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科目: 來源: 題型:選擇題

11.一個(gè)面積S=4×10-2m2的閉合線圈,放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直線圈平面,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小隨時(shí)間的變化規(guī)律如圖所示( 。
A.在開始2s內(nèi)穿過線圈的磁通量變化率等于零
B.在2-4s內(nèi)穿過線圈的磁通量變化率為4×10-2Wb/s
C.0~2s和2s~4s內(nèi)線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流大小相等
D.0~1s和1~2s內(nèi)線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反

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科目: 來源: 題型:填空題

10.如圖所示的正方形盒子開有a、b、c三個(gè)微孔,盒內(nèi)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).一束速率不同的帶電粒子(質(zhì)量、電量均相同,不計(jì)重力)從a孔沿垂直磁感線方向射入盒中,發(fā)現(xiàn)從c孔和b孔有粒子射出,則從b孔和c孔射出的粒子速率之比v1:v2=1:2;它們?cè)诤袃?nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比t1:t2=2:1.

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科目: 來源: 題型:解答題

9.已知有一規(guī)格為“220V  1000W”的電爐,求
(1)電爐正常工作時(shí),通過電阻絲的電流.
(2)電爐的電阻值.

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科目: 來源: 題型:填空題

8.如圖為一正在測(cè)量中的多用電表表盤.
(1)如果是用×10Ω檔測(cè)量電阻,則讀數(shù)為60Ω.
(2)如果是用×100Ω檔測(cè)量電阻,則讀數(shù)為600Ω.

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科目: 來源: 題型:多選題

7.在如圖甲所示的電路中,電源電動(dòng)勢(shì)為3.0V,內(nèi)阻不計(jì),L1、L2、L3為3個(gè)相同規(guī)格的小燈泡,這種小燈泡的伏安特性曲線如圖乙所示.當(dāng)開關(guān)閉合后,下列關(guān)于電路中的燈泡的判斷中,正確的是( 。
A.燈泡L1的電阻為12Ω?
B.通過燈泡L1的電流為燈泡L2的電流的1.25倍
C.L1消耗的電功率為0.75W
D.燈泡L2消耗的電功率為0.30W

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科目: 來源: 題型:多選題

6.如圖所示,實(shí)線是一個(gè)電場(chǎng)中的電場(chǎng)線,虛線是一個(gè)電子在這個(gè)電場(chǎng)中的軌跡,若電子是從a處運(yùn)動(dòng)到b處,以下判斷正確的是(  )
A.電子從a到b加速度變大
B.電子在b處的電勢(shì)能大于a處的電勢(shì)能
C.b處電勢(shì)低于a處電勢(shì)
D.電子在b處速度最小

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科目: 來源: 題型:選擇題

5.如圖,固定斜面,CD段光滑,DE段粗糙,A、B兩物體疊放在一起從C點(diǎn)由靜止下滑,下滑過程中A、B保持相對(duì)靜止,則( 。
A.在CD段時(shí),A受三個(gè)力作用
B.在DE段時(shí),A受摩擦力方向一定沿斜面向上
C.在DE段時(shí),A可能受三個(gè)力作用
D.整個(gè)下滑過程中,A、B均處于失重狀態(tài)

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科目: 來源: 題型:選擇題

4.在粗糙絕緣水平面上固定一點(diǎn)電荷Q,從M點(diǎn)無初速釋放一帶有恒定電量的負(fù)電小物塊,小物塊在Q的電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)靜止.則從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)的過程中,下列說法中正確的是( 。
A.小物塊所受電場(chǎng)力逐漸增大
B.小物塊具有的電勢(shì)能不變
C.M點(diǎn)的電勢(shì)可能高于N點(diǎn)的電勢(shì)
D.小物塊電勢(shì)能變化量的大小等于小物塊克服摩擦力做的功

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科目: 來源: 題型:選擇題

3.如圖所示,小磁針正上方的直導(dǎo)線與小磁針平行,當(dāng)導(dǎo)線中有電流時(shí),小磁針會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn).首先觀察到這個(gè)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的物理學(xué)家和觀察到的現(xiàn)象是(  )
A.物理學(xué)家法拉第,小磁針的N極垂直轉(zhuǎn)向紙內(nèi)
B.物理學(xué)家法拉第,小磁針的S極垂直轉(zhuǎn)向紙內(nèi)
C.物理學(xué)家奧斯特,小磁針的S極垂直轉(zhuǎn)向紙內(nèi)
D.物理學(xué)家奧斯特,小磁針的N極垂直轉(zhuǎn)向紙內(nèi)

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科目: 來源: 題型:解答題

2.位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0m,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行.兩邊界間距離為H,H>L2,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖27所示,令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落.已知線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.問從線框開始下落,到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過程中,磁場(chǎng)作用于線框的安培力所做的總功為多少?(g取10m/s2

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