在桌面上有一倒立的玻璃圓錐，其頂點恰好與桌面接觸，圓錐的軸（圖中虛線）與桌面垂直，過軸線的截面為等邊三角形，如圖所示。有一半徑為r的圓柱形平行光束垂直入射到圓錐的地面上，光束的中心軸與圓錐的軸重合。已知玻璃的折射率為1.5，則光束在桌面上形成的光斑半徑為（    ）

 

A、r      B、1.5r      C、2r      D、2.5r

如圖所示，在傾角為30⁰的足夠長的斜面上有一質量為m的物體，它受到沿斜面方向的力F的作用。力F可按圖（a）、（b）（c）、（d）所示的四種方式隨時間變化（圖中縱坐標是F與mg的比值，力沿斜面向上為正）。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

已知此物體在t=0時速度為零，若用v₁、v₂ 、v₃ 、v₄分別表示上述四種受力情況下物體在3秒末的速率，則這四個速率中最大的是（    ）

A、v₁        B、v₂        C、v₃        D、v₄

用大量具有一定能力的電子轟擊大量處于基態(tài)的氫原子，觀測到了一定數(shù)目的光譜線。調高電子的能力在此進行觀測，發(fā)現(xiàn)光譜線的數(shù)目比原來增加了5條。用△n表示兩側觀測中最高激發(fā)態(tài)的量子數(shù)n之差，E表示調高后電子的能量。根據(jù)氫原子的能級圖可以判斷，△n和E的可能值為（    ）



A、△n=1，13.22 eV <E<13.32 eV

B、△n=2，13.22 eV <E<13.32 eV

C、△n=1，12.75 eV <E<13.06 eV

D、△n=2，12.75 eV <E<13.06 Ev

a、b、c、d是勻強電場中的四個點，它們正好是一個矩形的四個頂點。電場線與矩形所在的平面平行。已知a點的電勢是20V，b點的電勢是24V，d點的電勢是4V，如圖。由此可知，c點的電勢為（    ）



A、4V      B、8V      C、12V      D、24V

如圖所示，LOO’L’為一折線，它所形成的兩個角∠LOO’和∠OO’L‘均為45⁰。折線的右邊有一勻強磁場，其方向垂直OO’的方向以速度v做勻速直線運動，在t=0時刻恰好位于圖中所示的位置。以逆時針方向為導線框中電流的正方向，在下面四幅圖中能夠正確表示電流―時間（I―t）關系的是（時間以l/v為單位）（    ）

 

兩種單色光a和b，a光照射某金屬時有光電子逸出，b光照射該金屬時沒有光電子逸出，則

  A．在真空中，a光的傳播速度較大    B．在水中，a光的波長較小

  C．在真空中，b光光子的能量較大    D．在水中，b光的折射率較小

圖甲為一列簡諧橫波在某一時刻的波形圖，圖乙為質點P以此時刻為計時起點的振動圖象。從該時刻起



  A．經(jīng)過0．35s時，質點Q距平衡位置的距離小于質點P距平衡位置的距離

  B．經(jīng)過0．25s時，質點Q的加速度大于質點P的加速度

  C．經(jīng)過0．15s，波沿x軸的正方向傳播了3m

  D．經(jīng)過0．1s時，質點Q的運動方向沿y軸正方向

如圖所示，長方形abcd長ad=0．6m，寬ab=0．3m，0、e分別是ad、bc的中點，以ad為直徑的半圓內有垂直紙面向里的勻強磁場(邊界上無磁場)，磁感應強度B=0．25T。一群不計重力、質量m=3×10^―7kg、電荷量q=+2×10^―3C的帶電粒子以速度=5×10²m／s沿垂直ad方向且垂直于磁場射人磁場區(qū)域

  A．從Od邊射入的粒子，出射點全部分布在Oa邊

  B．從aO邊射入的粒子，出射點全部分布在Ob邊

  C．從Od邊射入的粒子，出射點分布在Oa邊和ab邊

  D．從aO邊射入的粒子，出射點分布在ab邊和be邊

甲同學設計了如圖所示的電路測電源電動勢E及電阻R₁和R₂的阻值。實驗器材有：待測電源E(不計內阻)，待測電阻R₁，待測電阻R₂，電壓表V(量程為1．5V，內阻很大)，電阻箱R(0～99．99Ω)；單刀單擲開關S₁，單刀雙擲開關S₂，導線若干。



    ①先測電阻R₁的阻值。請將甲同學的操作補充完整：閉合S₁，將S₂切換到a，調節(jié)電阻箱，讀出其示數(shù)r和對應的電壓表示數(shù)U₁，保持電阻箱示數(shù)不變，                           ，讀出電壓表的示數(shù)U₂。則電阻R₁的表達式為R₁=                 。



    ②甲同學已經(jīng)測得電阻R₁=4．8Ω，繼續(xù)測電源電動勢E和電阻R₂的阻值。該同學的做法是：閉合S₁，將S₂切換到a，多次調節(jié)電阻箱，讀出多組電阻箱示數(shù)R和對應的電壓表示數(shù)U，由測得的數(shù)據(jù)，繪出了如圖所示的圖線，則電源電動勢E=      V，電阻R₂=       Ω。

    ③利用甲同學設計的電路和測得的電阻R1，乙同學測電源電動勢E和電阻R₂的阻值的做法是：閉合S₁，將S₂切換到b，多次調節(jié)電阻箱，讀出多組電阻箱示數(shù)R和對應的電壓表示數(shù)U，由測得的數(shù)據(jù)，繪出了相應的圖線，根據(jù)圖線得到電源電動勢E和電阻R₂。這種做法與甲同學的做法比較，由于電壓表測得的數(shù)據(jù)范圍             (選填“較大”、“較小”或“相同”)，所以            同學的做法更恰當些。

如圖所示，P、Q為水平面內平行放置的光滑金屬長直導軌，間距為L₁，處在豎直向下、磁感應強度大小為B₁的勻強磁場中。一導體桿ef垂直于P、Q放在導軌上，在外力作用下向左做勻速直線運動。質量為m、每邊電阻均為r、邊長為L₂的正方形金屬框abcd置于豎直平面內，兩頂點a、b通過細導線與導軌相連，磁感應強度大小為B₂的勻強磁場垂直金屬框向里，金屬框恰好處于靜止狀態(tài)。不計其余電阻和細導線對a、b點的作用力。

    (1)通過ab邊的電流I_ab是多大?

(2)導體桿ef的運動速度是多大?