科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】我國(guó)女子短道速滑隊(duì)在2013年世錦賽上實(shí)現(xiàn)女子3 000 m接力三連冠。觀察發(fā)現(xiàn),“接棒”的運(yùn)動(dòng)員甲提前站在“交棒”的運(yùn)動(dòng)員乙前面,并且開始向前滑行,待乙追上甲時(shí),乙猛推甲一把,使甲獲得更大的速度向前沖出。在乙推甲的過程中,忽略運(yùn)動(dòng)員與冰面間在水平方向上的相互作用,則( )
A. 甲對(duì)乙的沖量一定等于乙對(duì)甲的沖量
B. 甲、乙的動(dòng)量變化一定大小相等、方向相反
C. 甲的動(dòng)能增加量一定等于乙的動(dòng)能減少量
D. 甲對(duì)乙做多少負(fù)功,乙對(duì)甲就一定做多少正功
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科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,細(xì)繩一端固定在A點(diǎn),跨過與A等高的光滑定滑輪B后在另一端懸掛一個(gè)沙桶Q。現(xiàn)有另一個(gè)沙桶P通過光滑掛鉤掛在AB之間,穩(wěn)定后掛鉤下降至C點(diǎn),∠ACB=120°,下列說法正確的是
A. 若只增加Q桶的沙子,再次平衡后C點(diǎn)位置不變
B. 若只增加P桶的沙子,再次平衡后C點(diǎn)位置不變
C. 若在兩桶內(nèi)增加相同質(zhì)量的沙子,再次平衡后C點(diǎn)位置不變
D. 若在兩桶內(nèi)增加相同質(zhì)量的沙子,再次平衡后沙桶Q位置上升
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科目: 來(lái)源: 題型:
【題目】用如圖甲所示的裝置可驗(yàn)證機(jī)械能守恒定律。裝置的主體是一個(gè)有刻度尺的立柱,其上裝有可移動(dòng)的鐵夾A和光電門B.
主要實(shí)驗(yàn)步驟如下:
①用游標(biāo)卡尺測(cè)量小球的直徑d,如圖乙所示;
②用細(xì)線將小球懸掛于鐵架臺(tái)上,小球處于靜止?fàn)顟B(tài);
③移動(dòng)光電門B使之正對(duì)小球,固定光電門;
④在鐵夾A上固定一指針(可記錄小球釋放點(diǎn)的位置);
⑤把小球拉到偏離豎直方向一定的角度后由靜止釋放,讀出小球釋放點(diǎn)到最低點(diǎn)的高度差h和小球通過光電門的時(shí)間t;
⑥改變小球釋放點(diǎn)的位置,重復(fù)步驟④⑤。
回答下列問題:
(1)由圖乙可知,小球的直徑d=____________cm;
(2)測(cè)得小球擺動(dòng)過程中的最大速度為____________(用所測(cè)物理量的字母表示);
(3)以t2為縱軸,以____________(填“h”或“1/h”)為橫軸,若得到一條過原點(diǎn)的、且斜率大小k=_________(用所測(cè)物理量的字母和重力加速度g表示)的傾斜直線,即可驗(yàn)證小球在擺動(dòng)過程中機(jī)械能守恒.
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【題目】如圖所示的坐標(biāo)系xOy中,x < 0,y > 0的區(qū)域內(nèi)有沿x軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng),x ≥ 0的區(qū)域內(nèi)有垂直于xOy坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),x軸上A點(diǎn)的坐標(biāo)為(-L,0),y軸上B點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,)。有一個(gè)帶正電的粒子從A點(diǎn)以初速度vA沿y軸正方向射入勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)過B點(diǎn)進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,然后經(jīng)x軸上的C點(diǎn)(圖中未畫出)運(yùn)動(dòng)到坐標(biāo)原點(diǎn)O。不計(jì)重力。求:
(1)粒子在B點(diǎn)的速度vB是多大?
(2)C點(diǎn)與O點(diǎn)的距離xC是多大?
(3)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度與勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的比值是多大?
