科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 微粒的入射速度v0=10 m/s | |
B. | 電容器上板接電源正極時(shí)微粒有可能從平行板電容器的右邊射出電場 | |
C. | 電源電壓為160 V時(shí),微粒可能從平行板電容器的右邊射出電場 | |
D. | 電源電壓為100 V時(shí),微粒可能從平行板電容器的右邊射出電場 |
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | a帶正電,b帶負(fù)電 | |
B. | P點(diǎn)場強(qiáng)大于M點(diǎn)的場強(qiáng) | |
C. | a、b到達(dá)M、N時(shí)兩粒子速率相等 | |
D. | 從P到M,a電荷電勢能減小,從P到N,b電荷電勢能增加 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 衛(wèi)星“G1”和“G2”的加速度大小相等均為$\frac{{R}^{2}}{{r}^{2}}$g | |
B. | 如果調(diào)動“高分一號”衛(wèi)星快速到達(dá)B位置的下方,必須對其加速 | |
C. | 衛(wèi)星“G1”由位置A運(yùn)動到位置B所需的時(shí)間為$\frac{2πR}{3R}\sqrt{\frac{r}{g}}$ | |
D. | “高分一號”是低軌道衛(wèi)星,其所在高度有稀薄氣體,運(yùn)行一段時(shí)間后,高度會降低,速度增大 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 若v0=$\sqrt{gR}$,則物塊落地點(diǎn)離A點(diǎn)距離為$\sqrt{2R}$ | |
B. | 若球面是粗糙的,當(dāng)v0<$\sqrt{gR}$時(shí),物塊一定會沿球面下滑一段 | |
C. | 若v0<$\sqrt{gR}$,則物塊落地點(diǎn)離A點(diǎn)距離為R | |
D. | 若v0≥$\sqrt{gR}$,則物塊落地點(diǎn)離A點(diǎn)至少為2R |
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科目: 來源: 題型:解答題
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