A. FN先小于mg后大于mg，運動趨勢向左

B. FN先大于mg后小于mg，運動趨勢向左

C. FN先小于mg后大于mg，運動趨勢向右

D. FN先大于mg后小于mg，運動趨勢向右

【題目】如圖所示，MN、PQ和JK、ST為傾角皆為的足夠長的金屬導軌，都處在垂直于斜面的磁感應(yīng)強度大小為B的勻強磁場中.JK與ST平行，相距L，MN與PQ平行，相距.質(zhì)量分別為2m、m的金屬桿a和b垂直放置在導軌上.已知兩桿在運動過程中始終垂直于導軌并與導軌保持光滑接觸，兩桿與導軌構(gòu)成回路的總電阻始終為R，重力加速度為g.下列說法正確的是（ ）

A.若a固定，釋放b，則b最終速度的大小為

B.若同時釋放a、b，則b最終速度的大小為

C.若同時釋放a、b，當b下降高度為h時達到最大速度，則此過程中兩桿與導軌構(gòu)成的回路中產(chǎn)生的電能為

D.若同時釋放a、b，當b下降高度為h時達到最大速度，則此過程中通過回路的電荷量為

【題目】如圖甲所示，長直導線與閉合金屬線框位于同一平面內(nèi)，長直導線中的電流i隨時間t的變化關(guān)系如圖乙所示。在0～時間內(nèi)，直導線中電流向上，則在～T時間內(nèi)，線框中感應(yīng)電流的方向與所受安培力的合力方向分別是 （ ）

A. 順時針，向左 B. 逆時針，向右

C. 順時針，向右 D. 逆時針，向左

A. PQRS中沿順時針方向，T中沿逆時針方向

B. PQRS中沿順時針方向，T中沿順時針方向

C. PQRS中沿逆時針方向，T中沿逆時針方向

D. PQRS中沿逆時針方向，T中沿順時針方向

A. ab向右運動，同時使θ減小

B. 使磁感應(yīng)強度B減小，θ角同時也減小

C. ab向左運動，同時增大磁感應(yīng)強度B

D. ab向右運動，同時增大磁感應(yīng)強度B和θ角(0°<θ<90°)

【題目】半導體內(nèi)導電的粒子（載流子）有兩種：自由電子和空穴（空穴可視為能自由移動帶正電的粒子），以空穴導電為主的半導體叫P型半導體，以自由電子導電為主的半導體叫N型半導體.如圖為檢驗半導體材料的類型和對材料性能進行測試的原理圖，圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品板放在沿y軸正方向的勻強磁場中，磁感應(yīng)強度大小為B.當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時，會產(chǎn)生霍爾電壓，若每個載流子所帶電量的絕對值為e，下列說法正確的是（ ）

A.如果上表面電勢高，則該半導體為P型半導體

B.如果上表面電勢高，則該半導體為N型半導體

C.其他條件不變，增大c時，增大

D.樣品板在單位體積內(nèi)參與導電的載流子數(shù)目為

A.B. C.D.

A. 通過金屬桿的電流大小為

B. 通過金屬桿的電流方向為從B到A

C. 定值電阻的阻值為R=

D. 整個電路的熱功率p=

A. 在t0以后，導體棒一直做勻速直線運動

B. 導體棒最后達到的最大速度大小為

C. 在0～t0時間內(nèi)，導體棒的加速度大小為

D. 在0～t0時間內(nèi)，通過導體棒橫截面的電量為

A.電壓表示數(shù)減小，電流表示數(shù)減小

B.電壓表示數(shù)增大，電流表示數(shù)增大

C.輸電線上損耗功率減小

D.用戶總功率與發(fā)電廠的輸出功率的比值減小