科目: 來源: 題型:
試求:
(1)電子進入磁場時的速度大小;
(2)電子在磁場中運動軌跡的半徑r的大。
(3)電子從圓形磁場區(qū)邊界的入射位置不同,它在磁場區(qū)內(nèi)運動的時間就不相同。求電子在磁場區(qū)內(nèi)運動時間的最大值。
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(2)用以下器材測量電壓表V1的內(nèi)阻R1(量程為1.5 V,內(nèi)阻1 400~1 600 Ω);
電源E,電動勢約為3 V,內(nèi)阻可忽略;
電壓表V2,量程為3 V;
電阻R0,阻值R0=1 200 Ω;
滑動變阻器R,最大阻值約為20 Ω;
單刀單擲開關(guān)K,導(dǎo)線若干。
①請在答題紙的方框中畫出實驗電路原理圖(原理圖中的元件必須要用題中相應(yīng)的字母標注);
②若電壓表V1的讀數(shù)用U1表示,電壓表V2的讀數(shù)用U2表示,則由已知量和測得量表示R1的表達式為R1=_______________。
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A.小球在水平方向一直做勻速直線運動
B.若場強大小等于,則小球經(jīng)過每一電場區(qū)的時間均相同
C.若場強大小等于,則小球經(jīng)過每一無電場區(qū)的時間均相同
D.無論場強大小如何,小球通過所有無電場區(qū)的時間均相同
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A B
C D
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甲 乙
A.t3時刻的感應(yīng)電流最大 B.t4時刻的感應(yīng)電流最大
C.t1和t2時刻的感應(yīng)電流方向相同 D.t2和t4時刻的感應(yīng)電流方向相同
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A.v一定時,r越小則要求h越大 B.v一定時,r越大則要求h越大
C.r一定時,v越小則要求h越大 D.r一定時,v越大則要求h越大
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A.入射光經(jīng)玻璃磚后會分成相互平行的三束光線
B.從n=3直接躍遷到基態(tài)發(fā)出的光經(jīng)玻璃磚A后的出射光與入射光線間的距離最小
C.經(jīng)玻璃磚A后,光子的能量將減小
D.若從n=3能級躍遷到n=2能級放出的光子剛好能使金屬板B發(fā)生光電效應(yīng),則從n=2能級躍遷到基態(tài)放出的光子一定能使金屬板B發(fā)生光電效應(yīng)
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A.7 s末,x=
B.7 s末,x=
C.7 s內(nèi),x=
D.7 s內(nèi),x=
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A.這些條紋是豎直的
B.這些條紋是水平的
C.這些條紋是液膜前后兩表面反射的光疊加而形成的
D.這些條紋是光反射后出現(xiàn)偏振光而形成的
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