相對(duì)地面始終靜止，則關(guān)于地面對(duì)劈的摩擦力F_f及支持力F_N，下列說法正確的是（　　）

A．

Ff向右，F(xiàn)N＜Mg+mg

B．

Ff向左，F(xiàn)N＜Mg+mg

C．

Ff=0，F(xiàn)N=Mg+mg

D．

Ff向左，F(xiàn)N=Mg+mg

10．在垂直紙面的勻強(qiáng)磁場中，有不計(jì)重力的甲、乙兩個(gè)帶電粒子，在紙面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)方向和軌跡示意如圖．則下列說法中正確的是（　�。�

	A．	甲、乙兩粒子所帶電荷種類不同
	B．	若甲、乙兩粒子所帶電荷量及運(yùn)動(dòng)的速率均相等，則甲粒子的質(zhì)量較大
	C．	若甲、乙兩粒子的速率相等，則甲粒子比荷較小
	D．	該磁場方向一定是垂直紙面向里

9．四個(gè)電荷量大小相同的點(diǎn)電荷位于正方形四個(gè)角上，電性與各點(diǎn)電荷附近的電場線分布如圖所示．Ab、cd分別是正方形兩組對(duì)邊的中垂線，O為中垂線的交點(diǎn)，P、Q 分別為 ab、cd 上的兩點(diǎn)，OP＞OQ．下列說法錯(cuò)誤的是（　�。�

	A．	P、Q兩點(diǎn)的電勢相等，電場強(qiáng)度也相等
	B．	P點(diǎn)的電勢比M點(diǎn)的低
	C．	PM兩點(diǎn)間的電勢差大于QM間的電勢差
	D．	帶負(fù)電的試探電荷在Q點(diǎn)時(shí)比在M點(diǎn)時(shí)電勢能小

8．一帶電粒子從電場中的A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)，軌跡如圖中虛線所示，不計(jì)粒子所受重力，則（　�。�

	A．	粒子帶正電
	B．	粒子加速度逐漸減小
	C．	粒子在A點(diǎn)的速度大于粒子在B點(diǎn)的速度
	D．	粒子的初速度可以為零

7．物體在運(yùn)動(dòng)過程中重力做了-10J功，則可以得出（　�。�

	A．	物體克服重力做功10J		B．	物體的重力勢能一定增加10J
	C．	物體的動(dòng)能一定增加10J		D．	物體的機(jī)械能有可能不變

6．在離地面一定高度處，以相同的速率向各個(gè)方向拋出多個(gè)質(zhì)量不同的小球，不計(jì)空氣阻力，這些小球到達(dá)地面時(shí)，有相同的（　�。�

A．

速率

B．

速度

C．

動(dòng)能

D．

機(jī)械能

5．如圖所示，質(zhì)量為m的物塊，沿著半徑為R的半球形金屬殼內(nèi)壁滑下，半球形金屬殼豎直固定于地面，開口向上，物塊滑到最低點(diǎn)時(shí)速度大小為v，若物塊與球殼之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，則當(dāng)物塊滑至最低點(diǎn)時(shí)，下列說法正確的是（　�。�

	A．	物塊受到的支持力大小為m$\frac{{v}^{2}}{R}$		B．	物塊受到的支持力大小為（mg+m$\frac{{v}^{2}}{R}$）
	C．	物塊受到的摩擦力為μmg		D．	物塊受到的摩擦力為μ（mg+m$\frac{{v}^{2}}{R}$）

4．如圖所示，某區(qū)域電場線左右對(duì)稱分布，M、N為對(duì)稱軸上的兩點(diǎn)，下列說法正確的是（　　）

	A．	M點(diǎn)場強(qiáng)一定大于N點(diǎn)場強(qiáng)
	B．	M點(diǎn)電勢一定高于N點(diǎn)電勢
	C．	電子在M點(diǎn)的電勢能大于在N點(diǎn)的電勢能
	D．	將正電荷從M點(diǎn)移動(dòng)到N點(diǎn)，靜電力做正功