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科目： 來源： 題型：選擇題

19．兩個(gè)相同的帶電金屬小球，帶電量分別為+3q和+7q，小球半徑遠(yuǎn)小于兩球心的距離r．將它們接觸后放回原處，則此時(shí)的靜電力大小為（　　）
A．k$\frac{10{q}^{2}}{{r}^{2}}$B．k$\frac{16{q}^{2}}{{r}^{2}}$C．k$\frac{21{q}^{2}}{{r}^{2}}$D．k$\frac{25{q}^{2}}{{r}^{2}}$

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科目： 來源： 題型：選擇題

18．如圖所示，絕緣細(xì)線上端固定，下端懸掛一輕質(zhì)帶電小球N，當(dāng)帶同種電荷的金屬球M固定在N近旁的絕緣支架上時(shí)，懸掛N的細(xì)線與豎直方向的夾角為θ，則下列說法正確的是（　　）
A．僅將M的電荷量增大，θ不變B．僅將M的電荷量增大，θ變小
C．僅將支架沿水平地面移近N，θ變小D．僅將支架沿水平地面移近N，θ變大

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科目： 來源： 題型：多選題

17．如圖所示，一木箱原來懸停在空中，其水平箱底上放一物體，受到一個(gè)伸長的彈簧的拉力作用，但仍能保持與木箱相對(duì)靜止．現(xiàn)突然發(fā)現(xiàn)物體被彈簧拉動(dòng)，則可以判定木箱的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)可能是（　�。�
A．加速上升B．加速下降C．加速向左D．加速向右

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科目： 來源： 題型：計(jì)算題

16．如圖所示，質(zhì)量為M的木板放在傾角為θ的光滑固定斜面上，一個(gè)質(zhì)量為m的人站在木板上，人與木板之間的接觸面粗糙．若人相對(duì)木板靜止，則木板的加速度是多少？人對(duì)木板的摩擦力多大？

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科目： 來源： 題型：選擇題

15．如圖所示，質(zhì)量分別為mA、mB的A、B兩小車靜止在光滑的水平面上，A車上有一質(zhì)量為m的人向右跳到B車上，并與B車一起運(yùn)動(dòng)．則人跳到B車后，A、B兩車的速度大小之比為（　�。�
A．$\frac{{m}_{A}}{m+{m}_{B}}$B．$\frac{{m}_{B}}{m+{m}_{A}}$C．$\frac{m+{m}_{B}}{{m}_{A}}$D．$\frac{m+{m}_{A}}{{m}_{B}}$

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科目： 來源： 題型：選擇題

14．關(guān)于原子與原子核，下列說法正確的是（　　）
A．太陽內(nèi)部發(fā)生的主要核反應(yīng)是裂變反應(yīng)
B．原子核發(fā)生一次β衰變，該原子外層就失去一個(gè)電子
C．某原子核經(jīng)過一次α衰變和兩次β衰變后，核內(nèi)質(zhì)子數(shù)減少4個(gè)
D．氫原子核外電子從低軌道躍遷到高軌道時(shí)，電子動(dòng)能減小，原子能量增大

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科目： 來源： 題型：選擇題

13．星球的第二宇宙速度v2與第一宇宙速度v1的大小關(guān)系是v2=$\sqrt{2}$v1．已知某星球的半徑為地球的2倍，質(zhì)量也為地球的2倍，地球半徑為R，地球表面的重力加速度為g．則該星球的第二宇宙速度為（　�。�
A．$\sqrt{\frac{1}{2}gR}$B．$\frac{1}{2}$$\sqrt{gR}$C．$\sqrt{2gR}$D．2$\sqrt{gR}$

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科目： 來源： 題型：多選題

12．如圖所示，在一個(gè)配有活塞的厚玻璃筒內(nèi)放一小團(tuán)硝化棉，迅速下壓活塞，硝化棉燃燒．下列說法正確的是（　�。�
A．氣體對(duì)外界做正功，氣體內(nèi)能增加B．外界對(duì)氣體做正功，氣體內(nèi)能增加
C．氣體的溫度升高，壓強(qiáng)變大D．氣體的體積減小，壓強(qiáng)不變

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科目： 來源： 題型：多選題

11．如圖所示，一架質(zhì)量m=8.0×103 kg的戰(zhàn)機(jī)，從靜止開始在機(jī)場的跑道上滑行，經(jīng)過距離x=4.0×102 m，達(dá)到起飛速度v=80m/s．在這個(gè)過程中飛機(jī)受到的平均阻力是1.0×104．g取10m/s2，則（　�。�
A．飛機(jī)起飛時(shí)的加速度為6.4 m/s2
B．飛機(jī)起飛時(shí)的加速度為8.0 m/s2
C．飛機(jī)起飛時(shí)受到的牽引力為6.4×104N
D．飛機(jī)起飛時(shí)受到的牽引力為7.4×104N

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科目： 來源： 題型：多選題

10．下列說法正確的是（　　）
A．一定質(zhì)量的氣體在體積不變時(shí)，分子每秒與器壁平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小
B．空調(diào)既能制熱又能制冷，說明在不自發(fā)的條件下熱傳遞方向性可以逆向
C．外界對(duì)氣體做功時(shí)，其內(nèi)能一定會(huì)增大
D．生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí)，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成

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