科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖,玻璃球冠的折射率為,其底面鍍銀,底面的半徑是球半徑的倍;在過(guò)球心O且垂直于底面的平面(紙面)內(nèi),有一與底面垂直的光線射到玻璃球冠上的M點(diǎn),該光線的延長(zhǎng)線恰好過(guò)底面邊緣上的A點(diǎn)。求該光線從球面射出的方向相對(duì)于其初始入射方向的偏角。
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,足夠長(zhǎng)的斜面與水平面的夾角為θ=53°,空間中自上而下依次分布著垂直斜面向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、……、n,相鄰兩個(gè)磁場(chǎng)的間距均為d=0.5 m.一邊長(zhǎng)L=0.1 m、質(zhì)量m=0.5 kg、電阻R=0.2 Ω的正方形導(dǎo)線框放在斜面的頂端,導(dǎo)線框的下邊距離磁場(chǎng)Ⅰ的上邊界為d0=0.4 m,導(dǎo)線框與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5.將導(dǎo)線框由靜止釋放,導(dǎo)線框在每個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域中均做勻速直線運(yùn)動(dòng).已知重力加速度g=10 m/s2,sin 53°=0.8,cos 53°=0.6,求:
(1)導(dǎo)線框進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ時(shí)的速度;
(2)磁場(chǎng)Ⅰ的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1;
(3)磁場(chǎng)區(qū)域n的磁感應(yīng)強(qiáng)度Bn與B1的函數(shù)關(guān)系.
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】利用如圖所示①的電路測(cè)定電源的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)電阻。
(1)若閉合電鍵S1,將單刀雙擲電鍵S2擲向a,改變電阻箱R的阻值得到一系列的電壓表的讀數(shù)U。則由于未考慮電壓表分流導(dǎo)致電動(dòng)勢(shì)的測(cè)量值與真實(shí)值相比_________,內(nèi)阻的測(cè)量值與真實(shí)值相比________。(填“偏大”“相等”或“偏小”)
(2)若斷開S1,將單刀雙擲電鍵S2擲向b,改變電阻箱R的阻值得到一系列的電流表的讀數(shù)I。則由于未考慮電流表分壓導(dǎo)致電動(dòng)勢(shì)的測(cè)量值與真實(shí)值相比_________,內(nèi)阻的測(cè)量值與真實(shí)值相比________。(填“偏大”“相等”或“偏小”)
(3)某同學(xué)分別按照以上兩種方式完成實(shí)驗(yàn)操作之后,利用圖線處理數(shù)據(jù),得到如下兩個(gè)圖象(如圖②和③所示),縱軸截距分別是b1、b2,斜率分別為k1、k2。綜合兩條圖線的數(shù)據(jù)可以避免由于電壓表分流和電流表分壓帶來(lái)的系統(tǒng)誤差,則電源的電動(dòng)勢(shì)E=_______,內(nèi)阻r=________。
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法正確的是____。(選對(duì)1個(gè)得2分,選對(duì)2個(gè)得4分,選對(duì)3個(gè)得5分;每選錯(cuò)1個(gè)扣3分,最低得分為0分)
A.圖1為氧氣分子在不同溫度下的速率分布圖象,由圖可知狀態(tài)①的溫度比狀態(tài)②的溫度高
B.圖2為一定質(zhì)量的理想氣體狀態(tài)變化的p-V圖線,由圖可知?dú)怏w由狀態(tài)A變化到B的過(guò)程中,氣體分子平均動(dòng)能先增大后減小
C.圖3為分子間作用力的合力與分子間距離的關(guān)系,可知當(dāng)分子間的距離r>r0時(shí),分子勢(shì)能隨分子間的距離增大而增大
D.液體表面層分子間的距離比液體內(nèi)部分子間的距離大;附著層內(nèi)液體分子間的距離小于液體內(nèi)部分子間的距離
E.一定質(zhì)量的理想氣體在等壓膨脹過(guò)程中,氣體內(nèi)能增加的同時(shí)向外界釋放熱量
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】由波源S形成的簡(jiǎn)諧橫波在均勻介質(zhì)中向左、右傳播。波源振動(dòng)的頻率為20 Hz,波速為16 m/s。已知介質(zhì)中P、Q兩質(zhì)點(diǎn)位于波源S的兩側(cè),且P、Q和S的平衡位置在一條直線上,P、Q的平衡位置到S的平衡位置之間的距離分別為15.8 m、14.6 m,P、Q開始震動(dòng)后,下列判斷正確的是_____。(填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得2分,選對(duì)2個(gè)得4分,選對(duì)3個(gè)得5分。每選錯(cuò)1個(gè)扣3分,最低得分為0分)
A.P、Q兩質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的方向始終相同
