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有一內阻未知(約25kΩ~35kΩ)、量程未知(約25V~35V),共有30個均勻小格的直流電壓表V.
某同學在研究性學習過程中想通過上述電壓表測量一個多用表中歐姆擋的內部電源的電動勢,他們從多用表刻度盤上讀出電阻刻度中間值為30.
①請你將他們的實驗電路連接起來.他們在實驗過程中,歐姆擋的選擇開關撥至倍率“×_______” .
②在實驗中,同學讀出電壓表的讀數(shù)為U,歐姆表指針所指的刻度為n,并且在實驗過程中,一切操作都是正確的,請你導出歐姆表電池的電動勢表達式.
(第11題)
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(16分)在“測電池的電動勢和內電阻”的實驗中,所用的電流表和電壓表的內阻分別約為0.1Ω和1kΩ.左邊為實驗原理圖,右邊為所需器材的實物圖.)
I(A) | 0.12 | 0.20 | 0.31 | 0.32 | 0.50 | 0.57 |
U(V) | 1.37 | 1.32 | 1.24 | 1.18 | 1.10 | 1.05 |
(1)請按原理圖在實物圖中畫線連接成實驗電路
(2)閉合電鍵前應將滑動變阻器的滑動片移動到
(3)一位同學在實驗中記錄的6組數(shù)據(jù)如上表所示,試根據(jù)這些數(shù)據(jù)在下圖中畫出U-I圖線.
(4)根據(jù)圖線可得被測電池的電動勢E=_______V, 內電阻r=_________Ω.
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用如圖1所示電路可以完成“測定電池電動勢和內阻”的實驗。
(1)圖中a處應接 (填“電壓表”或“電流表”,下同),b處應接 。
(2)根據(jù)實驗測得的數(shù)據(jù),作出路端電壓U和電流I的關系圖象如圖2所示,則電源電動勢為 V,電源內阻為 Ω。
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測定電源的電動勢和內電阻的實驗電路和U-I圖像如下,回答下列問題:
(1)如圖所示在閉合開關之前為防止電表過載而滑動變阻器的滑動頭P應放在 處
(2)現(xiàn)備有以下器材:
A.干電池1個 B.滑動變阻器(0~50Ω)
C.滑動變阻器(0~1750Ω) D.電壓表(0~3V)
E.電壓表(0~15V) F.電流表(0~0.6A)
G.電流表(0~3A)
其中滑動變阻器應選 ,電流表應選 ,電壓表應選
________。(填字母代號)
(3)如圖是根據(jù)實驗數(shù)據(jù)畫出的U-I圖像。由此可知這個干電池的電動勢E= V,內電阻r= Ω。
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某同學采用如圖甲所示的電路測定電源的電動勢和內電阻。已知干電池的電動勢約為1.5V,內阻約為1Ω;電壓表(量程0~3V,內阻3kΩ),電流表(量程0~0.6A,內阻1.0Ω),滑動變阻器有R1(最大阻值10Ω,額定電流2A)和R2(最大阻值100Ω,額定電流0.1A)各一只。
(1)實驗中滑動變阻器應選用 。(選填“R1”或“R2”)
(2)在實驗中測得多組電壓和電流值,得到如圖乙所示的電壓與電流關系圖線,根據(jù)圖線求出的電源電動勢E= V,內阻r= Ω。(結果保留兩位小數(shù))
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(18分)測定電源的電動勢和內電阻的實驗電路和U-I圖像如下,請回答下列問題:
(1)如圖所示在閉合開關之前移為防止電表過載而滑動變阻器的滑動頭P應放在 處
(2)現(xiàn)備有以下器材:
A.干電池1個
B.滑動變阻器(0~50Ω,)
C.滑動變阻器(0~1750Ω)
D.電壓表(0~3V)
E.電壓表(0~15V)
F.電流表(0~0.6A)
G.電流表(0~3A)
其中滑動變阻器應選 ,電壓表應選 電流表應選 ·(填字母代號)
(3)右圖是根據(jù)實驗數(shù)據(jù)畫出的U-I圖象。由此可知這個干電池的電動勢E= V,內電阻r= Ω。
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(10分)為了測定某電池的電動勢和內電阻,實驗室中提供有下列器材:
A.電流表G(滿偏電流10mA,內阻10Ω)
B.電流表A(0~0.6 A~3A,內阻未知)
C.滑動變阻器R0(0~100Ω,1A)
D.定值電阻R(阻值990Ω)
E.開關與導線若干
(1)根據(jù)現(xiàn)有的實驗器材,設計了如圖甲所示的電路,請你按照電路圖在乙圖上完成實物連線.
2)丙圖為根據(jù)上述設計的實驗電路利用測出的數(shù)據(jù)繪出的I1-I2圖線(I1為電流表G的示數(shù),I2為電流表A的示數(shù)),則由圖線可以得到被測電池的電動勢E= V ,內阻r= Ω。
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(08江蘇卷)2.2007年度諾貝爾物理學獎授予了法國和德國的兩位科學家,以表彰他們發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻效應”.基于巨磁電阻效應開發(fā)的用于讀取硬盤數(shù)據(jù)的技術,被認為是納米技術的第一次真正應用.在下列有關其它電阻應用的說法中。錯誤的是
A.熱敏電阻可應用于溫度測控裝置中
B.光敏電阻是一種光電傳感器
C.電阻絲可應用于電熱設備中
D.電阻在電路中主要起到通過直流、阻礙交流的作用。
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(08海南卷)11、當光照射到光敏電阻上時,光敏電阻的阻值 (填“變大”、“不變”或“變小”).半導體熱敏電阻是利用半導體材料的電阻率隨 變化而改變的特性制成的.
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(08廣東理科基礎)15.關于電阻率的說法正確的是
A.電阻率與導體的長度無關 B.電阻率與導體的材料有關
C.電阻率與導體的形狀有關 D.電阻率與導體的橫截面積有關
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