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【題目】如圖,玻璃球冠的折射率為,其底面鍍銀,底面的半徑是球半徑的倍;在過球心O且垂直于底面的平面(紙面)內(nèi),有一與底面垂直的光線射到玻璃球冠上的M點,該光線的延長線恰好過底面邊緣上的A點。求該光線從球面射出的方向相對于其初始入射方向的偏角。
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【題目】如圖所示,足夠長的斜面與水平面的夾角為θ=53°,空間中自上而下依次分布著垂直斜面向下的勻強磁場區(qū)域Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、……、n,相鄰兩個磁場的間距均為d=0.5 m.一邊長L=0.1 m、質(zhì)量m=0.5 kg、電阻R=0.2 Ω的正方形導線框放在斜面的頂端,導線框的下邊距離磁場Ⅰ的上邊界為d0=0.4 m,導線框與斜面間的動摩擦因數(shù)μ=0.5.將導線框由靜止釋放,導線框在每個磁場區(qū)域中均做勻速直線運動.已知重力加速度g=10 m/s2,sin 53°=0.8,cos 53°=0.6,求:
(1)導線框進入磁場Ⅰ時的速度;
(2)磁場Ⅰ的磁感應強度B1;
(3)磁場區(qū)域n的磁感應強度Bn與B1的函數(shù)關系.
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【題目】利用如圖所示①的電路測定電源的電動勢和內(nèi)電阻。
(1)若閉合電鍵S1,將單刀雙擲電鍵S2擲向a,改變電阻箱R的阻值得到一系列的電壓表的讀數(shù)U。則由于未考慮電壓表分流導致電動勢的測量值與真實值相比_________,內(nèi)阻的測量值與真實值相比________。(填“偏大”“相等”或“偏小”)
(2)若斷開S1,將單刀雙擲電鍵S2擲向b,改變電阻箱R的阻值得到一系列的電流表的讀數(shù)I。則由于未考慮電流表分壓導致電動勢的測量值與真實值相比_________,內(nèi)阻的測量值與真實值相比________。(填“偏大”“相等”或“偏小”)
(3)某同學分別按照以上兩種方式完成實驗操作之后,利用圖線處理數(shù)據(jù),得到如下兩個圖象(如圖②和③所示),縱軸截距分別是b1、b2,斜率分別為k1、k2。綜合兩條圖線的數(shù)據(jù)可以避免由于電壓表分流和電流表分壓帶來的系統(tǒng)誤差,則電源的電動勢E=_______,內(nèi)阻r=________。
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【題目】下列說法正確的是____。(選對1個得2分,選對2個得4分,選對3個得5分;每選錯1個扣3分,最低得分為0分)
A.圖1為氧氣分子在不同溫度下的速率分布圖象,由圖可知狀態(tài)①的溫度比狀態(tài)②的溫度高
B.圖2為一定質(zhì)量的理想氣體狀態(tài)變化的p-V圖線,由圖可知氣體由狀態(tài)A變化到B的過程中,氣體分子平均動能先增大后減小
C.圖3為分子間作用力的合力與分子間距離的關系,可知當分子間的距離r>r0時,分子勢能隨分子間的距離增大而增大
D.液體表面層分子間的距離比液體內(nèi)部分子間的距離大;附著層內(nèi)液體分子間的距離小于液體內(nèi)部分子間的距離
E.一定質(zhì)量的理想氣體在等壓膨脹過程中,氣體內(nèi)能增加的同時向外界釋放熱量
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【題目】由波源S形成的簡諧橫波在均勻介質(zhì)中向左、右傳播。波源振動的頻率為20 Hz,波速為16 m/s。已知介質(zhì)中P、Q兩質(zhì)點位于波源S的兩側,且P、Q和S的平衡位置在一條直線上,P、Q的平衡位置到S的平衡位置之間的距離分別為15.8 m、14.6 m,P、Q開始震動后,下列判斷正確的是_____。(填正確答案標號。選對1個得2分,選對2個得4分,選對3個得5分。每選錯1個扣3分,最低得分為0分)