B.P、Q兩質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的方向始終相反
C.當(dāng)S恰好通過(guò)平衡位置時(shí),P、Q兩點(diǎn)也正好通過(guò)平衡位置
D.當(dāng)S恰好通過(guò)平衡位置向上運(yùn)動(dòng)時(shí),P在波峰
E.當(dāng)S恰好通過(guò)平衡位置向下運(yùn)動(dòng)時(shí),Q在波峰
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,M、N兩點(diǎn)分別放置兩個(gè)等量異種電荷,A為它們連線的中點(diǎn),B為連線上靠近N的一點(diǎn),C為連線的中垂線上處于A點(diǎn)上方的一點(diǎn),同一負(fù)電荷放在A、B、C三點(diǎn)時(shí)( )
A. 放在A點(diǎn)受力最小,放在B點(diǎn)電勢(shì)能最大
B. 放在C點(diǎn)受力最小,放在B點(diǎn)電勢(shì)能最小
C. 放在B點(diǎn)受力最小,放在C點(diǎn)電勢(shì)能最大
D. 放在A點(diǎn)受力最大,放在C點(diǎn)電勢(shì)能最大
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)的邊界為直角三角形,∠EGF=30°,已知磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里。F處有一粒子源,沿FG方向發(fā)射出大量帶正電荷q的同種粒子,粒子質(zhì)量為m,粒子的初速度v0大小可調(diào),則下列說(shuō)法正確的是( )
A. 若粒子能到達(dá)EG邊界,則粒子速度越大,從F運(yùn)動(dòng)到EG邊的時(shí)間越長(zhǎng)
B. v0取合適值,粒子可以到達(dá)E點(diǎn)
C. 能到達(dá)EF邊界的所有粒子所用的時(shí)間均相等
D. 粒子從F運(yùn)動(dòng)到EG邊所用的最長(zhǎng)時(shí)間為
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖,在豎直向下的y軸兩側(cè)分布有垂直紙面向外和向里的磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度均隨位置坐標(biāo)按B=B0+ky(k為正常數(shù))的規(guī)律變化。兩個(gè)完全相同的正方形線框甲和乙的上邊均與y軸垂直,甲的初始位置高于乙的初始位置,兩線框平面均與磁場(chǎng)垂直。現(xiàn)同時(shí)分別給兩個(gè)線框一個(gè)豎直向下的初速度vl和v2,設(shè)磁場(chǎng)的范圍足夠大,當(dāng)線框完全在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí),正確的是( )
A.運(yùn)動(dòng)中兩線框所受磁場(chǎng)的作用力方向一定相同
B.若v1=v2,則開始時(shí)甲所受磁場(chǎng)力小于乙所受磁場(chǎng)力
C.若v1>v2,則開始時(shí)甲的感應(yīng)電流一定大于乙的感應(yīng)電流
D.若v1<v2,則最終穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)甲的速度可能大于乙的速度
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,豎直平面內(nèi)有一光滑直桿AB,桿與水平方向的夾角為θ(0°≤θ≤90°),一質(zhì)量為m的小圓環(huán)套在直桿上,給小圓環(huán)施加一與該豎直平面平行的恒力F,并從A端由靜止釋放,改變直桿和水平方向的夾角θ,當(dāng)直桿與水平方向的夾角為30°時(shí),小圓環(huán)在直桿上運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最短,重力加速度為g,則] ( )
A. 恒力F可能沿與水平方向夾30°斜向右下的方向
B. 當(dāng)小圓環(huán)在直桿上運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最短時(shí),小圓環(huán)與直桿間必?zé)o擠壓
C. 若恒力F的方向水平向右,則恒力F的大小為
D. 恒力F的最小值為
查看答案和解析>>
科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,兩個(gè)導(dǎo)熱的圓筒底部有一條細(xì)短管連通,圓筒內(nèi)裝有約20cm深的水銀,K為閥門,處于關(guān)閉狀態(tài)。左側(cè)大圓筒的橫截面積,水銀面到圓筒頂部的高度,水銀上方是空氣,空氣的壓強(qiáng),室溫。左側(cè)圓筒中豎直放置一根托里拆利管,管的橫截面積遠(yuǎn)小于兩圓筒的橫截面積,托里拆利管中水銀上方有氮?dú),氮(dú)庵拈L(zhǎng)度,水銀柱的高度。右側(cè)小圓筒的橫截面積,一個(gè)活塞緊貼水銀放置。已知大氣壓強(qiáng)。求:
(Ⅰ)若環(huán)境溫度緩慢升高,左側(cè)圓筒內(nèi)空氣的壓強(qiáng)變?yōu)槎啻螅?/span>
(Ⅱ)在環(huán)境溫度為時(shí),用力控制右側(cè)圓筒中活塞,打開閥門K,使活塞緩慢升高后固定,則托里拆利管中氮?dú)庵拈L(zhǎng)度最終變?yōu)槎啻?(結(jié)果可以帶跟號(hào))
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com