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【題目】2018年11月1日,我國(guó)第41顆北斗導(dǎo)航衛(wèi)星“吉星”成功發(fā)射,該衛(wèi)星工作在地球靜止同步軌道上,可以對(duì)地面上的物體實(shí)現(xiàn)厘米級(jí)的定位服務(wù)。已知地球表面的重力加速度為g,地球半徑為R,該衛(wèi)星繞地球做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T。則下列說法正確的是:
A. 該衛(wèi)星的發(fā)射速度小于第一宇宙速度
B. 該衛(wèi)星運(yùn)行的加速度大小為
C. 該衛(wèi)星運(yùn)行的線速度大小為
D. 該衛(wèi)星做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為
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【題目】如圖所示,水平面上有兩根相距0.5m的足夠長(zhǎng)的平行光滑金屬導(dǎo)軌MN和PQ,它們的電阻忽略不計(jì),在M和P之間接有阻值R為4Ω的定值電阻,現(xiàn)有一質(zhì)量m為0.5kg的導(dǎo)體棒ab,長(zhǎng)L=0.5m,其電阻r為1.0Ω,與導(dǎo)軌接觸良好,整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1T,現(xiàn)使導(dǎo)體棒ab以v=8m/s的速度向右做勻速運(yùn)動(dòng)。求:
(1)導(dǎo)體棒ab中電流的方向;
(2)ab兩端電壓U;
(3)導(dǎo)體棒ab所受的外力大小。
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【題目】如圖所示,一帶電微粒質(zhì)量為m=2.0×10﹣11kg、電荷量q=+1.0×10﹣5C,從靜止開始經(jīng)電壓為U1=100V的電場(chǎng)加速后,水平進(jìn)入兩平行金屬板間的偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中,微粒射出電場(chǎng)時(shí)的偏轉(zhuǎn)角θ=30°,并接著進(jìn)入一個(gè)方向垂直紙面向里、寬度為D=34.6cm的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.已知偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中金屬板長(zhǎng)L=20cm,兩板間距d=17.3cm,重力忽略不計(jì).求:
(1)帶電微粒進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的速率v1;
(2)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中兩金屬板間的電壓U2;
(3)為使帶電微粒不會(huì)由磁場(chǎng)右邊射出,該勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少多大?
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【題目】要描繪標(biāo)有“2.5 V 0.2 A”字樣的小燈泡的伏安特性曲線,小蘭同學(xué)做了以下實(shí)驗(yàn)。可供選擇的實(shí)驗(yàn)器材有:
a.直流電源3 V (內(nèi)阻不計(jì))
b.直流電流表(量程為300 mA,內(nèi)阻約為5)
c.直流電流表(量程為3A,內(nèi)阻約為0.1 )
d.直流電壓表(量程為3V,內(nèi)阻約為30k)
e.滑動(dòng)變阻器(最大阻值為100,額定電流為0.5A)
f.滑動(dòng)變阻器(最大阻值為10,額定電流為2A)
g.開關(guān)一個(gè),導(dǎo)線若干
(1)實(shí)驗(yàn)中電流表應(yīng)選用_____,滑動(dòng)變阻器應(yīng)選用_______:(填對(duì)應(yīng)器材前的字母序號(hào))
在如圖所示的虛線框中畫出正確的實(shí)驗(yàn)電路圖_______(虛線框中已將部分電路畫出, 請(qǐng)補(bǔ)齊電路的其他部分);
(3)將如圖所示的實(shí)物圖連接完整____;
(4)開關(guān)閉合前,圖中滑動(dòng)變阻器的滑片應(yīng)滑至____(填“a”或“b”)端,圖中滑動(dòng)變阻器的滑片應(yīng)滑至最__(填“左”或“右”)端。
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【題目】如圖所示,豎直平面內(nèi)邊長(zhǎng)為a的正方形ABCD是磁場(chǎng)的分界線,在正方形的四周及正方形區(qū)域內(nèi)存在方向相反、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B的與豎直平面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng),M、N分別是邊AD、BC的中點(diǎn).現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從M點(diǎn)沿MN方向射出,帶電粒子的重力不計(jì).
(1)若在正方形區(qū)域內(nèi)加一與磁場(chǎng)方向垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng),恰使以初速度v0射出的帶電粒子沿MN直線運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn),求所加場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小和方向.
(2)為使帶電粒子從M點(diǎn)射出后,在正方形區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)到達(dá)B點(diǎn),則初速度v1應(yīng)滿足什么條件?
(3)試求帶電粒子從M點(diǎn)到達(dá)N點(diǎn)所用時(shí)間的最小值,并求出此條件下粒子第一次回到M點(diǎn)的時(shí)間.
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【題目】如圖所示,空間中存在著由一固定的負(fù)點(diǎn)電荷Q(圖中未畫出)產(chǎn)生的電場(chǎng)。另一正點(diǎn)電荷q僅在電場(chǎng)力作用下沿曲線MN運(yùn)動(dòng),在M點(diǎn)的速度大小為v0,方向沿MP方向,到達(dá)N點(diǎn)時(shí)速度大小為v,且v< v0,則
A. Q一定在虛線MP下方
B. M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的電勢(shì)高
C. q在M點(diǎn)的電勢(shì)能比在N點(diǎn)的電勢(shì)能小
D. q在M點(diǎn)的加速度比在N點(diǎn)的加速度小
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