A.P、Q兩質(zhì)點運動的方向始終相同
B.P、Q兩質(zhì)點運動的方向始終相反
C.當S恰好通過平衡位置時,P、Q兩點也正好通過平衡位置
D.當S恰好通過平衡位置向上運動時,P在波峰
E.當S恰好通過平衡位置向下運動時,Q在波峰
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【題目】如圖所示,M、N兩點分別放置兩個等量異種電荷,A為它們連線的中點,B為連線上靠近N的一點,C為連線的中垂線上處于A點上方的一點,同一負電荷放在A、B、C三點時( )
A. 放在A點受力最小,放在B點電勢能最大
B. 放在C點受力最小,放在B點電勢能最小
C. 放在B點受力最小,放在C點電勢能最大
D. 放在A點受力最大,放在C點電勢能最大
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【題目】如圖所示,勻強磁場的邊界為直角三角形,∠EGF=30°,已知磁感應強度為B,方向垂直紙面向里。F處有一粒子源,沿FG方向發(fā)射出大量帶正電荷q的同種粒子,粒子質(zhì)量為m,粒子的初速度v0大小可調(diào),則下列說法正確的是( )
A. 若粒子能到達EG邊界,則粒子速度越大,從F運動到EG邊的時間越長
B. v0取合適值,粒子可以到達E點
C. 能到達EF邊界的所有粒子所用的時間均相等
D. 粒子從F運動到EG邊所用的最長時間為
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【題目】如圖,在豎直向下的y軸兩側分布有垂直紙面向外和向里的磁場,磁感應強度均隨位置坐標按B=B0+ky(k為正常數(shù))的規(guī)律變化。兩個完全相同的正方形線框甲和乙的上邊均與y軸垂直,甲的初始位置高于乙的初始位置,兩線框平面均與磁場垂直。現(xiàn)同時分別給兩個線框一個豎直向下的初速度vl和v2,設磁場的范圍足夠大,當線框完全在磁場中的運動時,正確的是( )
A.運動中兩線框所受磁場的作用力方向一定相同
B.若v1=v2,則開始時甲所受磁場力小于乙所受磁場力
C.若v1>v2,則開始時甲的感應電流一定大于乙的感應電流
D.若v1<v2,則最終穩(wěn)定狀態(tài)時甲的速度可能大于乙的速度
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【題目】如圖所示,豎直平面內(nèi)有一光滑直桿AB,桿與水平方向的夾角為θ(0°≤θ≤90°),一質(zhì)量為m的小圓環(huán)套在直桿上,給小圓環(huán)施加一與該豎直平面平行的恒力F,并從A端由靜止釋放,改變直桿和水平方向的夾角θ,當直桿與水平方向的夾角為30°時,小圓環(huán)在直桿上運動的時間最短,重力加速度為g,則] ( )
A. 恒力F可能沿與水平方向夾30°斜向右下的方向
B. 當小圓環(huán)在直桿上運動的時間最短時,小圓環(huán)與直桿間必無擠壓
C. 若恒力F的方向水平向右,則恒力F的大小為
D. 恒力F的最小值為
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【題目】如圖所示,兩個導熱的圓筒底部有一條細短管連通,圓筒內(nèi)裝有約20cm深的水銀,K為閥門,處于關閉狀態(tài)。左側大圓筒的橫截面積,水銀面到圓筒頂部的高度,水銀上方是空氣,空氣的壓強,室溫。左側圓筒中豎直放置一根托里拆利管,管的橫截面積遠小于兩圓筒的橫截面積,托里拆利管中水銀上方有氮氣,氮氣柱的長度,水銀柱的高度。右側小圓筒的橫截面積,一個活塞緊貼水銀放置。已知大氣壓強。求:
(Ⅰ)若環(huán)境溫度緩慢升高,左側圓筒內(nèi)空氣的壓強變?yōu)槎啻螅?/span>
(Ⅱ)在環(huán)境溫度為時,用力控制右側圓筒中活塞,打開閥門K,使活塞緩慢升高后固定,則托里拆利管中氮氣柱的長度最終變?yōu)槎啻?(結果可以帶跟號)
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