科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 若把斜面CB部分截去,物體沖過C點(diǎn)后上升的最大高度仍為h | |
B. | 把斜面從C點(diǎn)以上部分彎成與C點(diǎn)相切的圓弧狀,物體上升的最大高度有可能仍為h | |
C. | 若把斜面彎成圓弧形D,物體仍沿圓弧升高h(yuǎn) | |
D. | 若把斜面AB變成曲面AEB,物體沿此曲面上升仍能到達(dá)B點(diǎn) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | a、b點(diǎn)是干涉加強(qiáng)的位置,c點(diǎn)振動(dòng)最弱 | |
B. | 當(dāng)振源的振動(dòng)頻率同時(shí)增加時(shí),干涉區(qū)域的干涉圖樣不發(fā)生任何變化 | |
C. | 再過$\frac{T}{4}$,a、b將變成振動(dòng)減弱的位置,e點(diǎn)的振動(dòng)將加強(qiáng) | |
D. | a、b、c點(diǎn)是干涉加強(qiáng)的位置,e點(diǎn)振動(dòng)最弱 |
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 1×106 N/C | B. | 1×104 N/C | C. | 3×106 N/C | D. | 3×104 N/C |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 圖甲中分流電阻RP的阻值應(yīng)為RP=$\frac{IgRg}{I-Ig}$ | |
B. | 改裝后G的內(nèi)阻大于0.001Ω | |
C. | 在電表改裝完成后的某次校準(zhǔn)測量中,A表的示數(shù)如圖乙所示,此時(shí)流過分流電阻RP的電流約為IP=49.0 mA | |
D. | G(未經(jīng)處理)與A的讀數(shù)相同 |
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 電流表內(nèi)阻與電源內(nèi)阻之和為0.5kΩ | |
B. | 電流表示數(shù)I2=3.6mA時(shí)熱敏電阻的溫度是100℃ | |
C. | 溫度升高時(shí)電壓表示數(shù)U與電流表示數(shù)I的比值變大 | |
D. | 溫度升高時(shí)電壓表示數(shù)變化量△U與電流表示數(shù)變化量△I的比值減小 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{v}_{2}+2{v}_{1}}{4}$ | B. | $\frac{{v}_{2}}{2}$ | C. | $\sqrt{\frac{{v}_{2}^{2}+3{v}_{1}^{2}}{4}}$ | D. | $\sqrt{\frac{{{v}_{2}}^{2}-3{{v}_{1}}^{2}}{4}}$ |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 電場強(qiáng)度E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$ | B. | 加速度a=$\frac{△v}{△t}$ | C. | 電流強(qiáng)度I=$\frac{q}{t}$ | D. | 電容C=$\frac{?S}{4πkd}$ |
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