17．硅的元素符號(hào)為Si.單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅.有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為: ①SiO2+2CSi+2CO↑ ②Si+2Cl2SiCl4 ③SiCl4+2H2 Si+4HCl.上述反應(yīng)③的反應(yīng)類型屬于( ) A．復(fù)分解反應(yīng) B．分解反應(yīng) C．置換反應(yīng) D．化合反應(yīng) 18．下列檢驗(yàn)方法不正確的是( ) A．檢驗(yàn)溶液中的Cl-.先加Ag NO3溶液.再加稀硝酸 B．檢驗(yàn)溶液中的Cl-.先加稀硝酸.再加Ag NO3溶液 C．檢驗(yàn)溶液中的SO42-.先加稀鹽酸.再加BaCl2溶液 D．檢驗(yàn)溶液中的SO42-.先加BaCl2溶液.再加稀鹽酸 【查看更多】

 

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硅的元素符號(hào)為Si，單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為：①SiO2+2C==Si+2CO↑  ②Si+2C12======SiCl4   ③SiCl4+2H2====Si+4HCl其中①、③的反應(yīng)類型屬于  （    ）  

A.復(fù)分解反應(yīng)            B.分解反應(yīng)             C.置換反應(yīng)             D.化合反應(yīng)

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
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Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　　）
A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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